一种半导体装置，包括多个半导体层，垂直地彼此分开。半导体装置包括：栅极结构，包括下部以及上部。下部包绕每个半导体层。半导体装置包括：栅极间隔物，沿着栅极结构的上部的侧壁延伸，并且包括第一层以及第二层。第一层接触侧壁的第一部分，并且第二层接触侧壁的第二部分。部分。部分。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本专利技术实施例涉及一种半导体装置及其制造方法，尤其涉及一种非平面晶体管装置及其制造方法。
技术介绍
[0002]本公开一般来说关于半导体装置，并且详细而言关于制造非平面晶体管装置的方法。
[0003]由于各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度不断改进，半导体产业经历了快速成长。在大多数情况下，集成密度的改进来自于最小部件尺寸的反复减小，这使得更多的组件可以整合至给定的区域中。
技术实现思路
[0004]本专利技术一些实施例提供一种半导体装置，包括：多个半导体层，垂直地彼此分开；栅极结构，包括下部以及上部，其中下部包绕(wrap around)每个半导体层；以及栅极间隔物，沿着栅极结构的上部的侧壁延伸，并且包括第一层以及第二层；其中第一层接触侧壁的第一部分，并且第二层接触侧壁的第二部分。
[0005]本专利技术另一些实施例提供一种半导体装置，包括：鳍片结构，设置在基板上方；栅极结构，包括下部以及上部，其中下部跨越(straddles)鳍片结构；以及栅极间隔物，沿着栅极结构的上部的侧壁延伸，并且包括第一层以及第二层；其中第一层具有与侧壁接触并且沿着侧壁延伸的垂直部分；以及其中第二层包括：垂直部分，沿着侧壁延伸并且通过第一层与侧壁分开；以及水平部分，接触侧壁。
[0006]本专利技术又一些实施例提供一种制造半导体装置的方法，包括：形成鳍片结构，沿着第一横向方向延伸；在鳍片结构的部分上方形成虚设栅极结构，其中虚设栅极结构沿着第二方向延伸，第二方向垂直第一横向方向；成长源极/漏极结构，分别耦合至鳍片结构的部分的端部；去除虚设栅极结构以形成栅极沟槽；以栅极间隔物衬垫(lining)栅极沟槽的内侧壁；以及在栅极沟槽中形成有源栅极结构。
附图说明
[0007]以下将配合所附图示详述本公开的各面向。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小单元的尺寸，以清楚地表现出本公开的特征。
[0008]根据本公开的一些实施例，图1示出全绕式栅极(gate
‑
all
‑
around,GAA)场效晶体管(field
‑
effect
‑
transistor,FET)的视图。
[0009]根据本公开的一些实施例，图2示出制造非平面晶体管装置的示例方法的流程图。
[0010]根据本公开的一些实施例，图3、图4A、图4B、图5、图6、图7、图8A、图8B、图9、图10、图11A、图11B、图11C、图12、图13A、图13B、图13C、图13D、图14和图15示出通过图2的方法所
制造，在各种制造阶段期间示例的全绕式栅极场效晶体管装置(或示例的全绕式栅极场效晶体管装置的部分)的剖面图。
[0011]根据本公开的一些实施例，图16示出制造非平面晶体管装置的另一示例方法的流程图。
[0012]根据本公开的一些实施例，图17A、图17B、图17C和图17D分别示出通过图16的方法形成的多个栅极间隔物的不同轮廓的放大剖面图。
[0013]附图标记如下：
[0014]100:装置
[0015]102:基板
[0016]104:半导体层(纳米结构)
[0017]106:隔离区
[0018]108:栅极结构
[0019]110:源极/漏极结构
[0020]112:层间电介质
[0021]200:方法
[0022]202:操作
[0023]204:操作
[0024]206:操作
[0025]208:操作
[0026]210:操作
[0027]212:操作
[0028]214:操作
[0029]216:操作
[0030]218:操作
[0031]220:操作
[0032]222:操作
[0033]300:装置
[0034]302:基板
[0035]401:鳍片结构
[0036]410:半导体层
[0037]420:半导体层
[0038]502:蚀刻停止层
[0039]920:层间电介质
[0040]1110:间隔物
[0041]1120:间隔物
[0042]1122:层
[0043]1124:层
[0044]1130:间隔物
[0045]1132:层
[0046]1134:层
[0047]1136:层
[0048]1201:工艺
[0049]1301:侧壁
[0050]1303:侧壁
[0051]1305:侧壁
[0052]1307:侧壁
[0053]1309:侧壁
[0054]1311:侧壁
[0055]1502:栅极电介质
[0056]1504:栅极金属
[0057]1600:方法
[0058]1602:操作
[0059]1604:操作
[0060]1606:操作
[0061]1608:操作
[0062]1610:操作
[0063]1612:操作
[0064]1614:操作
[0065]1616:操作
[0066]1618:操作
[0067]1620:操作
[0068]1622:操作
[0069]1624:操作
[0070]1700:装置
[0071]1701:栅极结构
[0072]1702:间隔物
[0073]1704:间隔物
[0074]1710:层间电介质
[0075]1712:间隔物
[0076]1714:层
[0077]1716:层
[0078]1718:间隔物
[0079]1722:间隔物
[0080]1724:间隔物
[0081]1726:层
[0082]1728:层
[0083]1732:间隔物
[0084]1734:层
[0085]1736:层
[0086]1742:间隔物
[0087]1744:层
[0088]1746:层
[0089]1000A:沟槽
[0090]1000B:沟槽
[0091]1122H:水平部分
[0092]1122V:垂直部分
[0093]1500A:栅极结构
[0094]1500B:栅极结构
[0095]1714H:水平部分
[0096]1714V:垂直部分
[0097]1726H:水平部分
[0098]1726V:垂直部分
[0099]1734H:水平部分
[0100]1734V:垂直部分
[0本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：多个半导体层，垂直地彼此分开；一栅极结构，包括一下部以及一上部，其中该下部包绕每个多个所述半导体层；以及一栅极间隔物，沿着...
【专利技术属性】
技术研发人员：林士尧，高魁佑，陈振平，邱志忠，林志翰，张铭庆，陈昭成，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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