半导体裸片浸渍结构制造技术

本发明专利技术实施例涉及半导体裸片浸渍结构。本文提供了一种裸片浸渍结构包含一个板，所述板包含具有第一深度并使用第一助焊剂材料填满的第一凹陷部分。所述板还包含第二凹陷部分，与第一凹陷部分分离，具有第二深度并被第二助焊剂材料填满。第二深度与第一深度不同。所述裸片浸渍结构还包含一个电动机，所述电动机经配置以移动板，以便同时将第一裸片以及第二裸片分别浸入第一凹陷部分的助焊剂和第二凹陷部分的助焊剂中。部分的助焊剂中。部分的助焊剂中。

【技术实现步骤摘要】
半导体裸片浸渍结构


[0001]本专利技术实施例涉及半导体裸片浸渍结构。

技术介绍

[0002]使用半导体元件的电子设备对于许多现代应用产品来说是必不可少的。随着电子技术的进步，半导体元件的尺寸越来越小，同时具有更强大的功能和更大量的集成电路。在封装半导体元件的制造过程中，许多芯片或裸片被组装在单一半导体元件上。在制造过程中，通常将助焊剂材料(Flux Material)施加到裸片上，并作为润湿剂和清洁剂，以提高任何焊接接合的质量。助焊剂材料还最大限度地减少了在焊接温度下可能发生的金属氧化，从而提高了电气连接的可靠性。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的一实施例，一种裸片浸渍结构，包含：板，包含：第一凹陷部分，其具有第一深度并以第一助焊剂材料填满；及第二凹陷部分，其与所述第一凹陷部分分离，具有第二深度并以第二助焊剂材料填满，其中所述第二深度与所述第一深度不同；电动机，其经配置以移动所述板，以便同时将第一裸片以及第二裸片分别浸入所述第一凹陷部分中的所述第一助焊剂材料以及所述第二凹陷部分中的所述第二助焊剂材料。
[0004]根据本专利技术的一实施例，一种裸片浸渍结构，包含：机械手臂，其经配置以固定第一裸片以及第二裸片，其中所述第一裸片包含具有第一高度的第一连接器，且所述第二裸片包含具有第二高度的第二连接器；板，包含：第一凹陷部分，其包含第一助焊剂材料，所述第一助焊剂材料具有第三高度；第二凹陷部分，其与所述第一凹陷部分分离，所述第二凹陷部分包含第二助焊剂材料，所述第二助焊剂材料具有第四高度，其中所述第一高度和所述第二高度分别对应于所述第三高度和所述第四高度；及电动机，其经配置以移动所述板，以分别将所述第一连接器以及所述第二连接器与所述第一凹陷部分以及所述第二凹陷部分对齐。
[0005]根据本专利技术的一实施例，一种关于半导体工件的方法，包含：提供板，所述板包含第一凹陷部分，所述第一凹陷部分具有第一深度并被第一助焊剂材料填满，以及第二凹陷部分，所述第二凹陷部分具有第二深度并被第二助焊剂材料填满，其中所述第二深度与所述第一深度不同；同时将第一裸片浸入所述第一凹陷部分，并将第二裸片浸入所述第二凹陷部分，以便分别用所述第一助焊剂材料以及所述第二助焊剂材料涂覆所述第一裸片的第一连接器和所述第二裸片的第二连接器。
附图说明
[0006]从结合附图阅读的以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应注意的是，根据行业标准做法，各种构件未按比例绘制。实际上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。
[0007]图1A绘示出根据一些实施例的裸片浸渍结构的示意图。
[0008]图1B绘示出根据一些实施例的裸片浸渍结构的示意图。
[0009]图2绘示出根据一些实施例的示例裸片浸渍结构的一部分的示意图。
[0010]图3绘示出根据一些实施例的示例裸片浸渍结构的另一部分的示意图。
[0011]图4绘示出根据一些实施例可以连接到裸片浸渍结构的半导体裸片的示意图。
[0012]图5绘示出根据一些实施例可以连接到裸片浸渍结构的半导体裸片的示意图。
[0013]图6绘示出根据一些实施例将助焊剂施加到半导体工件的方法流程图。
[0014]图7
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17绘示出根据一些实施例，在形成可以使用裸片浸渍结构的封装结构的示例过程中的截面视图。
具体实施方式
[0015]以下揭露提供用于实施所提供主题的不同特征的诸多不同实施例或实例。下文将描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且不意在产生限制。例如，在以下描述中，在第二构件上方或第二构件上形成第一构件可包含其中形成直接接触的第一构件及第二构件的实施例，且还可包含其中可在第一构件与第二构件之间形成额外构件使得第一构件及第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各个实例中重复参考元件符号及/或字母。此重复是为了简单及清楚且其本身不指示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。
[0016]此外，为便于描述，例如“在
…
