半导体结构制造技术

一种半导体结构，包含第一半导体鳍和第二半导体鳍，各包含设置于基底上方的半导体层的堆叠物；隔离部件位于第一半导体鳍与第二半导体鳍之间，且设置于基底上方；栅极堆叠物，位于第一半导体鳍与第二半导体鳍之间，且设置于隔离部件上方；以及栅极切割部件，将栅极堆叠物隔开为第一半导体鳍上方的第一部分及第二半导体鳍上方的第二部分，其中栅极切割部件的底表面通过栅极堆叠物中的孔洞接触隔离部件。表面通过栅极堆叠物中的孔洞接触隔离部件。表面通过栅极堆叠物中的孔洞接触隔离部件。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本技术实施例涉及半导体技术，尤其涉及半导体结构。

技术介绍

[0002]集成电路(integrated circuit，IC)产业已经历了快速成长。在集成电路材料和设计上的技术进步产生了数代集成电路，每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路的发展史中，功能密度(即每一芯片区互连的装置数目)增加，同时几何尺寸(即制造过程中所产生的最小的组件或线路)缩小。此元件尺寸微缩化的工艺提供增加生产效率与降低相关费用的益处。此元件尺寸微缩化也增加了加工和制造集成电路的复杂性。为了实现这些进步，需要在集成电路加工及制造方面取得类似的发展。
[0003]集成电路(IC)技术朝更小的技术节点发展，栅极切割部件的尺寸相应缩小，以达到设计尺寸。虽然栅极切割部件的制造方法一般对于其预期目的为足够的，但是这些方法并非在所有方面都令人满意。举例来说，当形成用于栅极切割部件的沟槽时，需要移除多层不同材料，这需要多个蚀刻工艺。此外，在较小的技术节点中，沟槽的低深宽比会导致在沟槽中填充栅极切割部件时遇到困难，例如由气泡引起的填充不完全。因此，需要改善栅极切割部件及其制造方法。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提出一种半导体结构，以解决上述至少一个问题。
[0005]本技术实施例是关于一种半导体结构，半导体结构包含第一半导体鳍和第二半导体鳍，各包含设置于基底上方的半导体层的堆叠物；隔离部件，位于第一半导体鳍与第二半导体鳍之间，且设置于基底上方；栅极堆叠物，位于第一半导体鳍与第二半导体鳍之间，且设置于隔离部件上方；以及栅极切割部件，将栅极堆叠物隔开为第一半导体鳍上方的第一部分及第二半导体鳍上方的第二部分，其中栅极切割部件的底表面通过栅极堆叠物中的孔洞接触隔离部件。
[0006]根据本技术其中的一个实施方式，还包括:一第三半导体鳍，在远离该第一半导体鳍的一方向上设置于该第二半导体鳍旁；以及一虚设栅极切割部件，设置于该第二半导体鳍与该第三半导体鳍之间，其中该虚设栅极切割部件通过该栅极堆叠物与该隔离部件隔开。
[0007]根据本技术其中的一个实施方式，该第一半导体鳍上方的该栅极堆叠物的一第一部分与该第二半导体鳍上方的该栅极堆叠物的一第二部分隔开，且其中该第三半导体鳍上方的该栅极堆叠物的一第三部分接触该第二部分。
[0008]根据本技术其中的一个实施方式，该栅极堆叠物的顶表面与该栅极切割部件的顶表面共平面。
[0009]根据本技术其中的一个实施方式，还包括:一介电帽，位于该栅极切割部件上方，其中该介电帽设置于该栅极堆叠物的该第一部分与该第二部分之间。
[0010]根据本技术其中的一个实施方式，该介电帽的顶表面高于该栅极堆叠物的顶表面。
[0011]根据本技术其中的一个实施方式，该栅极堆叠物的顶表面高于该栅极切割部件的顶表面。
[0012]根据本技术其中的一个实施方式，该栅极切割部件包含具有一第一宽度的一顶部及具有一第二宽度的一底部，且该第一宽度大于一第二宽度。
[0013]根据本技术其中的一个实施方式，该栅极切割部件包含一衬垫层及被衬垫层围绕的一填充层。
[0014]根据本技术其中的一个实施方式，该衬垫层直接接触该隔离部件，且该填充层与该隔离部件隔开。
附图说明
[0015]图1显示依据本技术各种实施例，制造半导体装置的例示性方法的流程图。
[0016]图2A为依据本技术各种实施例，例示性半导体装置的一部分的三维透视图。
[0017]图2B为依据本技术各种实施例，图2A所示的半导体装置的平面俯视图。
[0018]图3A、图4A、图5A、图5A
‑
