集成电路芯片及其形成方法技术

本发明专利技术的各个实施例针对用于使用具有拐弯的心轴形成导线和导电基座的方法，以及所得的导线和基座。本发明专利技术的导电基座可以具有带有至少一个拐弯的顶部布局并且沿着至少一拐弯具有与导线的宽度基本相同的宽度。这种顶部布局可以减小导电基座的形成期间的负载。本发明专利技术的导线可以包括外部导线和内部导线，内部导线的端部沿着导线的长度从外部导线的端部横向偏移。使用具有拐弯的心轴形成内部导线和外部导线可以扩大工艺窗口，同时切割侧壁间隔件结构的端部，内部导线和外部导线由侧壁间隔件结构形成。本发明专利技术的实施例还涉及集成电路芯片及其形成方法。其形成方法。其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
集成电路芯片及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及集成电路芯片及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件的不断按比例缩小，各种处理技术已经适合于允许制造具有越来越小的尺寸的部件。例如，光刻通常用于将图案光学地转印至光刻胶，但已达到部件尺寸的限制。因此，光刻可以与自对准双重图案化工艺一起使用以实现更小的部件尺寸。

技术实现思路

[0003]本专利技术的实施例提供了一种集成电路(IC)芯片，包括：多条导线，在第一维度上平行地伸长，其中，所述多条导线包括第一导线；导电基座，与所述第一导线集成并且在横向于所述第一维度的第二维度上远离所述第一导线延伸，其中，所述导电基座在所述第二维度上沿着具有至少一个拐弯的路径延伸并且沿着所述路径具有与所述第一导线的宽度相同的宽度；以及接触件/通孔，位于所述导电基座上面并且从所述导电基座延伸。
[0004]本专利技术的另一实施例提供了一种形成集成电路芯片的方法，包括：在导电层上面形成具有心轴线和心轴基座的心轴，其中，所述心轴基座的第一侧壁在横向于所述心轴线的长度的方向上远离所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路(IC)芯片，包括：多条导线，在第一维度上平行地伸长，其中，所述多条导线包括第一导线；导电基座，与所述第一导线集成并且在横向于所述第一维度的第二维度上远离所述第一导线延伸，其中，所述导电基座在所述第二维度上沿着具有至少一个拐弯的路径延伸并且沿着所述路径具有与所述第一导线的宽度相同的宽度；以及接触件/通孔，位于所述导电基座上面并且从所述导电基座延伸。2.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述导电基座在所述第一维度上的长度大于所述接触件/通孔的宽度。3.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述至少一个拐弯包括连续地改变方向并且具有锐角拐弯角的第一拐弯。4.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述至少一个拐弯包括离散地改变方向并且具有小于或等于90度的拐弯角的第一拐弯。5.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述接触件/通孔突出穿过所述导电基座并且具有相对于所述导电基座的底面凹进的底面。6.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述接触件/通孔具有与所述导电基座的底面齐平或高于所述导电基座的所述底面的底面。7.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述导电基座具有蛇形顶部布局。8.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述多条导线还包括：多条切割的内部导线和一对切割的外部导线，其中，所述切割的内部导线位于所述切割的外部导线之间并且与所述切割的外部导线毗邻，并且其中，所述切割的内部导线的端部在所述第一维度上从所述切割的外部导线的端部偏移。9.一种形成集成电路芯片的方法，包括：在导电层上面形成具有心轴线和心轴基座的心轴，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄学理，曾国权，陈宛桢，黄昶智，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：