一种记忆体及其操作方法，记忆体包含一记忆体装置、一读取装置及一反馈装置。该记忆体装置储存多个位元。该读取装置包含耦接至该记忆体装置的第一读取电路及第二读取电路。该第二读取电路在一第一节点处耦接至该第一读取电路。该第一读取电路及该第二读取...

一种半导体装置及其制造方法及系统，半导体装置包括第一金属层、第二金属层、及至少一导电通孔。第一金属层具有沿第一方向延伸的第一导体及沿第一方向延伸的第二导体，其中第二导体直接相邻于第一导体。第二金属层具有沿第二方向延伸的第三导体，其中第二...

根据本公开实施例的一半导体结构包括设置在一基板上方的一电路区域以及设置在基板上方且完全地环绕电路区域的一密封环区域。电路区域包括多个第一鳍片、多个第二鳍片、在第一鳍片上方的多个n型外延结构、以及在第二鳍片上方的多个p型外延结构。密封环区...

本发明实施例有关于包含工艺腔的离子束蚀刻系统。工艺腔包含被配置以提供等离子体的等离子体室。此外，工艺腔包含加速器栅，上述加速器栅具有包含第一加速器栅元件及第二加速器栅元件的多个加速器栅元件。第一导线耦接至第一加速器栅元件，被配置以将第一...

本公开提供一种方法，包括形成互连组件，互连组件包括包含有机介电材料的介电层和延伸到介电层中的再分布线。此方法还包括将第一封装组件和第二封装组件接合到互连组件、将第一封装组件和第二封装组件封装在密封剂中、以及使用刀片预切割互连组件以形成沟...

一种半导体装置，包括在基板上沿第一方向延伸的半导体鳍结构和平行于鳍结构延伸的第一电介质鳍结构，第一电介质鳍结构位于栅极结构下方，栅极结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸。装置还包括平行于鳍结构延伸的第二电介质鳍结构，第二电介质鳍结构位于栅...

提供一种半导体装置及其制造方法，包含形成鳍片结构，其包含设置于底部鳍片结构上方的多个第一半导体层与多个第二半导体层的堆叠层以及位于堆叠层上方的硬遮罩层，形成隔离绝缘层使得硬遮罩层以及堆叠层自隔离绝缘层露出，形成牺牲披覆层于所露出的硬遮罩...

提供集成电路芯片以及密封环结构。根据本公开的一种集成电路芯片包括基板以及位于基板上方的第一互连层。第一互连层包括第一装置区域和围绕第一装置区域的第一环区域。第一环区域包括完全围绕第一装置区域的第一壁以及完全围绕第一装置区域和第一壁的第二...

半导体装置的制作方法，包括：形成至少一鳍状物于基板上；形成多个虚置栅极于至少一鳍状物上；并形成侧壁间隔物于虚置栅极上。外延形成源极与漏极区以接触至少一鳍状物并与虚置栅极横向相邻，其中形成源极与漏极区的步骤留下孔洞于源极与漏极区之下并与虚...

一种半导体装置，包括基板；第一半导体通道位于基板上；第二半导体通道位于基板上且横向偏离第一半导体通道；以及第三半导体通道位于基板上并横向偏离第二半导体通道。第一、第二及第三栅极结构，分别位于第一、第二及第三半导体通道上并分别横向围绕第一...

一种集成电路的制造方法，包括形成N型及P型全绕式栅极晶体管以及核心全绕式栅极晶体管。上述方法沉积用于P型晶体管的金属栅极层。上述方法与P型晶体管的金属栅极层一起原位形成钝化层。成钝化层。成钝化层。

一种集成电路装置和制造集成电路的方法，集成电路装置包括第一类型主动区域半导体结构、第一栅极导体、与第一类型主动区域半导体结构堆叠的第二类型主动区域半导体结构、以及第二栅极导体。集成电路装置也包括高于两个主动区域半导体结构的前侧导电层、和...

本案揭示一种复合叉状装置，包括第一叉指及与第一叉指分隔开的第二叉指，第一叉指及第二叉指之每一者具有上部表面及相对于上部表面呈凹陷的下部表面。第一叉指及第二叉指的上部表面被构型为协作地支持第一类型容器。第一叉指及第二叉指的下部表面被构型为...

一种形成半导体装置的方法包括形成光阻层在遮罩层上、图案化光阻层、以及形成氧化层在已图案化的光阻层的暴露表面上。使用已图案化的光阻层作为遮罩以图案化遮罩层。使用已图案化的遮罩层作为遮罩以图案化目标层。案化的遮罩层作为遮罩以图案化目标层。案...

本发明的实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底。半导体器件还包括在衬底的第一侧上的波导。半导体器件还包括在衬底的与衬底的第一侧相对的第二侧上的光电探测器(PD)。半导体器件还包括将PD与波导光学连接的光贯通孔(OTV)...

一种用于收集可固化材料的残留物的半导体设备和方法。半导体设备包括包含晶片匣的腔室以及设置在腔室中以用于在腔室中收集可固化材料的残留物的收集模块。收集模块包括设置在腔室的顶板下面的导流结构、设置在导流结构下面的挡板结构以及设置在晶片匣上的...

本发明实施例是有关于一种半导体装置、存储单元和其形成方法。一种存储单元包括存储装置、连接结构、绝缘层以及选择器。连接结构设置在存储装置上并电性连接至存储装置。绝缘层覆盖存储装置和连接结构。选择器位于存储装置上并电性连接至存储装置，其中选...

一种反射型罩幕及其制造方法，反射型罩幕包括基板、设置于基板上方的下反射多层、设置于下反射多层上方的中间层、设置于中间层上方的上反射多层、设置于上反射多层上方的覆盖层、及设置于形成于上反射层中且在中间层上方的沟槽中的吸收层。中间层包括除了...

本申请涉及一种承载装置和晶圆冷却系统。承载装置用于晶圆冷却系统，晶圆冷却系统包括用于支撑和冷却晶圆的基座，承载装置包括主体构件和多个支撑构件，主体构件用于环绕基座设置，并能够相对于基座沿第一方向移动；多个支撑构件用于支撑晶圆沿第一方向移...

本申请涉及一种定位装置及晶圆夹持系统，所述定位装置用于晶圆夹持系统，所述定位装置包括支撑机构和定位机构；定位机构包括本体部和限位部，本体部设置于支撑机构上，限位部与本体部连接且相对于本体部凸出，限位部和本体部之间围合形成容纳腔，容纳腔的...