封装件及其制造方法技术

技术编号:41730705 阅读:28 留言:0更新日期:2024-06-19 12:52
一种制造封装件的方法包括在第一衬底上形成第一再分布结构;在第二衬底上形成波导结构,其中,波导结构包括波导;使用电介质对电介质接合将波导结构接合至第一再分布结构;去除第二衬底;在波导结构上形成第二再分布结构;以及将光子封装件连接到第二再分布结构,其中光子封装件光耦合至波导。本发明专利技术的实施例还提供了封装件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及封装件及其制造方法


技术介绍

1、电信号和处理是信号传输和处理的一种技术。高带宽网络和高性能计算已变得越来越流行并广泛应用于先进的封装应用中,特别是在服务器、a.i.(人工智能)、超级计算及相关产品。然而,许多现有的使用铜互连的解决方案无法在提供增加的带宽和数据速率的同时满足低插入损耗要求、低延迟要求和低功耗要求。


技术实现思路

1、本专利技术的一些实施例提供了一种制造封装件的方法,该方法包括:在第一衬底上形成第一再分布结构;在第二衬底上形成波导结构,其中,波导结构包括多个波导;使用电介质对电介质接合将波导结构接合至第一再分布结构;去除第二衬底;在波导结构上形成第二再分布结构;以及将光子封装件连接至第二再分布结构,其中,光子封装件光耦合至多个波导。

2、本专利技术的另一些实施例提供了一种制造封装件的方法,该方法包括:形成第一中介层,包括:在第一衬底上方形成多个第一波导;在多个第一波导上方形成第一介电层;和对多个第一波导进行退火;和将第一介电层接合至第一再分布结构;以及将管芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造封装件的方法,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,还包括在将所述波导结构接合至所述第一再分布结构之前对所述波导结构执行热处理工艺。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述热处理包括大于1000℃的退火温度。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个波导为氮化硅波导。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二再分布结构电连接至所述波导结构。

6.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述第一衬底中形成贯通孔,其中,所述贯通孔电连接至所述第一再分布结构。

7.根据权利要求6所述的方法,还包括将所述第一...

【技术特征摘要】

1.一种制造封装件的方法,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,还包括在将所述波导结构接合至所述第一再分布结构之前对所述波导结构执行热处理工艺。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述热处理包括大于1000℃的退火温度。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个波导为氮化硅波导。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二再分布结构电连接至所述波导结构。

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【专利技术属性】
技术研发人员:余振华吴俊毅
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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