用于半导体装置的接地组件制造方法及图纸

一种半导体装置包括天线阵列和接地组件，所述接地组件被配置成至少部分地电屏蔽所述天线阵列。所述接地组件包括第一接地层和第二接地层，所述第一接地层包括第一多个开口，所述第二接地层包括第二多个开口，其中当从所述天线阵列上方观察时，所述第二接地层至少部分地遮挡所述第一接地层的所述第一多个开口。地遮挡所述第一接地层的所述第一多个开口。地遮挡所述第一接地层的所述第一多个开口。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体装置的接地组件


[0001]本说明书涉及用于电屏蔽半导体装置中的部件的接地组件。

技术介绍

[0002]半导体装置的许多部件，例如天线阵列，需要电屏蔽以改进性能并且确保不同部件之间的充分隔离。电屏蔽通常由半导体装置中的接地组件提供，所述接地组件吸收或反射杂散电磁(EM)信号。
[0003]理想地，接地组件使部件(例如，天线阵列)与所有不合需要的EM信号完全屏蔽或隔离。为了试图实现这一点，已知使用实心接地平面，如附图中的图1中所示。然而，由于翘曲、可靠性、成出率和特征分辨率原因，许多半导体制造技术禁止大的实心金属区域。

技术实现思路

[0004]在随附的独立权利要求和附属权利要求中阐述本公开的各方面。来自附属权利要求的特征的组合可在适当时与独立权利要求的特征组合，而不仅仅是按权利要求中明确地陈述的那样组合。
[0005]根据本公开的一方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括天线阵列和接地组件，所述接地组件被配置成至少部分地电屏蔽所述天线阵列。所述接地组件包括第一接地层和第二接地层，所述第一接地层包括第一多个开口，所述第二接地层包括第二多个开口，其中当从所述天线阵列上方观察时，所述第二接地层至少部分地遮挡所述第一接地层的所述第一多个开口。
[0006]因此，当从天线阵列上方观察时，所述第二接地层至少部分地阻挡所述第一接地层的所述第一多个开口。
[0007]应了解，
‘
当从天线阵列上方观察时
’
意指当从平行于天线阵列的表面法线的方向观察时。
[0008]换句话说，当从垂直于天线阵列的表面的方向观察时，所述第二接地层至少部分地遮挡所述第一接地层的所述第一多个开口。
[0009]所述第一接地层可包括包围所述第一多个开口的实心壁，并且所述第二接地层可包括包围所述第二多个开口的实心壁，其中所述第二接地层的所述实心壁至少部分地阻挡所述第一多个开口。
[0010]任选地，所述第一接地层电耦合到所述第二接地层。例如，所述第一接地层可通过一个或多个通孔电耦合到所述第二接地层。
[0011]任选地，所述第一接地层包括网或金属网，或由网或金属网组成。
[0012]任选地，所述第二接地层包括网或金属网，或由网或金属网组成。
[0013]任选地，所述第一接地层和所述第二接地层布置成堆叠。换句话说，可将所述第一接地层布置或堆叠在第二接地层上方。
[0014]任选地，当从所述天线阵列上方观察时，所述第一多个开口相对于所述第二多个
开口偏移。
[0015]任选地，当从所述天线阵列上方观察时，所述第二多个开口完全遮挡所述第一多个开口。
[0016]任选地，所述第一多个开口各自具有相对于所述第二多个开口不同的大小和/或形状。
[0017]在一些实施例中，所述第一多个开口中的每个开口可具有与所述第二多个开口中的每个开口相同的大小和形状。所述第二多个开口可从所述第一多个开口偏移，使得所述第二多个开口不与所述第一多个开口对齐。
[0018]任选地，至少一个导体从所述天线阵列延伸穿过所述第一接地层和所述第二接地层，其中所述至少一个导体与所述接地组件电隔离。在一些实施例中，所述至少一个导体可以是传输线或带状线导体。
[0019]所述接地组件可另外包括第三接地层，所述第三接地层包括第三多个开口。因此，当从天线阵列上方观察时，第三接地层可至少部分地遮挡所述第二接地层的所述第二多个开口。
[0020]因此，当从天线阵列上方观察时，所述第三接地层可至少部分地遮挡所述第一接地层的第一多个开口。
[0021]任选地，当从所述天线阵列上方观察时，所述第三多个开口相对于所述第二多个开口和所述第一多个开口偏移。
