【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及使用反转扩散电阻的热传感器。
技术介绍
1、在热感测中，一些装置利用p/n结，例如双极结型晶体管(bjt)中的基极-射极结或二极管中的p/n结，来测量所述装置中的热点的温度。例如，恒定电流经过基极-射极结以在bjt的基极与射极之间产生电压。此基极-射极电压vbe是绝对温度的线性函数且总正向电压降具有近似2毫伏(mv)/摄氏度(℃)的温度系数。金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)电路有时包含衬底内的n阱扩散层以促进p/n结热传感器的使用。然而，较新过程不包含n阱扩散层，使得难以形成用于热感测的p/n结。再者，尽管亚阈值mosfet操作可用来执行热感测，但通常亚阈值mosfet的性能是不一致的。另外，电阻温度检测器(rtd)可用于热感测。然而，rtd使用金属进行热感测，其中底层金属通常经保留用于绕线且上层金属通常远离被监测热点。
技术实现思路
1、根据本技术实施例，一种半导体装置包括：串联电连接的第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于其包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的一者的所述第二漏极/源极区是与所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的相邻者的所述第一漏极/源极区共享。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于如果所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一者是n型晶体管，那么所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一者的所述第一栅极结构电连接到正电压。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于如果所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一者是p型晶体管...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于其包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的一者的所述第二漏极/源极区是与所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的相邻者的所述第一漏极/源极区共享。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于如果所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一者是n型晶体管，那么所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一者的所述第一栅极结构电连接到正电压。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于如果所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一者是p型晶体管，那么所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一者的所述第一栅极结构电连接到接地。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于所述第一多个金...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪照俊，刘思麟，彭永州，李胜高，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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