【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及形成半导体结构的方法、电镀方法及再分布结构。
技术介绍
1、由于各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高是由于最小部件尺寸的反复减小，这允许将更多组件集成到给定区域中。
2、随着半导体器件中对更小且更具创新性的封装技术的需求不断增加，诸如叠层封装(pop)和衬底上晶圆上芯片(cowos)的先进的封装技术已经出现来提供更高的集成度和组件密度。集成扇出(info)封装技术是一项受到显著欢迎的技术，尤其是在与晶圆级封装(wlp)结合时。info封装件提供了紧凑的解决方案，具有高功能密度、低成本和卓越的性能。在info封装件中，再分布层(rdl)的形成在封装工艺期间起着重要作用。例如，rdl可以提供对半导体管芯的i/o连接件的重新分布访问。可以通过在铜晶种层上镀铜来形成rdl。尽管现有的电镀工艺总体上足以满足其预期目的，但它们并非在所有方面都是完全令人满意的。例如，现有技术可能由于铜沉积期间的负载效应而导致不同宽度的金属线的高度不...
【技术保护点】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属线的宽度大于所述第二金属线的宽度，并且所述第一金属线的高度大于所述第二金属线的高度，所述第一金属线与所述第二金属线的高度差小于约0.4μm。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属线的底部和所述第二金属线的底部所具有的晶粒尺寸小于所述第一金属线的顶部和所述第二金属线的顶部的晶粒尺寸。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属线的底部和所述第二金属线的底部所具有的表面粗糙度大于所述第一金属线的顶部和所述第二金属线的顶部的表面粗糙度。
5.根...
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属线的宽度大于所述第二金属线的宽度，并且所述第一金属线的高度大于所述第二金属线的高度，所述第一金属线与所述第二金属线的高度差小于约0.4μm。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属线的底部和所述第二金属线的底部所具有的晶粒尺寸小于所述第一金属线的顶部和所述第二金属线的顶部的晶粒尺寸。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属线的底部和所述第二金属线的底部所具有的表面粗糙度大于所述第一金属线的顶部和所述第二金属线的顶部的表面粗糙度。
5.根据权利要求1所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈殿豪，黄镇球，沈香谷，陈淑芳，赖英耀，张文苓，林其锋，张简鹏崇，蓝若琳，池芳仪，林敬伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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