集成电路芯片制造技术

提供集成电路芯片和密封环结构。根据本公开的集成电路芯片包括具有装置区域和围绕装置区域的环形区域的基底、设置在基底上的内连线结构、设置在内连线结构上方的第一钝化层、嵌入在第一钝化层中的第一接触通孔环、设置在第一接触通孔环和第一钝化层上的第一接触垫环，设置在第一接触垫环上方的第二钝化层以及设置在第二钝化层的一部分上的聚合物层。第一接触通孔环和第一接触垫环完全围绕装置区域。接触通孔环和第一接触垫环完全围绕装置区域。接触通孔环和第一接触垫环完全围绕装置区域。

【技术实现步骤摘要】
集成电路芯片


[0001]本技术实施例是关于一种集成电路芯片，特别是关于一种设置接触通孔环和接触垫环完全围绕装置区域的集成电路芯片。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit；IC)产业经历了指数级成长。集成电路材料和设计的技术进步产生出数代集成电路，每一代的电路都比上一代更小、更复杂。在集成电路演进的过程中，功能密度(即每芯片面积中内连线装置的数量)普遍增加，而几何尺寸(即可以使用制造制程来产生的最小元件(或线))缩小。这种尺寸缩小的制程通常通过提高生产效率和降低相关成本带来优点。尺寸缩小也增加了集成电路加工和制造的复杂性。
[0003]晶体管的结构可能容易因单一化期间的水气进入或应力而受到损坏。已实施密封结构来保护半导体装置。尽管现有的密封结构对于其预期目的而言通常是令人满意的，但并不是在所有方面都令人满意。