之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”及其类似的空间相对术语在本文中可用于描述一元件或构件与另一(些)元件或构件的关系，如图中所绘示出的。除了图中所描绘的方向之外，空间相对术语还意欲涵盖装置在使用或操作中的不同方向。设备可依其它方式方向(旋转90度或依其它方向)且也可因此解释本文中所使用的空间相对描述词。在本文中，术语“耦合”也可以称为“电气耦合”，术语“连接”可以称为“电气连接”。“耦合”和“连接”也可用于表示两个或多个元素相互合作或相互作用。
[0017]通常将助焊剂材料施加到裸片或衬底上，以促进互连的形成。助焊剂材料充当接合剂，将放置的组件固定就位等待焊接，并进一步清洁衬底上的表面氧化物，并最大限度地减少在焊接温度下所发生的金属氧化，从而改善焊接组件与衬底之间的电气和机械互连和可靠性。控制施加到裸片或衬底上的助焊剂材料的量非常重要，因为必须使用足够的助焊剂来实现可靠的冶金键，而过量的助焊剂会对其它制造过程产生不利影响，例如造成相邻的焊料、焊盘或迹线彼此短路，从而造成桥接。
[0018]通常，封装的半导体元件(例如，晶片上芯片(Chip
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on
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Wafer
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on
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Substrate，CoWoS)封装、其它集成电路芯片、安装在衬底上的裸片等。)合并了多个裸片，以实现更好的互连密度和性能。在这种情况下，半导体封装上的每个裸片可能是导电气连接器，并且一个裸片上的导电气连接器可能与另一个裸片上的导电气连接器具有不同的高度。每个裸片也可以浸入半导体结构中，所述浸渍结构经配置以使用助焊剂材料来封装每个裸片上的导电气连接器。目前的裸片浸渍结构使用浸渍板(dipping plate)，每个板具有单独的固定厚度。但是，由于连接器高度、连接器直径、预焊类型和衬底上的金属饰面(metal finish)处理等的变化，必须更换浸渍板以达到不同的助焊剂厚度要求。结果会让工艺被中断，从而造成产出量下降，并且无法利用工艺控制来实时微调助焊剂厚度。
[0019]本揭露涉及一种半导体浸渍结构(有时称为裸片浸渍结构)，其具有多类型浸渍深度并经配置以处理多裸片生产量。在一些实施例中，半导体浸渍结构包含浸渍板，浸渍板具有至少两个浸渍池。每个浸渍池的深度可能与其它浸渍池的深度不同。例如，第一浸渍池的深度可能比第二浸渍池要深。每个浸渍池还可以被助焊剂材料填满，所述助焊剂材料可以是任何合适的介电材料。半导体浸渍结构还可以包含至少两个半导体裸片，并且每个半导体裸片可以有一个连接器。在一些实施例中，第一半导体裸片可以包含具有第一高度的第一连接器，并且第二半导体裸片可以包含具有第二高度的第二连接器。第一高度可能大于第二高度。在某些情况下，第一半导体裸片可以位于第一浸渍池中，第二半导体裸片可以位于第二浸渍池中，以便使用助焊剂材料来封装每个裸片上的每个连接器。在一些实施例中，这些多深度半导体浸渍结构可以提高半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种裸片浸渍结构，包含：板，包含：第一凹陷部分，其具有第一深度并以第一助焊剂材料填满；及第二凹陷部分，其与所述第一凹陷部分分离，具有第二深度并以第二助焊剂材料填满，其中所述第二深度与所述第一深度不同；电动机，其经配置以移动所述板，以便同时将第一裸片以及第二裸片分别浸入所述第一凹陷部分中的所述第一助焊剂材料以及所述第二凹陷部分中的所述第二助焊剂材料。2.根据权利要求1所述的裸片浸渍结构，其中所述第一凹陷部分与所述第二凹陷部分彼此横向隔开一距离，所述距离大于或等于1毫米。3.根据权利要求1所述的裸片浸渍结构，其中所述第一深度大于或等于20微米。4.根据权利要求1所述的裸片浸渍结构，其中所述第二深度大于或等于1微米。5.一种裸片浸渍结构，包含：机械手臂，其经配置以固定第一裸片以及第二裸片，其中所述第一裸片包含具有第一高度的第一连接器，且所述第二裸片包含具有第二高度的第二连接器；板，包含：第一凹陷部分，其包含第一助焊剂材料，所述第一助焊剂材料具有第三高度；第二凹陷部分，其与所述第一凹陷部分分离，所述第二凹陷部分包含第二助焊剂材料，所述第二助焊剂材料具有第四高度，其中所述第一高度和所述第二高度分别对应于所述第三高度和所述第四高度；及电动...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭棋俊，邱致远，吴旻谕，涂逸凯，吴政隆，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：