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一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底上形成晶种层，在晶种层上形成光刻胶层，光刻胶层具有比第二开口宽的第一开口，以第一镀电流执行电镀工艺，以在第一开口中生长第一金属线的底部并且在第二开口中生长第二金属线的底部，以大于第一镀电流的第二镀电流继...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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