[0022]任选地，当从所述天线阵列上方观察时，所述第三多个开口可完全遮挡所述第二多个开口。
[0023]任选地，所述半导体装置可包括集成电路封装。应了解，可贯穿本公开互换地使用
‘
封装
’
和
‘
集成电路封装
’
。
[0024]可在所述集成电路封装中提供所述接地组件。所述天线阵列可安装到所述集成电路封装或含于所述集成电路封装中。
[0025]因此，所述封装可以是封装中天线(antenna
‑
in
‑
package，AiP)封装或封装中启动器(launcher
‑
in
‑
package，Lip)封装。所述封装可以是封装上天线(antenna
‑
on
‑
package，AoP)封装，或天线阵列可附接到所述封装作为封装上封装(package
‑
on
‑
package，PoP)。在一些实施例中，可将天线阵列提供在封装外部。
[0026]任选地，天线阵列可以是相控天线阵列。任选地，天线阵列可包括贴片天线阵列。
[0027]在另一方面，本公开提供一种制造半导体装置的方法，所述方法包括提供天线阵列以及通过提供接地组件而至少部分地电屏蔽所述天线阵列。提供接地组件包括提供包括第一多个开口的第一接地层和包括第二多个开口的第二接地层，其中当从所述天线阵列上方观察时，所述第二接地层至少部分地遮挡所述第一接地层的所述第一多个开口。
[0028]所述方法可包括提供包括第三多个开口的第三接地层，其中当从所述天线阵列上方观察时，所述第三多个开口至少部分地遮挡所述第二多个开口。
[0029]所述方法可以是根据本公开的任何实施例或例子的制造半导体装置的任何方法。
[0030]任选地，所述半导体装置可包括集成电路封装。
[0031]所述方法可包括将所述接地组件包覆在所述集成电路封装中。
[0032]任选地，所述方法可包括将所述天线阵列安装在所述封装上或安装到所述封装。
[0033]任选地，所述方法可包括将所述天线阵列包覆在所述封装中。
[0034]应了解，管芯可如本公开的任何上文例子或实施例中所定义。
附图说明
[0035]下文将仅借助于例子参考附图来描述本公开的说明性实施例，在附图中相同的附图标记涉及相同的元件，并且其中：
[0036]图1示出包括接地组件的半导体装置的现有技术例子；
[0037]图2示出包括接地组件的半导体装置的另一现有技术例子；
[0038]图3示出根据本公开的实施例的半导体装置；
[0039]图4示出根据本公开的另一实施例的半导体装置；
[0040]图5示出根据本公开的实施例的第一接地层和第二接地层的示意性平面图；
[0041]图6示出根据本公开的另一实施例的第一接地层和第二接地层的示意性平面图；以及
[0042]图7示出根据本公开的另一实施例的第一接地层和第二接地层的示意性平面图。
具体实施方式
[004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：天线阵列；以及接地组件，其被配置成至少部分地电屏蔽所述天线阵列，其中所述接地组件包括：第一接地层，其包括第一多个开口；以及第二接地层，其包括第二多个开口，其中当从所述天线阵列上方观察时，所述第二接地层至少部分地遮挡所述第一接地层的所述第一多个开口。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一接地层包括包围所述第一多个开口的实心壁，并且所述第二接地层包括包围所述第二多个开口的实心壁，其中所述第二接地层的所述实心壁至少部分地阻挡所述第一多个开口。3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一接地层电耦合到所述第二接地层。4.根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述第一接地层和/或所述第二接地层包括网。5.根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述第一接地层和所述第二接地层布置成堆叠。6.根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：慕斯塔法，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：