一种半导体装置的制造方法，包括：沉积第一功函数层在第一沟槽及第二栅极沟槽上方。方法包括沉积第二功函数层在第一功函数层上方。方法包蚀刻第一栅极沟槽中的第二功函数层，且覆盖第二栅极沟槽中的第二功函数层，导致第一栅极沟槽中的第一功函数层包含蚀...

一种半导体装置，包括多个半导体层，垂直地彼此分开。半导体装置包括：栅极结构，包括下部以及上部。下部包绕每个半导体层。半导体装置包括：栅极间隔物，沿着栅极结构的上部的侧壁延伸，并且包括第一层以及第二层。第一层接触侧壁的第一部分，并且第二层...

一种半导体装置，包括基板、鳍状物、栅极结构及第一源极/漏极结构。鳍状物形成于基板上并沿着第一方向延伸。栅极结构跨过鳍状物并沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向。第一源极/漏极结构沿着第一方向耦接至鳍状物的第一末端。栅极结构包括沿着...

本公开提供了一种形成内连线结构的方法。方法包括形成金属层在基板上方，金属层包括第一金属；形成盖层在金属层上；图案化盖层及金属层，从而形成沟槽在金属层中；沉积第一介电层在沟槽中；移除盖层，使第一介电层突出于金属层的顶表面；沉积第二介电层在...

本公开实施例提供一种半导体装置封装及其形成方法。半导体装置封装包括一封装基板，具有一第一表面及与第一表面相对的一第二表面。数个集成装置接合到封装基板的第一表面。一第一底部填充元件设置于第一表面之上并围绕集成装置。一第一模制层设置于第一表...

一种集成电路的制造方法，包含形成第一全绕式栅极晶体管以及第二全绕式栅极晶体管。此方法形成偶极氧化物于第一全绕式栅极晶体管中但不形成偶极氧化物于第二全绕式栅极晶体管中。这是借由在重新沉积界面介电层于第二全绕式栅极晶体管的纳米片上之前，从第...

半导体结构的制造方法包含在制造过程期间选择性使用包覆层，以提供临界尺寸均匀度。包覆层可在主动通道结构中形成凹口之前形成，或是可在以介电材料填充主动通道结构中的凹口之后形成。这些技术可用于半导体结构中，例如集成电路中实现的全绕式栅极晶体管...

一种芯片封装结构及其形成方法。所述芯片封装结构包括接合在一中介层基板之上的一半导体裸片。所述芯片封装结构也包括一翘曲释放层结构。翘曲释放层结构包括一有机材料层以及一上覆的高热膨胀系数材料层，所述高热膨胀系数材料层具有基本上等于或大于9p...

集成电路的形成方法包括形成多个半导体纳米片。方法包括形成覆层内侧间隔物于晶体管的源极区与晶体管的栅极区之间。方法包括形成片状物内侧间隔物于半导体纳米片之间，且片状物内侧间隔物的沉积制程与覆层内侧间隔物的沉积制程分开。沉积制程分开。沉积制...

一种集成电路的制造方法，包括：形成I/O全绕式栅极晶体管及核心全绕式栅极晶体管。方法通过将金属原子扩散到I/O全绕式栅极晶体管的界面介电层中，对I/O全绕式栅极晶体管的界面介电层进行再成长制程。再成长制程不会将金属原子扩散到核心全绕式栅...

在一些实施例中，本公开是关于一种集成芯片，包括一第一内连接介电层，排置于一基底上；一第二内连接介电层，排置于第一内连接介电层上；以及一内连接导电结构，排置于第二内连接介电层内。内连接导电结构包括一外部，其包括第一导电材料。再者，内连接导...

在一些实施例中，本公开关于一种集成芯片，所述集成芯片包括设置在基板上方的第一互连介电层。互连线延伸穿过第一互连介电层，且阻障结构直接设置在互连线上方。集成芯片还包括设置在阻障结构上方且围绕阻障结构的外侧壁的蚀刻停止层。第二互连介电层设置...

本发明实施例涉及在半导体制造工艺中移除粒子的方法。本发明一些实施例提供一种用于处理半导体晶片的系统。所述系统包含处理工具。所述系统还包含具有气体入口及气体出口的气体处置壳体。所述系统进一步包含与所述处理工具及所述气体处置壳体的所述气体入...

提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：互连结构，位于衬底上；钝化层，设置在互连结构上；第一通孔、第二通孔和第三通孔，设置在钝化层中并且连接至互连结构，第一通孔、第二通孔和第三通孔的每个具有沿第一方向纵向取向的细长形状；以及第一焊...

提供一种半导体装置及其操作方法，半导体装置包含物理不可仿制函数单元阵列。物理不可仿制函数单元阵列包含多个位元单元，且响应于挑战输入并基于多个位元单元中的一者的数据状态，产生物理不可仿制函数回应输出。位元单元中的每一者储存一位元数据且包含...

本申请公开了制造半导体器件的方法和制造半导体器件的图案形成方法。在用于半导体器件制造的图案形成方法中，获得用于制造光掩模的原始图案；通过对原始图案执行光学邻近校正来获得经修改的原始图案；获得相对于经修改的原始图案的亚分辨率辅助特征(SR...

公开了包括背侧电容器的半导体器件及其形成方法。在实施例中，半导体器件包括第一晶体管结构；位于第一晶体管结构的前侧上的前侧互连结构，前侧互连结构包括前侧导线；位于第一晶体管结构的背侧上的背侧互连结构，背侧互连结构包括背侧导线，背侧导线具有...

公开了制造半导体器件的方法。该方法包括沿半导体衬底的顶面形成凹槽。该方法包括形成沿凹槽的第一侧壁延伸的基于氮化物的间隔件层。该方法包括在凹槽中形成场氧化物层，该场氧化物层沿凹槽的底面延伸，而基于氮化物的间隔件层阻止场氧化物层的横向尖端延...

公开了一种对通孔缺陷进行建模的方法和系统以及非暂时性计算机可读储存介质。该方法，包括：获取标准单元的设计布局，从设计布局中提取标准单元中的一个或多个通孔的特征信息，通过应用第一异常电阻值作为一个或多个通孔之中的第一通孔的寄生电阻值，来对...

本公开实施例提供一种形成半导体装置封装的方法。所述方法包括将半导体装置接合到封装基板；将金属盖放置在半导体装置和封装基板之上，并在金属盖与半导体装置之间提供金属热界面材料；加热并使金属热界面材料熔化；向下按压金属盖，使得熔化的金属热界面...