一种封装结构包括第一/第二/第三封装组件、上覆于第一封装组件并相对于第二封装组件的热界面材料结构、设置在第三封装组件上并通过热界面材料结构与第一封装组件热耦合的散热组件。第一封装组件包括多个半导体管芯和包封半导体管芯的绝缘包封体，第二封...

本公开描述了一种存储器装置。存储器装置的特征在于包含：存储器单元区、井拾取区、第一电源供应布线区、第二电源供应布线区、位元线跨接布线区以及装置区。井拾取区及第一电源供应布线区，设置在存储器单元区的第一侧。第二电源供应布线区及位元线跨接布...

提供集成电路芯片和密封环结构。根据本公开的集成电路芯片包括具有装置区域和围绕装置区域的环形区域的基底、设置在基底上的内连线结构、设置在内连线结构上方的第一钝化层、嵌入在第一钝化层中的第一接触通孔环、设置在第一接触通孔环和第一钝化层上的第...

本申请的实施例提供了计算器件、存储器控制器和执行存储器中计算的方法。执行存储器中计算的方法包括：将数据储存在存储器阵列的存储器单元中，该数据包括用于计算的权重；确定是否接收到更新命令以改变至少一个权重；响应于接收到更新命令，对存储器阵列...

本申请公开了一种扩散炉，包括控制机台、真空管路以及集线器，集线器包括壳体、设置于壳体的多个第一接线口以及多个第二接线口，第一接线口与第二接线口一一对应，两者之间包括线材通道，控制机台连接有第一线材，真空管路连接有第二线材，第一线材伸入第...

方法包括在衬底上方形成栅极结构；邻近栅极结构形成源极/漏极区域；在源极/漏极区域上方形成第一层间电介质(ILD)；形成延伸穿过第一ILD的接触插塞，该接触插塞电接触源极/漏极区域；在接触插塞上形成硅化物层；形成在第一ILD和硅化物层上方...

本发明的各个实施例针对用于使用具有拐弯的心轴形成导线和导电基座的方法，以及所得的导线和基座。本发明的导电基座可以具有带有至少一个拐弯的顶部布局并且沿着至少一拐弯具有与导线的宽度基本相同的宽度。这种顶部布局可以减小导电基座的形成期间的负载...

本申请的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成栅极介电层；在栅极介电层上方形成牺牲层；图案化牺牲层以形成牺牲栅电极；通过部分地蚀刻牺牲栅电极在牺牲栅电极中形成多个开口；利用与牺牲栅电极的材料不同...

本申请实施例提供一种晶舟承载装置及晶圆加工系统，晶舟包括相对设置的两个晶舟片，晶舟片包括相邻设置的第一侧面和第二侧面，晶舟承载装置包括与晶舟片一一对应的承载单元，承载单元包括承载板和限位板，限位板设置在承载板上，限位板包括互相连接的第一...

本实用新型的实施例提供一种晶体管，其包括栅极结构、下伏于栅极结构且包括二维材料的通道层、侧向地与栅极结构隔开并侧向地设置在通道层旁边的源极/漏极接触件以及侧向地插设在栅极结构和源极/漏极接触件之间的间隙壁。亦提供一种半导体装置和一种半导...

本发明实施例揭露复合半导体衬底、半导体装置及其制造方法。一种复合半导体衬底，其包含半导体衬底、氧掺杂结晶半导体层及绝缘层。所述氧掺杂结晶半导体层在所述半导体衬底上方，且所述氧掺杂结晶半导体层包含结晶半导体材料及多种氧掺杂剂。所述绝缘层在...

一种集成电路结构，集成电路结构包括第一绝缘层、设置在第一绝缘层中的第一金属线路，第一金属线路由第一绝缘层横向包围，第一金属线路具有与第一绝缘层的上表面齐平的上表面。第一金属线路包含第一金属线路的上表面中的第一凹陷，第一凹陷自第一金属线路...

本申请公开了一种定位治具，用于辅助安装卡盘上的定位销，定位治具包括：本体，包括沿第一方向相对设置的第一表面和第二表面，以及连接于第一表面和第二表面之间的第三表面、及贯穿第一表面并沿第一方向延伸的定位孔，定位孔用于容纳至少部分定位销，多个...

本申请提供了一种离子源灯丝结构、离子源装置及离子注入设备。离子源灯丝结构包括灯丝、馈电连接杆和夹持部件。灯丝包括本体和安装端子。灯丝包括本体和安装端子。馈电连接杆包括主体部和设置有安装孔的连接部，连接部设置于主体部沿自身长度方向上的一端...

本申请公开一种导向装置，用于将加速器导入离子注入机，其特征在于，导向装置包括：引导板，包括沿其厚度方向设置的承载面和背面、开口位于承载面的容纳槽及连接承载面和背面的连接面，承载面沿预设轨迹延伸成型并用于承载加速器，以使加速器能够沿预设轨...

本文涉及多层结构的下层及使用其的方法。所述方法包括：在衬底上提供分层结构，该分层结构包含在衬底上方形成的底层和在底层上方形成的光致抗蚀剂层；将光致抗蚀剂层暴露于辐射源；显影光致抗蚀剂层；图案化底层；以及穿过在图案化的底层中的开口而去除部...

本发明实施例涉及半导体装置中的结构形成。一种半导体装置可以包含一或多个低介电常数(低κ)层，其在衬底上。所述半导体装置可以包含介电层，其在所述一或多个低κ层上。所述半导体装置可以包含结构，其穿过所述衬底、所述一或多个低κ层和所述介电层。...

本发明实施例涉及一种便携式机器人半导体吊舱装载机及其执行方法，其可使用至少一个传感器来检测半导体吊舱在所述便携式机器人半导体吊舱装载机的装载端口上的接收。所述至少一个传感器是由所述装载端口支撑。所述便携式机器人半导体吊舱装载机可引起所述...

本公开提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成一源极/漏极特征于一基板之上；形成一介电层于源极/漏极特征之上；形成一接触沟槽穿过介电层以曝露源极/漏极特征；以一第一原子层沉积(ALD)工艺沉积一氮化钛(TiN)层于接触沟槽；以及沉积一钴...

一种半导体装置，包含第一虚设群组具有第一套多个虚设晶体管；第一延迟单元具有第一套多个主动晶体管；第二延迟单元具有第二套多个主动晶体管；第二虚设群组具有第二套多个虚设晶体管；相对于第一方向，第一和第二虚设群组以及第一和第二延迟单元排列于第...