半导体装置和制造方法制造方法及图纸

本文中描述了半导体装置及制造半导体装置的方法。方法包含自栅极遮罩的一部分形成第一蚀刻终止层，栅极遮罩在与栅电极相邻的间隔物之间延伸，栅电极上覆于半导体鳍。方法进一步包含：形成与第一蚀刻终止层相邻的第二蚀刻终止层；形成穿过第二蚀刻终止层的开口；及通过执行第一蚀刻制程暴露第一蚀刻终止层。方法进一步包含通过执行第二蚀刻制程使开口延伸穿过第一蚀刻终止层且暴露栅电极。一旦暴露了栅电极，方法即进一步包含在开口中形成栅极触点。点。点。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和制造方法


[0001]本揭露是关于一种半导体装置和制造方法。

技术介绍

[0002]半导体装置用于各种电子应用，诸如例如个人计算机、手机、数字相机及其他电子设备。半导体装置通常通过在半导体基板上方依次沉积绝缘或介电层、导电层及半导体材料层及使用微影术图案化各种材料层以在其上形成电路元件及部件来制造。
[0003]半导体行业通过不断缩小最小特征大小来不断提高各种电子元件(例如晶体管、二极体、电阻器、电容器等)的整合密度，从而允许在给定的面积内整合更多的元件。

技术实现思路

[0004]根据实施例，一种方法包含：自栅极遮罩的一部分形成第一蚀刻终止层，栅极遮罩在与栅电极相邻的间隔物之间延伸，栅电极上覆于半导体鳍；形成与第一蚀刻终止层相邻的第二蚀刻终止层；形成通过第二蚀刻终止层的开口及通过执行第一蚀刻制程暴露第一蚀刻终止层；通过执行第二蚀刻制程使开口延伸穿过第一蚀刻终止层且暴露栅电极；及在开口中形成栅极触点。
[0005]根据另一实施例，一种方法包含：在半导体基板上方形成鳍；在鳍上方形成栅电极；形成电耦合至源本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：自一栅极遮罩的一部分形成一第一蚀刻终止层，该栅极遮罩在与一栅电极相邻的多个间隔物之间延伸，该栅电极上覆于一半导体鳍；形成与该第一蚀刻终止层相邻的一第二蚀刻终止层；形成通过该第二蚀刻终止层的一开口及通过执行一第一蚀刻制程暴露该第一蚀刻终止层；通过执行一第二蚀刻制程使该开口延伸穿过该第一蚀刻终止层且暴露该栅电极；及在该开口中形成一栅极触点。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该形成该第一蚀刻终止层的步骤包括形成一自然氧化层的步骤。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该形成该第一蚀刻终止层的步骤包括使用氧执行一电浆处理的步骤。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一蚀刻终止层形成为介于包含端值的约与约之间的一范围内的一厚度。5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在一半导体基板上方形成一鳍；在该鳍上方形成一栅电极；形成电耦合至一源极/漏极区的一接触导电栓，该接触导电栓与该栅电极相邻；处理该栅电极上方的一栅极遮罩以形成一选择性蚀刻终止层；形成与该选择性蚀刻终止层相邻的一接触蚀刻终止层；通过该接触蚀刻终止层蚀刻一开口且暴露该选择性蚀刻终止层；穿过该选择性蚀刻终止层蚀刻该开口且暴露该栅电...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊德智，吴俊德，王鹏，林焕哲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：