技术实现思路

[0004]本技术实施例提供一种集成电路芯片，包括：具有装置区域和围绕装置区域的环形区域的基底、设置在基底上的内连线结构、设置在内连线结构上方的第一钝化层、嵌入在第一钝化层中的第一接触通孔环、设置在第一接触通孔环和第一钝化层上的第一接触垫环，设置在第一接触垫环上方的第二钝化层以及设置在第二钝化层的一部分上的聚合物层。第一接触通孔环和第一接触垫环完全围绕装置区域。
[0005]优选地，该内连线结构包括：一第一密封环壁，设置在该环形区域上方，其中该第一接触通孔环延伸穿过该第一钝化层以接触该第一密封环壁的一顶部金属层；以及一第二密封环壁，设置在该环形区域上方且围绕该第一密封环壁。
[0006]优选地，该集成电路芯片更包括：一第二接触通孔环，延伸穿过该第一钝化层以接触该第二密封环壁的一顶部金属层；以及一第二接触垫环，设置在该第二接触通孔环和该第一钝化层上，其中该第二接触通孔环和该第二接触垫环完全围绕该装置区域，其中该第二钝化层未设置在该第二接触垫环上方。
[0007]优选地，该第一钝化层和该第二钝化层包括未掺杂的硅酸盐玻璃、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，该聚合物层包括环氧树脂、聚酰亚胺、苯并环丁烯或聚苯并恶唑，且该第一接触通孔环和该第一接触垫环包括铝、铜或铝铜。
[0008]优选地，该第一接触垫环包括位于该第一接触通孔环正上方的一凹槽。
[0009]本技术实施例提供一种集成电路芯片，包括：具有装置区域和围绕装置区域的环形区域的基底、设置在基底上且具有位于装置区域正上方的第一区域以及位于环形区域正上方的第二区域的内连线结构、设置在内连线结构上方的第一钝化层、设置在第一钝化层上且位在第一区域正上方的多个接触垫、设置在第一钝化层上且位在第二区域正上方的第一接触垫环、设置在多个接触垫和第一接触垫环上方且位在第二区域正上方的第二钝
化层以及设置在第二钝化层的一部分上的聚合物层。第一接触垫环完全围绕第二区域。
[0010]优选地，所述接触垫中的每一者包括一第一宽度，其中该第一接触垫环包括大于该第一宽度的一第二宽度，且该第二宽度与该第一宽度的比值介于2和4之间。
[0011]优选地，该第二区域包括：一第一密封环壁，以闭环围绕该第一区域；一第二密封环壁，围绕该第一密封环壁；一第三密封环壁，围绕该第二密封环壁；以及一第四密封环壁，围绕该第三密封环壁。
[0012]优选地，该集成电路芯片更包括：一第一接触通孔环，延伸穿过该第一钝化层以垂直耦合该第一接触垫环和该第一密封环壁的一顶部金属层；一第二接触垫环，设置在该第一钝化层上且围绕该第一接触通孔环；一第二接触通孔环，延伸穿过该第一钝化层以将该第二接触垫环垂直耦合到该第三密封环壁的一顶部金属层；以及一第二接触垫环，设置在该第二接触通孔环和该第一钝化层上，其中该第二钝化层未设置在该第二接触垫环上方。
[0013]本技术实施例提供一种集成电路芯片，包括：具有装置区域和围绕装置区域的环形区域的基底、设置在基底上且具有位于装置区域正上方的第一区域和位于环形区域正上方的第二区域的内连线结构、设置在内连线结构上方的第一钝化层，设置在第一钝化层上方的第二钝化层以及设置在第二钝化层的内部而非第二钝化层的外部的聚合物层。第二钝化层的外部与第二区域垂直重叠。
附图说明
[0014]根据以下的详细说明并配合所附图式以更好地了解本公开实施例的概念。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图式中的各种特征未必按照比例绘制。事实上，可能任意地放大或缩小各种特征的尺寸，以做清楚的说明。在通篇说明书及图式中以相似的标号标示相似的特征。
[0015]图1绘示根据本公开的一或多个方面的基底的俯视图。
[0016]图2绘示根据本公开的一或多个方面的包括图1中的基底和设置在上方的内连线结构的集成电路(integrated circuit；IC)芯片的剖视图。
[0017]图3绘示根据本公开的一或多个方面的图2的集成电路芯片的俯视图。
[0018]图4绘示根据本公开的一或多个方面的设置在图1中基底的角落区域上方的内连线结构的一部分的放大局部俯视图。
[0019]图5绘示根据本公开的一或多个方面的设置在图1中基底的环形区域上方的内连线结构的一部分的放大局部剖视图。
[0020]图6绘示根据本公开的一或多个方面的图3中的集成电路芯片的俯视图，绘示范例性接触通孔环相对于集成电路芯片的其他特征如何定位。
[0021]图7绘示根据本公开的一或多个方面的图3中的集成电路芯片的俯视图，绘示范例性接触垫环相对于集成电路芯片的其他特征如何定位。
[0022]图8绘示根据本公开的一或多个方面的图3中的集成电路芯片的俯视图，绘示范例聚合物层相对于集成电路芯片的其他特征如何定位。
[0023]图9绘示根据本公开的一或多个方面的设置在图1中基底的装置区域上方的内连线结构的一部分的放大局部俯视图。
[0024]其中，附图标记说明如下：
[0025]100：基底
[0026]102：装置区域
[0027]104：环形区域
[0028]106：角落区域
[0029]106
‑
1：第一角落区域
[0030]106
‑
2：第二角落区域
[0031]106
‑
3：第三角落区域
[0032]106
‑
4：第四角落区域
[0033]1020：第一区域
[0034]1040：第二区域
[0035]1042：第一密封环壁
[0036]1044：第二密封环壁
[0037]1046：第三密封环壁
[0038]1048：第四密封环壁
[0039]120：主动区
[0040]124：栅极结构
[0041]128：源极/漏极接触
[0042]150：内连线结构
[0043]151：第一通孔条
[0044]152：第一金属线
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路芯片，其特征在于，包括：一基底，包括：一装置区域；以及一环形区域，围绕该装置区域；一内连线结构，设置于该基底上；一第一钝化层，设置于该内连线结构上方；一第一接触通孔环，嵌入于该第一钝化层中；一第一接触垫环，设置在该第一接触通孔环和该第一钝化层上；一第二钝化层，设置在该第一接触垫环上方；以及一聚合物层，设置在该第二钝化层的一部分上，其中该第一接触通孔环和该第一接触垫环完全围绕该装置区域。2.如权利要求1所述的集成电路芯片，其特征在于，该内连线结构包括：一第一密封环壁，设置在该环形区域上方，其中该第一接触通孔环延伸穿过该第一钝化层以接触该第一密封环壁的一顶部金属层；以及一第二密封环壁，设置在该环形区域上方且围绕该第一密封环壁。3.如权利要求2所述的集成电路芯片，其特征在于，更包括：一第二接触通孔环，延伸穿过该第一钝化层以接触该第二密封环壁的一顶部金属层；以及一第二接触垫环，设置在该第二接触通孔环和该第一钝化层上，其中该第二接触通孔环和该第二接触垫环完全围绕该装置区域，其中该第二钝化层未设置在该第二接触垫环上方。4.如权利要求1所述的集成电路芯片，其特征在于，该第一钝化层和该第二钝化层包括未掺杂的硅酸盐玻璃、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，该聚合物层包括环氧树脂、聚酰亚胺、苯并环丁烯或聚苯并恶唑，且该第一接触通孔环和该第一接触垫环包括铝、铜或铝铜。5.如权利要求1所述的集成电路芯片，其特征在于，该第一接触垫环包括位于该第一接触通孔环正上方的一凹槽。6.一种集成电路芯片，其特征在于，包括：一基底，包括：一装置区域；以及一环形区域，围绕该装置区域；一内连线结构，设置在该基底上且包括：一第一区域，位在该装置区域正上方；以及一第二区域，位在该环形区域正上方；一第一钝化层，设置在该...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈春宇，赖彦良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：