一种存储单元包括底部电极、第一介电层、可变电阻层以及顶部电极。第一介电层在侧向上环绕底部电极。底部电极的顶表面位于比第一介电层的顶表面的水平高度低的水平高度处。可变电阻层设置在底部电极以及第一介电层上。可变电阻层与底部电极的顶表面以及第...

一种检验罩幕盒外表面的方法与检验罩幕盒微粒的方法与系统，在检验罩幕盒的外表面的方法中，将空气流导引在外表面上的多个位置中的第一位置。利用导引的空气流自外表面上的第一位置移除一或多个微粒。自外表面的第一位置抽取散射空气，并且确定抽取的散射...

本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。本公开提供一种半导体结构及制造半导体结构的方法。所述半导体结构包括：至少一个二维2D导电结构；电介质层，其放置于所述2D导电结构上；及至少一个互连结构，其放置于所述电介质层中且延伸到所述2D导电结...

一种半导体制程系统、处理方法及电浆蚀刻系统，半导体制程系统包含具有盖的制程腔室。系统包含位于盖上的加热器和配置以控制加热器的控制器。控制器操作加热器以提供盖的选定温度分布。温度分布。温度分布。

本文中描述了半导体装置及制造半导体装置的方法。方法包含自栅极遮罩的一部分形成第一蚀刻终止层，栅极遮罩在与栅电极相邻的间隔物之间延伸，栅电极上覆于半导体鳍。方法进一步包含：形成与第一蚀刻终止层相邻的第二蚀刻终止层；形成穿过第二蚀刻终止层的...

本发明实施例涉及砂纸更换系统。一种系统包含装载工具以装载板，将砂纸片固定到板的表面上。所述系统包含砂纸固定工具，用于从砂纸片上移除衬层以暴露砂纸片的粘着面，并使用砂纸片的粘着面将砂纸片固定到板的表面。所述系统包含平坦度检测器，用于在将砂...

本揭露的实施例涉及使用介电层及金属遮罩层形成沟槽及导电柱特征的方法。具体地，本揭露的实施例提供了一硬遮罩堆叠，该硬遮罩堆叠包括第一介电遮罩层、第二介电遮罩层及金属遮罩层，其中第一介电遮罩层与第二介电遮罩层具有高蚀刻选择性。具有高蚀刻选择...

一种分配泵浦、分配系统及其操作方法，分配系统包含容纳分配材料的分配材料供应源与连接分配材料供应源的下游的分配泵浦。分配泵浦包含由第一导电材料制成的本体、一或多个第一电接点设于分配泵浦的本体上、以及一或多个第一连接线耦合在一或多个第一电接...

一种封装结构包括半导体管芯、第一绝缘包封体、多个第一导电特征、互连结构和凸块结构。半导体管芯包括由第一材料制成的多个导电柱。第一绝缘包封体包封半导体管芯。第一导电特征设置在半导体管芯上并且电连接到导电柱。第一导电特征至少包括不同于第一材...

提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括衬底、多个隔离件以及栅极堆叠件。衬底包括多个沟槽和位于沟槽之间的至少一个半导体鳍。隔离件设置在沟槽中。半导体鳍包括在绝缘体之间嵌入的第一部分；设置在第一部分上的颈缩部分，该颈缩部分未被绝缘...

本发明的实施例公开了一种用于制造半导体器件(例如，鳍式场效应晶体管)的代表性方法，该方法包括以下步骤：形成具有第一横向宽度的栅极结构，并且在栅极结构上方形成第一通孔开口。第一通孔开口具有暴露栅极结构的最上表面的最下部。第一通孔开口的最下...

一种半导体装置，包括鳍状物，自基板延伸且包括半导体通道层；内侧间隔物，位于相邻的半导体通道层之间以及通道区的侧部上。内侧间隔物包括碟化区以面对源极/漏极区。半导体装置还包括源极/漏极结构，位于源极/漏极区中并接触内侧间隔物的碟形区与半导...

提供半导体装置。在一实施例中，半导体装置包含在基底的第一部分正上方的第一纳米结构和在基底的第二部分正上方的第二纳米结构、耦合至第一纳米结构的n型源极/漏极部件和耦合至第二纳米结构的p型源极/漏极部件、以及设置在基底的第一部分和基底的第二...

半导体装置包括纳米结构的堆叠，其在第一水平方向上各自延伸。上述堆叠在垂直方向上各自延伸且在第二水平方向上彼此分隔。第一栅极设置于堆叠的第一子集合上。第二栅极设置于堆叠的第二子集合上。第一导电盖层设置于第一栅极的上表面的实质上的整体上。第...

一种半导体结构，包含第一半导体鳍和第二半导体鳍，各包含设置于基底上方的半导体层的堆叠物；隔离部件位于第一半导体鳍与第二半导体鳍之间，且设置于基底上方；栅极堆叠物，位于第一半导体鳍与第二半导体鳍之间，且设置于隔离部件上方；以及栅极切割部件...

一种具有源极与漏极和有源层之间低肖特基障壁的晶体管结构，其包括栅极、有源层、将有源层与栅极分隔开的栅极介电层、源极、漏极和将源极和漏极与有源层分隔开的富含氢材料层。富含氢材料层中氢的存在可能会减少源极和有源层之间以及漏极和有源层之间的接...

一种多栅极装置，包括第一与第二通道层分别位于基板上的p型区与n型区中。p型栅极堆叠与n型栅极堆叠分别位于第一与第二通道层周围。p型栅极堆叠包括p型功函数层，位于围绕第一通道层的第一栅极介电层上。p型功函数层包括无氟钨。第一金属填充层位于...

本实用新型实施例提出一种半导体装置，在内间隔结构上具有保护层。半导体装置包含基底上的纳米结构。纳米结构包含多个半导体层。半导体装置还包含包覆环绕多个半导体层的中间部分的栅极结构和邻近多个半导体层的端部的间隔结构。栅极结构包含高介电常数介...

一种晶体管，包括垂直堆叠物，且以从下到上或从上到下的顺序，所述垂直堆叠物包括栅极电极、栅极介电层及有源层，且所述垂直堆叠物位于基板上方。有源层包括非晶半导体材料。包括结晶半导体材料的第一部分的结晶源极区域覆盖有源层的第一端部且电性连接至...

一种半导体结构，包括从基板突出的半导体鳍；栅极结构，与半导体鳍接合。半导体结构还包括层间电介质(ILD)层，设置在基板上方并相邻栅极结构，其中栅极结构的顶面低于层间介电层的顶面；第一金属层，直接接触栅极结构的顶面；第二金属层设置在第一金...