图像传感器及其形成方法技术

本公开的各种实施例关于一种图像传感器及其形成方法，该图像传感器包括用于增强按比例缩小的具有双PD布局的像素。像素跨越第一集成电路(IC)管芯和与第一IC管芯堆叠的第二IC管芯。该像素包括在第一IC管芯中的多个光电检测器，并且还包括分开在第一IC管芯和第二IC管芯之中的多个像素晶体管。多个光电检测器被分组为一个或多个对，每个对具有双PD布局。DTI结构完全地且单独地围绕多个光电检测器，并且进一步完全延伸穿过其中布置有多个光电检测器的衬底。这样，DTI结构将多个光电检测器彼此完全分离。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及图像传感器及其形成方法。

技术介绍

1、具有图像传感器的集成电路(ic)广泛用于各种现代电子设备，例如相机、手机等。图像传感器的类型包括例如互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器和电荷耦合器件(ccd)图像传感器。与ccd图像传感器相比，cmos图像传感器由于功耗低、尺寸小、数据处理快、数据直接输出和制造成本低而越来越受到青睐。

技术实现思路

1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种图像传感器，包括：第一集成电路管芯；第二集成电路管芯，与所述第一集成电路管芯堆叠；像素，跨越所述第一管芯和所述第二集成电路管芯，其中，所述像素包括所述第一集成电路管芯中的多个光电检测器和多个第一像素晶体管，并且还包括所述第二集成电路管芯中的多个第二像素晶体管，并且其中，所述多个第一像素晶体管单独于所述多个光电检测器并且分别与所述多个光检测器接界；以及深沟槽隔离结构，将所述多个光电检测器彼此分离。

2、根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种图像传感器，包括：第一半导体衬底；光电检测器的对，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图像传感器，包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一集成电路管芯包括半导体衬底，所述多个光电检测器布置在所述半导体衬底中，并且其中，所述深沟槽隔离结构完全延伸穿过所述半导体衬底并且单独地围绕所述多个光电检测器中的每个。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯包括单独的半导体衬底和单独的互连结构，其中，所述单独的互连结构位于所述单独的半导体衬底之间并且在接合界面处直接接触，并且其中，所述单独的互连结构包括布线和通孔的单独堆叠。

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【技术特征摘要】

1.一种图像传感器，包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一集成电路管芯包括半导体衬底，所述多个光电检测器布置在所述半导体衬底中，并且其中，所述深沟槽隔离结构完全延伸穿过所述半导体衬底并且单独地围绕所述多个光电检测器中的每个。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯包括单独的半导体衬底和单独的互连结构，其中，所述单独的互连结构位于所述单独的半导体衬底之间并且在接合界面处直接接触，并且其中，所述单独的互连结构包括布线和通孔的单独堆叠。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个第一像素晶体管包括传输晶体管，并且其中，所述第一集成电路管芯包括：

6.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：锺积贤，王子睿，萧家棋，王铨中，杨敦年，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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