半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括基板；第一半导体通道位于基板上；第二半导体通道位于基板上且横向偏离第一半导体通道；以及第三半导体通道位于基板上并横向偏离第二半导体通道。第一、第二及第三栅极结构，分别位于第一、第二及第三半导体通道上并分别横向围绕第一、第二及第三半导体通道。第一非有源鳍状物位于第一与第二栅极结构之间；以及第二非有源鳍状物位于第二与第三栅极结构之间。桥导体层位于第一、第二、与第三栅极结构及第一与第二非有源鳍状物上。介电插塞自第二非有源鳍状物的上表面延伸穿过桥导体层至桥导体层的至少上表面。过桥导体层至桥导体层的至少上表面。过桥导体层至桥导体层的至少上表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术实施例涉及半导体装置，尤其涉及场效晶体管如平面场效晶体管、三为鳍状场效晶体管、或全绕式栅极装置。

技术介绍

[0002]半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(比如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作工艺所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺通常有利于增加产能与降低相关成本。尺寸缩小亦增加处理与制造集成电路的复杂度。

技术实现思路

[0003]在至少一实施例中，半导体装置包括基板；第一半导体通道，位于基板上；第二半导体通道，位于基板上且横向偏离第一半导体通道；第三半导体通道，位于基板上并横向偏离第二半导体通道；第一栅极结构，位于第一半导体通道上并横向围绕第一半导体通道；第二栅极结构，位于第二半导体通道上并横向围绕第二半导体通道；第三栅极结构，位于第三半导体通道上并横向围绕第三半导体通道；第一非有源鳍状物，位于第一栅极结构与第二栅极结构之间；第二非有源鳍状物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一基板；一第一半导体通道，位于该基板上；一第二半导体通道，位于该基板上且横向偏离该第一半导体通道；一第三半导体通道，位于该基板上并横向偏离该第二半导体通道；一第一栅极结构，位于该第一半导体通道上并横向围绕该第一半导体通道；一第二栅极结构，位于该第二半导体通道上并横向围绕该第二半导体通道；一第三栅极结构，位于该第三半导体通道上并...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱熙甯，江国诚，王志豪，程冠伦，陈冠霖，潘冠廷，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：