记忆体及其操作方法技术

一种记忆体及其操作方法，记忆体包含一记忆体装置、一读取装置及一反馈装置。该记忆体装置储存多个位元。该读取装置包含耦接至该记忆体装置的第一读取电路及第二读取电路。该第二读取电路在一第一节点处耦接至该第一读取电路。该第一读取电路及该第二读取电路彼此协作以基于所述多个位元中的至少一个第一位元来在该第一节点处产生一第一电压信号。该反馈装置基于该第一电压信号来调整该第一读取电路或该第二读取电路中的至少一者。该第一读取电路及该第二读取电路在该第一读取电路或该第二读取电路中的该至少一者由该反馈装置调整之后产生对应于所述多个位元的一第二电压信号，该第二电压信号与该第一电压信号不同。该第二电压信号与该第一电压信号不同。该第二电压信号与该第一电压信号不同。

【技术实现步骤摘要】
记忆体及其操作方法


[0001]本揭示内容是关于一种记忆体及记忆体的操作方法。

技术介绍

[0002]记忆体通常用于储存数据。为了读取储存于记忆体中的数据，记忆体产生对应于储存在记忆体中的数据的信号。信号的电压位准对应于数据的位元值。数据的不同位元值对应于信号的不同电压位准。通过分析信号的电压位准，读取的数据的至少一部分能够是已知的。

