半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括在基板上沿第一方向延伸的半导体鳍结构和平行于鳍结构延伸的第一电介质鳍结构，第一电介质鳍结构位于栅极结构下方，栅极结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸。装置还包括平行于鳍结构延伸的第二电介质鳍结构，第二电介质鳍结构位于栅极切割部件下方。第一电介质鳍结构的顶面高于第二电介质鳍结构的顶面。鳍结构的顶面。鳍结构的顶面。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本公开实施例涉及半导体装置及其制造方法，尤其涉及场效晶体管的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业经历了快速的成长。半导体材料及设计上的技术进步已产生了数个世代的半导体装置，其中每一世代皆比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进期间，功能密度(也就是说，单位芯片面积的内连线装置数目)通常会增加而几何尺寸(也就是说，可使用工艺生产的最小元件(或线))却减少。此微缩化的工艺通常会提供增加生产效率及降低相关成本的助益。这种微缩化还增加了集成电路结构(例如三维(3D)晶体管)和加工的复杂性，为了实现这些进步，需要在集成电路处理和制造方面进行类似的发展。例如，当装置尺寸继续微缩时，装置性能(例如与各种缺陷相关的装置性能下降)和场效晶体管的制造成本变得更具挑战性。虽然解决这种挑战的方法通常已大致符合需求，但并非在各方面皆令人满意。

技术实现思路

[0003]本公开一些实施例提供一半导体装置。半导体装置包括在基板上沿第一方向延伸的半导体鳍结构和平行于半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一半导体鳍结构，在一基板上沿一第一方向延伸；一第一电介质鳍结构，平行于该半导体鳍结构延伸，该第一电介质鳍结构位于一栅极结构下方，该栅极结构沿垂直于该第一方向的...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：