半导体结构的形成方法技术

本公开提供一种半导体结构的形成方法。根据本公开的方法，包括：提供一工作部件，包括多个有源区(其包括通道区及源极/漏极区)以及在通道区与多个有源区相交的多个虚置栅极堆叠。虚置栅极堆叠包括一装置部及一端部。上述方法还包括：沉积一栅极间隔件于工作部件上；异向性蚀刻工作部件，以凹陷源极/漏极区，并由栅极间隔件层形成一栅极间隔件；形成一图案化的光刻胶层于工作部件上，以露出装置部及凹陷的源极/漏极区，同时覆盖端部；以及在形成图案化的光刻胶层之后，外延形成一源极/漏极特征部件于凹陷的源极/漏极区上。于凹陷的源极/漏极区上。于凹陷的源极/漏极区上。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种半导体技术，尤其涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit,IC)产业经历了快速的增长。集成电路(IC)在材料及设计方面的技术进步产生了一代又一代的集成电路(IC)，每一代都比上一代的电路更小、更复杂。在集成电路(IC)的发展过程中，功能密度(即，每芯片面积上的内连接装置数量)普遍增加，而几何尺寸(即，使用制造工序可以形成的最小部件(或线路))却为缩小。此微缩工艺通常通过提高生产效率及降低相关成本而来提供诸多益处。此微缩也增加了工艺及制造集成电路(IC)的复杂性。
[0003]举例来说，随着集成电路(IC)技术向更小的技术世代发展，已引入多栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(multi
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gate MOSFET，或多栅极装置)，以通过增加栅极通道耦合、减少导通
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截止电流及降低短通道效应(short
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channel effect,SCE)来改善栅极控制。多栅极装置一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，包括：提供一个工作部件，其包括：多个有源区，包括多个通道区及多个源极/漏极区；以及多个虚置栅极堆叠，在多个所述通道区与多个所述有源区相交，多个所述虚置栅极堆叠包括一装置部及一端部；沉积一栅极间隔件层于该工作部件上；异向性蚀刻该工作部件以凹陷多个所述源极/漏极区，且由该栅极间隔件层形成一栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄铭扬，张永丰，谢东衡，杨宝如，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：