本实用新型提出一种半导体装置。半导体装置与相关方法可用于形成栅极结构。半导体装置包括鳍状物自基板延伸。鳍状物包括多个半导体通道层。半导体装置还包括栅极介电层，围绕每一半导体通道层。半导体通道层的最顶部的半导体通道层的上表面上的栅极介电层...

本公开描述了一种半导体封装结构及其形成方法，该半导体封装结构包括具有第一侧和第二侧的衬底、设置在衬底的第一侧上的器件层，在器件层的背侧具有故障检测区，器件层的背侧表面被配置为发射指示器件层中是否存在缺陷的信号，第一互连结构设置在器件层的...

半导体装置包括鳍状物沿着鳍状物方向延伸于基板上；以及第一与第二源极/漏极结构位于鳍状物上。半导体装置亦包括半导体层堆叠位于鳍状物的第一部分之上以及第一与第二源极/漏极结构之间。半导体装置更包括栅极结构沿着栅极方向延伸于半导体层堆叠上，栅...

一种集成电路器件包括数控振荡器(DCO)、两个电荷共享电容器、两个电荷共享开关、两个预充电开关和两个DAC。DCO具有第一反相器和第二反相器。第一电荷共享电容器的第一端子通过第一电荷共享开关耦接到第一反相器的输入端子。第一DAC具有通过...

本发明实施例涉及用于金属图案的钝化层结构。本文提供了一种半导体元件及其制造方法。前述半导体元件可以包含衬底、第一通孔、第一衬垫、第二衬垫以及第一钝化层。所述第一衬垫可以位于所述衬底上方。所述第二衬垫可以位于所述衬底上方。所述第二衬垫可以...

本公开总体涉及半导体器件及制造方法。提供了半导体器件及制造方法。在一些实施例中，方法包括：在第一硬掩模材料之上沉积蚀刻停止层，该第一硬掩模材料在栅极堆叠之上；在蚀刻停止层之上沉积层间电介质；穿过层间电介质、蚀刻停止层和第一硬掩模材料形成...

一种对位喷嘴夹具，用于对包括对位喷嘴区块的光刻胶涂布机臂进行定心。对位喷嘴夹具还包括：内窥镜固持件，可移除地固定到对位喷嘴区块的底部；内窥镜；以及对位标记，与对位喷嘴区块相对地可移除地耦合到内窥镜固持件。对位喷嘴夹具由涂布机臂从喷嘴槽取...

集成电路装置包括半导体基板、于半导体基板的表面的主动区、栅极电极、于栅极电极的相对两侧上的主动区中的源极区与漏极区以形成晶体管、连接至多个第一电接触的主动导电图案以及连接至多个第一热接触的虚拟导电图案。多个第一电接触用以向晶体管施加多个...

本公开提供一种方法，包含在第一封装组件的顶部表面的第一部分上执行第一激光照射。第一封装组件在第二封装组件上方，且通过第一激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第一焊料区。在第一激光照射后，在第一封装组件的顶部表面的第二部分上执行...

本申请实施例提供一种晶圆盒的输送装置，输送装置包括基架和输送机构；输送机构包括沿基架的第一方向间隔设置的两个输送单元，两个输送单元的输送方向相反，每个输送单元包括沿第二方向延伸的直线模组以及与直线模组连接的承载模组，直线模组用于驱动承载...

本申请实施例提供一种用于制造半导体的激光角度辅助调节装置，包括壳体和光学组件，壳体开设有收容空间，壳体包括干涉区；光学组件设置于收容空间内，光学组件可接收激光源的激光光束，光学组件包括光束分离器和第一反射件，光束分离器可将激光光束分离形...

一种组件管芯，其包括第一半导体管芯、第二半导体管芯、抗电弧层以及第一绝缘包封体。第二半导体管芯堆栈在第一半导体管芯上并且与第一半导体管芯电性连接。抗电弧层与第二半导体管芯接触。第一绝缘包封体设置在第一半导体管芯上且侧向地包封第二半导体管...

提供了用于限制SRAM单元中的负位线电压的系统和方法。可以在写入驱动器中实施电压限制器电路以控制施加在位线上的负电压的幅度。电压限制器电路可以在较低的操作电压电平下生成所需幅度的负位线电压。电压限制器电路还可以将负位线电压的幅度限制为不...

一种制造半导体装置的方法包括在半导体基板上方沉积多层堆叠，多层堆叠包括与多个通道层交替的多个牺牲层；在多层堆叠中形成第一凹陷处；在第一凹陷处中的这些牺牲层的侧壁上形成多个第一间隔物；在第一凹陷处中沉积第一半导体材料，其中第一半导体材料是...

本揭示文件揭示了一种记忆体装置、记忆体系统以及记忆体装置的制造方法。该记忆体装置包括多个记忆体单元，记忆体单元中各自包括彼此串联耦合的存取晶体管与电阻器。记忆体单元的电阻器各自形成为设置于基板上方的多个互连结构中的一者。记忆体单元的存取...

公开了具有接触结构的不同配置的半导体器件及其制造方法。该方法包括在衬底上形成第一鳍结构和第二鳍结构，在第一鳍结构和第二鳍结构上分别形成n型源极/漏极(S/D)区域和p型源极/漏极区域，在n型S/D区域和p型S/D区域上分别形成第一氧化停...

本公开的实施例涉及形成封装结构的方法。本公开的实施例还涉及用于使用人工智能技术(诸如机器学习)由单个芯片设计生成多芯片、混合节点堆叠封装设计的方法。本文公开的方法可以促进使用先进封装技术的异构集成、扩大设计以提高单个芯片设计的可制造性和...

一种半导体结构，包括基板以及第一和第二SRAM单元。第一SRAM单元包括第一和第二上拉晶体管、第一和第二下拉晶体管以及第一和第二传输闸晶体管。第一和第二传输闸晶体管具有第一通道宽度。第一和第二下拉晶体管具有第二通道宽度。第二通道宽度与第...

公开了一种具有不同栅极结构配置的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构包括第一界面氧化物(IO)层、设置在第一界面氧化物层上的第一高K(HK)介电层、以及设置在第一IO层与第一HK介电层之间的界面...

一种半导体结构，包括使用两个单独的氧化层以提高装置的可靠度。相邻鳍片形成第一氧化层，相邻第一氧化层形成虚设栅极，去除虚设栅极，之后相邻第一氧化层形成第二氧化层。在去除虚设栅极时，使用第二氧化层可以通过覆盖可能对第一氧化层造成的任何损坏以...