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提供半导体装置。在一实施例中，半导体装置包含在基底的第一部分正上方的第一纳米结构和在基底的第二部分正上方的第二纳米结构、耦合至第一纳米结构的n型源极/漏极部件和耦合至第二纳米结构的p型源极/漏极部件、以及设置在基底的第一部分和基底的第二部分...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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