1、图6A、图7A、图8A、图9A、图10A、图11A、图12A、图13A和图14A为依据本技术各种实施例，在图1显示的中间阶段期间，图2A及/或图2B所示的半导体装置的平面俯视图。
[0019]图3B、图4B、图5B、图5B
‑
1、图6B、图6B
‑
1、图7B、图8B、图9B、图10B、图11B、图12B、图13B和图14B为依据本技术各种实施例，在图1显示的中间阶段期间，沿图2A及/或图2B的线BB
’
截取的半导体装置的剖面示意图。
[0020]图9C、图10C、图11C、图12C、图13C、图14C和图14C
‑
1为依据本技术各种实施例，在图1显示的中间阶段期间，沿图2A及/或图2B的线CC
’
截取的半导体装置的剖面示意图。
[0021]附图标记如下：
[0022]100:方法
[0023]102,104,106,108,110,112,114,116,118,120,122:操作
[0024]200:半导体装置
[0025]201,201
’
:填充层
[0026]202:基底
[0027]203:沟槽
[0028]204,204A,204B,204C:鳍
[0029]205:非通道层
[0030]206:通道层
[0031]207:硬掩模
[0032]208,208A,208B:隔离部件
[0033]209:包覆层
[0034]210:氧化层
[0035]211:栅极切割部件
[0036]211
’
:虚设栅极切割部件
[0037]212:沟槽
[0038]213,213
’
:衬垫层
[0039]214,214A,214B:介电帽
[0040]215,243:开口
[0041]220:虚设栅极堆叠物
[0042]224:源极/漏极部件
[0043]228:源极/漏极接点
[0044]230,230A,230B:金属栅极堆叠物
[0045]242:层间介电层
[0046]272:介电层
[0047]302,502,702:蚀刻工艺
[0048]802:工艺
[0049]ML:多层结构
[0050]t1:厚度
[0051]W1,W2,W3:宽度
具体实施方式
[0052]要了解的是以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以实施提供的主体的不同部件。以下叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以求简化公开内容的说明。当然，这些仅为范例并非用以限定本技术。举例来说，在随后描述中在部件上形成、连接及/或耦接另一部件上可包含两部件形成为直接接触的实施例，以及亦可包含额外部件可形成在两部件之间，使得两部件可不直接接触的实施例。此外，为了方便描述附图中一部件与另一部件的关系，可使用空间相关用语，例如“下部”、“上部”、“水平”、“垂直”、“在
…
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括:一第一半导体鳍和一第二半导体鳍，各包含设置于一基底上方的多个半导体层的一堆叠物；一隔离部件，位于该第一半导体鳍与该第二半导体鳍之间，且设置于该基底上方；一栅极堆叠物，位于该第一半导体鳍与该第二半导体鳍之间，且设置于该隔离部件上方；以及一栅极切割部件，将该栅极堆叠物隔开为该第一半导体鳍上方的一第一部分及该第二半导体鳍上方的一第二部分，其中该栅极切割部件的底表面通过该栅极堆叠物中的一孔洞接触该隔离部件。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括:一第三半导体鳍，在远离该第一半导体鳍的一方向上设置于该第二半导体鳍旁；以及一虚设栅极切割部件，设置于该第二半导体鳍与该第三半导体鳍之间，其中该虚设栅极切割部件通过该栅极堆叠物与该隔离部件隔开。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该第一半导体鳍上方的该栅极堆叠物的一第一部分与该第二半导体鳍上方的该栅极堆叠物的一第二部分隔开，且其中该第三半导体鳍上方的该栅极堆...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴明园，林大文，傅依婷，郑旭杰，焦闵，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：