技术实现思路

[0003]本揭示内容包含一种包含记忆体装置、读取装置及反馈装置的记忆体。记忆体装置用以储存多个位元。读取装置包含第一读取电路及第二读取电路。第一读取电路耦接至记忆体装置。第二读取电路耦接至记忆体装置，且在第一节点处耦接至第一读取电路。第一读取电路及第二读取电路用以彼此协作以基于多个位元中的至少一个第一位元来在第一节点处产生第一电压信号。反馈装置用以基于第一电压信号来调整第一读取电路及第二读取电路中的至少一者。第一读取电路及第二读取电路用以在第一读取电路及第二读取电路中的至少一者由反馈装置调整之后产生对应于多个位元的第二电压信号，第二电压信号与第一电压信号不同。
[0004]本揭示内容包含一种包含记忆体装置、读取装置、读出装置及反馈装置的记忆体。读取装置耦接至记忆体装置，且用以读取储存于记忆体装置中的数据以产生第一电压信号，第一电压信号对应于第一电压分布曲线。读出装置用以读出第一电压信号且用以产生多个数字信号，数字信号对应于所读出的第一电压信号。反馈装置用以回应于数字信号而产生至少一个控制信号，以用于控制读取装置产生第二电压信号，第二电压信号对应于与第一电压分布曲线不同的第二电压分布曲线。
[0005]本揭示内容包含一种记忆体的操作方法，包含：由互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，CMOS)电路产生与储存于记忆体装置中的数据相关联的第一电压信号，其中第一电压信号的电压位准对应于第一电压分布曲线；读出第一电压信号以产生与数据的至少一个第一位元相关联的数字信号；及根据数字信号控制CMOS电路产生第二电压信号，其中第二电压信号对应于数据，且第二电压信号的电压位准对应于第二电压分布曲线，第二电压分布曲线具有与第一电压分布曲线的移位或具有与第一电压分布曲线不同的轮廓。
附图说明
[0006]在结合随附附图阅读以下详细描述时可最佳地理解本揭示内容的各个态样。应注意，根据业界的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。实际上，各种特征的尺寸可出于讨论的清晰起见而任意地增大或减小。
[0007]图1为根据本揭示内容的一些实施例的记忆体的示意图；
[0008]图2为表示根据本揭示内容的一些实施例的电压信号的电压位准与图1中所示出的数据的位元值之间的关系的电压分布曲线的图；
[0009]图3A为根据本揭示内容的一些实施例的对应于图1中所示出的记忆体的记忆体的电路图；
[0010]图3B为根据本揭示内容的一些实施例的对应于图3A中所示出的逻辑单元的逻辑单元的电路图；
[0011]图4为根据本揭示内容的一些实施例的对应于图1中所示出的记忆体的记忆体的电路图；
[0012]图5为根据本揭示内容的一些实施例的图1、图3A及图4中所示出的记忆体产生电压信号的方法的流程图；
[0013]图6A及图6B为表示根据本揭示内容的一些实施例的电压信号的电压位准与图4中所示出的数据的位元值之间的关系的电压分布曲线的图；
[0014]图6C及图6D为表示根据本揭示内容的一些实施例的电压信号的电压位准与图4中所示出的数据的位元值之间的关系的电压分布曲线的图。
[0015]【符号说明】
[0016]100、300、400:记忆体
[0017]110、310、410:记忆体装置
[0018]120、320、420:读取装置
[0019]122、124、322、324、422、424:读取电路
[0020]130、330、430:读出装置
[0021]140、340、440:反馈装置
[0022]200、600A、600B、600C、600D:图
[0023]301、342、344、442、444、446、448:逻辑单元
[0024]500:方法
具体实施方式
[0025]以下揭示内容提供了用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下面描述元件、材料、值、步骤、配置或类似者的具体实例以简化本揭示内容。当然，这些仅仅为实例并且不意欲作为限制。考虑了其他元件、材料、值、步骤、配置或类似者。举例而言，在以下描述中，在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包含第一特征及第二特征直接接触地形成的实施例，且也可包含可在第一特征与第二特征之间形成有附加特征以使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施例。此外，本揭示内容可在各种实例中重复附图标记及/或字母。此重复是出于简单及清晰的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例及/或组态之间的关系。
[0026]另外，为易于描述，在本文中可使用诸如“在
……
之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者的空间相对术语来描述如图中所说明的一个部件或特征与另一部件或特征的关系。除了图中所描绘的定向之外，空间相对术语亦意欲涵盖装置在使用或操作中的不同定向。装置可以其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)，且本文中所使用的空间相
对描述词可同样相应地进行解译。术语遮罩、光刻遮罩、光罩及倍缩光罩用于指相同项。
[0027]贯穿以下描述及申请专利范围应用的术语通常具有这些术语在所属领域中或使用每一术语的具体上下文中明确建立的普通含义。熟悉此项技术者应了解，元件或工艺可由不同名称提及。本说明书中详述的许多不同实施例仅仅为说明性的，且不以任何方式限制本揭示内容或任何例示性术语的范畴及精神。
[0028]值得注意的是，本文中用于描述各种部件或工艺的诸如“第一”及“第二”的术语旨在将一个部件或工艺与另一部件或工艺区分开。然而，其部件、工艺及序列应受这些术语的限制。举例而言，在不脱离本揭示内容的范畴的情况下，第一部件可被称作第二部件，且第二部件可类似地被称作第一部件。
[0029]在以下论述及申请专利范围中，术语“包括”、“包含”、“含有”、“具有”、“涉及”及类似者应被理解为开放式的，亦即，应被解释为包含但不限于。如本文中所使用，并非相互排斥，而是术语“及/或”包含相关联的所列项中的任一者及相关联的所列项中的一者或多者的所有组合。
[0030]图1为根据本揭示内容的一些实施例的记忆体100的示意图。如图1中说明性地示出，记忆体100包含记忆体装置110、读取装置120、读出装置130及反馈装置140。在一些实施例中，记忆体装置110实施为相变随机存取记忆体(phase change random access memory，PCRAM)。在一些实施例中，读取装置120实施为互补金属氧化物半导体(compl本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种记忆体，其特征在于，包括：一记忆体装置，用以储存多个位元；一读取装置，包括：一第一读取电路，耦接至该记忆体装置；及一第二读取电路，耦接至该记忆体装置，且在一第一节点处耦接至该第一读取电路，其中该第一读取电路及该第二读取电路用以彼此协作以基于所述多个位元中的至少一个第一位元来在该第一节点处产生一第一电压信号；及一反馈装置，用以基于该第一电压信号来调整该第一读取电路及该第二读取电路中的至少一者，其中该第一读取电路及该第二读取电路用以在该第一读取电路及该第二读取电路中的该至少一者由该反馈装置调整之后产生对应于所述多个位元的一第二电压信号，该第二电压信号与该第一电压信号不同。2.如权利要求1所述的记忆体，其特征在于，该反馈装置进一步用以回应于该至少一个第一位元具有一第一位元值而调整该第一读取电路，且回应于该至少一个第一位元具有与该第一位元值不同的一第二位元值而调整该第二读取电路。3.如权利要求1所述的记忆体，其特征在于，该反馈装置进一步用以调整该第一读取电路及该第二读取电路中的该至少一者的一电阻以调整该第一节点的一电压位准。4.如权利要求1所述的记忆体，其特征在于，该反馈装置包括：一第一逻辑单元，用以回应于该第一电压信号具有一第一位元值而产生一第一控制信号；且该第一读取电路包括：一第一晶体管，耦接至该第一节点，且用以被该第一控制信号控制。5.一种记忆体，其特征在于，包括：一记忆体装置；一读取装置，耦接至该记忆体装置，且用以读取储存于该记忆体装置中的数据以产生多个第一电压信号，所述多个第一电压信号对应于一第一电压分布曲线；一读出装置，用以读出所述多个第一电压信号且用以产生多个数字信号，所述多个数字信号对应于所读出的所述多个第一电压信号；及一反馈装置，用以回应于所述多个数字信号而产生至少一个控制信号，以用于控制该读取装置产生多个第二电压信号，所述多个第二电压信号对应于与该第一电压分布曲线不同的一第二电压分布曲线。6.如权利要求5所述的记忆体，其特征在于，该第二电压分布曲线的一第一电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：张孟凡，邱砚晟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：