半导体装置制造方法及图纸

提供半导体装置。在一实施例中，半导体装置包含在基底的第一部分正上方的第一纳米结构和在基底的第二部分正上方的第二纳米结构、耦合至第一纳米结构的n型源极/漏极部件和耦合至第二纳米结构的p型源极/漏极部件、以及设置在基底的第一部分和基底的第二部分之间的隔离结构。隔离结构包含直接接触基底的第一部分并具有第一高度的第一微笑区。隔离结构也包含直接接触基底的第二部分并具有第二高度的第二微笑区，第一高度大于第二高度。第一高度大于第二高度。第一高度大于第二高度。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本技术实施例关于半导体制造技术，特别关于半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业已经历了指数型成长。集成电路材料和设计上的技术进展已产生了数个世代的集成电路，每一世代皆较前一世代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进的历程中，当几何尺寸(即，使用生产工艺可以产生的最小元件(或线))缩减时，功能密度(即，单位芯片面积的互连装置数量)通常也增加。这种尺寸微缩工艺通常通过提高生产效率及降低相关成本而提供一些效益。这样的尺寸微缩也增加了加工和制造集成电路的复杂度。
[0003]举例来说，随着集成电路技术向更小的技术节点发展，已经引入多栅极金属氧化物半导体场效晶体管(多栅极MOSFET或多栅极晶体管)，以通过增加栅极
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通道耦合、降低截止状态电流、及降低短通道效应(short
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channel effects，SCEs)来改善栅极控制。多栅极装置通常是指具有栅极结构或其一部分的装置，其设置在通道区的多于一侧上方。多桥本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于：一基底，包含一第一台面结构和一第二台面结构；一隔离结构，在该第一台面结构和该第二台面结构之间延伸，该隔离结构包括直接接触该第一台面结构的一第一边缘部分和直接接触该第二台面结构的一第二边缘部分；一第一纳米结构垂直堆叠，在该第一台面结构正上方；一第二纳米结构垂直堆叠，在该第二台面结构正上方；多个n型源极/漏极部件，耦合至该第一纳米结构垂直堆叠；多个p型源极/漏极部件，耦合至该第二纳米结构垂直堆叠；一第一栅极结构，包覆环绕该第一纳米结构垂直堆叠的每个纳米结构；以及一第二栅极结构，包覆环绕该第二纳米结构垂直堆叠的每个纳米结构，其中该第一边缘部分的厚度大于该第二边缘部分的厚度。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于该第一边缘部分更部分地环绕该些n型源极/漏极部件。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于该第一边缘部分的该厚度等于该第一台面结构的厚度。4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于该第一边缘部分的该厚度与第二边缘部分的该厚度的比...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑宽豪，林家彬，李威养，丘子华，范玮寒，林柏裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：