一种半导体制造方法，包括：沿着平移路径相对于离子束移动多个感测器；获取由感测器所产生的感测器信号；将所获取的感测器信号转换成代表离子束的二维轮廓的数据集；从数据集产生离子束的多个第一一维轮廓；通过将离子束的第一一维轮廓中的每一者空间反转...

提供了一种半导体结构。半导体结构包括环绕第一纳米结构的第一栅极堆叠件、环绕第二纳米结构的第二栅极堆叠件、介于第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件之间的栅极隔离结构、邻接第一纳米结构的第一源极/漏极部件、邻接第二纳米结构的第二源极/漏极部件、以...

本发明涉及一种具有多层沟渠电容器结构的集成芯片及其形成方法。集成芯片包括位在基底上方的介电结构。第一电容器设置在介电结构的侧壁之间。第一电容器包括位在介电结构的侧壁之间的第一电极与位在侧壁之间且位在第一电极上方的第二电极。第二电容器设置...

一种存储器电路包括第一电路和第二电路。第一电路包括具有多个位线的DRAM阵列，第二电路包括计算电路，计算电路包括感测放大器电路。边界层位于第一电路和第二电路之间，并且边界层包括被配置为将多个位线电连接到感测放大器电路的多个通孔结构。本申...

描述了互连结构及其形成方法。在一些实施例中，结构包括：第一金属间介电(IMD)层，设置在多个导电部件上方；以及第一无源组件，设置在衬底的第一区域中的第一IMD层上。结构还包括：第二无源组件，设置在衬底的第二区域中的第一IMD层上。第二无...

本发明实施例涉及半导体裸片浸渍结构。本文提供了一种裸片浸渍结构包含一个板，所述板包含具有第一深度并使用第一助焊剂材料填满的第一凹陷部分。所述板还包含第二凹陷部分，与第一凹陷部分分离，具有第二深度并被第二助焊剂材料填满。第二深度与第一深度...

谐振器器件包括具有在衬底上方延伸的第一数量的鳍的衬底。鳍在第一方向上沿着衬底延伸。在鳍上方提供第二数量的导电指，导电指在垂直于第一方向的第二方向上延伸。第一数量小于或等于第二数量。将导电指配置为接收输入信号，使得导电指以输出频率谐振。导...

本发明涉及形成集成芯片结构的方法。方法包括蚀刻基底衬底以形成由基底衬底的一个或多个内表面限定的凹槽。沿基底衬底的一个或多个内表面形成掺杂外延层，并且在掺杂外延层的水平和垂直延伸的表面上形成外延材料。在外延材料内形成第一掺杂光电二极管区域...

本公开涉及利用含Si层对金属栅极进行的接缝填充。一种方法包括：在半导体区域之上形成虚设栅极堆叠、在虚设栅极堆叠的相反侧上形成外延源极/漏极区域、去除虚设栅极堆叠以形成沟槽、将栅极电介质层沉积得延伸到沟槽中、并且在功函数层之上沉积栅极电介...

本申请公开了具有无铝功函数层的NFET及其形成方法。一种方法包括在半导体区域之上形成虚设栅极堆叠，在虚设栅极堆叠的一侧上形成源极/漏极区域，去除虚设栅极堆叠以形成沟槽，沉积延伸到沟槽中的栅极电介质层，在栅极电介质层之上沉积含金属层，以及...

一种内存装置，包括基座半导体管芯、导电端子、内存管芯、绝缘包封体和缓冲盖。导电端子设置在基座半导体管芯的第一表面上。内存管芯堆栈在基座半导体管芯的第二表面上，且基座半导体管芯的第二表面与基座半导体管芯的第一表面相对。绝缘包封体设置在基座...

本发明实施例涉及用于连接两个半导体装置的原子层沉积接合层。一种方法可包含：在第一半导体装置的表面上形成第一原子层沉积(ALD)接合层；以及在第二半导体装置的表面上形成第二原子层沉积接合层。所述方法可包含经由所述第一ALD接合层和所述第二...

可以通过以正向顺序或以反向顺序在衬底上方形成栅电极、半导体金属氧化物衬垫、栅极电介质和有源层并且通过在有源层的端部上形成源电极和漏电极来提供晶体管。半导体金属氧化物衬垫包括用作氢阻挡材料的薄半导体金属氧化物材料。本申请的实施例还涉及晶体...

本公开一些实施例提出一种存储器装置。所述存储器装置包括含有具金属线的金属间介电层的基板、位于基板上方的介电层、穿过介电层并与金属线接触的底部电极通孔、位于底部电极通孔上方的底部电极、位于底部电极上方的磁穿隧接面(MTJ)元件以及位于MT...

一种半导体装置，半导体装置包括多个通道层，设置在高台上方，其中高台的多个侧壁朝向高台的中心向内弯曲，使得高台的中部的宽度窄于高台的顶部的宽度；栅极结构，包裹多个通道层的每一个并与高台物理接触；外延源/漏极部件，邻接多个通道层；以及隔离部...

一种半导体器件包括：电容器，包括第一金属板；电容器介电层，设置在第一金属板上方；以及第二金属板，设置在电容器介电层上方；以及电阻器，包括金属薄膜，其中，电阻器的金属薄膜和电容器的第二金属板由相同的金属材料形成，并且其中，金属薄膜的顶面与...

本公开涉及用于极紫外掩模的间隙型吸收体。提供了一种光刻图案化光致抗蚀剂的方法。该方法包括接收具有光致抗蚀剂的晶圆并使用由EUV掩模反射的极紫外(EUV)辐射来曝光光致抗蚀剂。EUV掩模包括衬底、衬底上的反射多层堆叠、反射多层堆叠上的覆盖...

本公开涉及半导体器件中的栅极结构及其形成方法。一种方法，包括去除第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠以形成第一沟槽和第二沟槽。所述第一虚设栅极堆叠和所述第二虚设栅极堆叠分别位于第一器件区和第二器件区。所述方法还包括沉积分别延伸到所述第一沟...

本实用新型实施例提供一种集成电路，包括背栅极结构、第一缓冲层、存储层、第二缓冲层、导电沟道和源极/漏极区。所述背栅极结构在衬底上。所述第一缓冲层在所述背栅极结构上方，所述第一缓冲层提供第一反铁磁功能。所述存储层在所述第一缓冲层上方。所述...

一种半导体结构及半导体装置，半导体结构包括第一绝缘层、源极/漏极触点插塞、中间块介电质、第二绝缘层、第一金属触点及第二金属触点。设置于第一绝缘层中的源极/漏极触点插塞被第一绝缘层侧向包围，源极/漏极触点插塞具有与第一绝缘层的上表面平齐的...