提供半导体结构与其形成方法。方法包括形成多个外延层的堆叠于基板上；自堆叠形成第一鳍状结构与第二鳍状结构；形成隔离结构于第一鳍状结构与第二鳍状结构之间；形成覆层于第一鳍状结构与第二鳍状结构上；顺应性沉积第一介电层于覆层上；沉积第二介电层于...

半导体装置的制造方法包括沿着第一方向形成第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物于基板上。方法包括沿着第一方向形成介电鳍状物于第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物之间。方法包括沿着第二方向形成虚置栅极结构以跨过第一半导体鳍状物、第二半导体鳍状物...

本发明实施例关于集成芯片，其包括下侧导电线路于基板上的第一介电层中。第二介电层位于第一介电层上。导电通孔，位于下侧导电线路之上与第二介电层之中。导电衬垫层，衬垫导电通孔的侧壁。阻障层衬垫导电衬垫层的侧壁与第二介电层的侧壁。导电衬垫层与第...

一种集成芯片，包括：基板。第一导线，在基板上方。第二导线，在基板上方并相邻第一导线。第一介电盖，横向地在第一导线与第二导线之间。第一介电盖将第一导线与第二导线横向地分开。第一介电盖包括第一介电材料。第一空腔，在第一介电盖正下方以及横向地...

一种封装组件，包括位于封装基板上的中介层模块、位于中介层模块上的液态合金热界面材料(TIM)、围绕液态合金热界面材料的密封环、以及位于液态合金热界面材料和密封环上的封装盖，其中密封环、中介层模块及封装盖密封液态合金热界面材料。合金热界面...

一种芯片封装结构，包括附接到重分布结构的至少一个半导体裸片、位于重分布结构和至少一个半导体裸片之间且横向围绕焊料材料部分的第一底部填充材料部分、横向围绕至少一个半导体裸片的成型化合物，以及接触重分布结构的侧壁和成型化合物的侧壁且包括至少...

一种封装结构，包括第一导电垫层，位于绝缘层之中；第一凸块下冶金结构，位于绝缘层之下，在平面图中，第一凸块下冶金结构的第一区域受限于第一导电垫层的第二区域之中；以及第一导电导孔，位于绝缘层之中，且垂直连接至第一导电垫层及第一凸块下冶金结构...

本公开提出一种提供封装结构及其形成方法。封装结构包含重布线结构以及位于重布线结构之上的第一半导体裸片。封装结构还包含横向围绕第一半导体裸片的墙结构，墙结构包含彼此隔开的多个区段。封装结构还包含介于墙结构与第一半导体裸片之间的底部填充材料...

一种方法包括形成第一光子管芯，其包括形成第一硅波导，以及形成第一氮化物波导。该方法还包括形成延伸到第一光子管芯中的第一多个介电层中的第一通孔，以及将第二光子管芯接合到第一光子管芯。第二光子管芯包括第二氮化物波导。第一硅波导通过第一氮化物...

本公开实施例的高密度电容器包括具有形成三维结构的导电材料的顶部电极。三维结构包括在垂直方向上延伸的多个垂直部分和水平部分，水平部分在垂直部分内交错设置并在第一水平方向上延伸。高密度电容器还包括形成在顶部电极上方的介电层和包括导电材料的底...

一种三维集成晶片元件及其形成方法，在一些实施方式中，本揭露涉及一种包含绝缘体上硅(SOI)基材的元件。第一半导体元件设在绝缘体上硅基材的正面上。互连结构布置在绝缘体上硅基材的正面上方，且耦合第一半导体元件。浅沟渠隔离(STI)结构布置在...

本发明实施例的一种晶体管器件包括：源极电极及漏极电极；鳍结构，在源极电极与漏极电极的相应侧壁之间延伸且接触源极电极的相应侧壁及漏极电极的相应侧壁；半导体沟道层，位于鳍结构的上表面及侧表面之上，且包括位于鳍结构的侧表面之上的第一垂直部分及...

本公开涉及存储器阵列测试结构及其形成方法。公开了用于3D存储器阵列的测试结构及其形成方法。在一个实施例中，存储器阵列包括：第一字线，位于半导体衬底之上并且在第一方向上延伸；第二字线，位于第一字线之上并且在第一方向上延伸；存储器膜，接触第...

一种鳍式场效晶体管装置和形成鳍式场效晶体管装置的方法，形成鳍式场效晶体管装置的方法包括：在第一鳍和第二鳍上形成栅极结构；在栅极结构的第一侧形成分别在第一鳍和第二鳍中的第一凹槽和第二凹槽；以及在第一凹槽和第二凹槽中形成源极/漏极区域，包括...

一种晶圆对准方法及设备，在一实施方式中，一种方法包含：放置晶圆于布植机台板上，晶圆包含对准标记；通过使用一或多个相机测量对准标记的位置来测量晶圆的位置；确定晶圆的位置与晶圆的参考位置之间的角位移；以及以角位移旋转布植机台板。移旋转布植机...

本发明涉及具有由BDTI结构围绕的图像感测元件的图像传感器以及相关的形成方法。在一些实施例中，第一图像感测元件和第二图像感测元件在图像感测管芯内彼此相邻布置。像素介电堆叠件沿图像感测管芯的位于图像感测元件上面的背面设置。像素介电堆叠件包...

一种半导体结构，包括位于衬底之上的多个垂直堆叠，其中每个垂直堆叠从下到上包括底部电极、包括穿过其中的横向开口的介电柱结构以及顶部电极；位于多个垂直堆叠之上的多个层堆叠，其中每个层堆叠包括有源层和外部栅极介电质并且横向围绕多个垂直堆叠中的...

一种清洁光罩的表面的方法与系统，清洁光罩的表面的方法包括：从光罩库撷取光罩且将光罩转移至第一曝光装置。在第一曝光装置中以极紫外辐射在预定照射时间照射光罩的表面来清洁光罩的表面。在清洁光罩的表面之后，将光罩转移至用于微影操作的第二曝光装置...

本文揭示一种记忆体阵列、其系统及其操作方法。在一态样中，记忆体系统包括：第一组记忆体单元，其包括第一串记忆体单元及第二串记忆体单元；及第一开关，其包括第一电极及第二电极，第一电极连接至第一串记忆体单元的多个第一电极及第二串记忆体单元的多...

一种半导体装置包括半导体鳍、半导体衬垫以及浅沟槽隔离区域。半导体鳍自基板延伸，半导体鳍包括第一部分以及第二部分，第二部分位于第一部分下方。半导体衬垫位于半导体鳍的第二部分的多个侧壁上。浅沟槽隔离区域邻近于半导体鳍，其中浅沟槽隔离区域的最...