本公开涉及用于存储器的掺杂的侧壁间隔件/蚀刻停止层。本公开的各种实施例涉及一种集成电路(IC)芯片，包括存储器单元并且具有侧壁间隔件和/或蚀刻停止层，该侧壁间隔件和/或蚀刻停止层被掺杂以减少侧壁间隔件和蚀刻停止层之间的界面处的电荷积累。...

本公开涉及半导体器件和形成电容器结构的方法。半导体器件包括衬底之上的第一器件，第一器件包括栅极堆叠，栅极堆叠包括栅极电极材料；位于衬底中、与栅极堆叠相邻的源极/漏极区域；围绕栅极堆叠的第一隔离区域；位于栅极堆叠之上并与栅极堆叠接触的栅极...

在制造半导体装置的方法中，形成多个底层结构，其包括多个栅极电极以及多个源极/漏极磊晶层于基板之上。一个或多个层形成于这些底层结构之上，且硬质遮罩层形成于一个或多个层之上。凹槽图案形成于硬质遮罩层之中，一个或多个第一抗蚀层形成于具有凹槽图...

在一些实施例中，本发明涉及图像传感器集成芯片。该图像传感器集成芯片包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底。该衬底包括一个或多个侧壁，该侧壁限定沿着具有第一宽度的像素区的相对侧延伸的沟槽。包括一种或多种介电材料的隔离结构设置在沟槽内。...

本发明实施例涉及半导体结构、电子装置及半导体结构的制造方法。半导体结构包含第一金属

本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法。本发明实施例提供一种半导体结构。所述半导体结构包含第一衬底、半导体层、第二衬底及共晶密封结构。所述半导体层在所述第一衬底上方。所述半导体层具有至少部分穿过所述半导体层的腔。所述第二衬底在所述半导体...

一种倍缩光罩的表面的处理方法及半导体制造系统，倍缩光罩的表面的处理方法包含从倍缩光罩库取出倍缩光罩，与将倍缩光罩转移至处理装置。当臭氧流体位于倍缩光罩的表面上时，以入射紫外线(UV)辐射照射倍缩光罩的表面一预定照射时间，在处理装置中处理...

一种制造半导体装置的方法包括在基板上方形成第一阻剂层，及在第一阻剂层上方形成第二阻剂层。第二阻剂层经图案化以曝光第一阻剂层的一部分以形成第二阻剂层图案。第一阻剂层曝光于由第二阻剂层图案绕射的极紫外(XUV)辐射。移除曝光于由第二阻剂层绕...

半导体封装件包括：再分布结构；第一器件和第二器件，附接至再分布结构，第一器件包括：第一管芯；支撑衬底，接合至第一管芯的第一表面；以及第二管芯，接合至第一管芯的与第一表面相对的第二表面，其中，第一管芯和第二管芯的总高度小于第二器件的第一高...

一种沉积系统及沉积方法，沉积系统能够控制沉积在基材上的靶材材料的量和/或沉积在基材上的靶材材料的方向。根据本揭露的沉积系统包含基材处理腔。沉积系统包含位于基材处理腔室中的基材基座，基材基座配置以支撑基材。靶材围住基材处理腔室。准直器具有...

一种集成电路和提供集成电路的方法，揭示了在集成电路中在多个导体层中用于多个导电性互连件的各种布局。一些或全部的导电性互连件被包括在电力输送系统中。通常，在第一导体层中的导电性互连件根据正交的布局而布置，并且在第二导体层中的导电性互连件根...

一种半导体元件的制造设备、半导体基材的检测方法及系统，半导体元件的检测设备包含配置以支撑基材的旋转座以及喷嘴臂。喷嘴臂包含喷嘴及光监测装置，光监测装置包含激光发射器以及多个光感测器的阵列排列在喷嘴臂中且朝向旋转座。光监测装置配置以从激光...

提供一种减少氢气渗透的装置与半导体元件的制造方法，此装置用以在产生极紫外光(EUV)辐射时，减少罩幕的氢渗透。此装置包含罩幕平台配置以支承罩幕、氢气分配喷嘴配置以在罩幕下方喷出氢气、及轨迹校正组件。轨迹校正组件包含校正喷嘴及气流侦测器。...

提供芯片封装结构，芯片封装结构包含重布线结构，重布线结构包含介电结构和在介电结构中的接地线，接地线包含主要部分和连接至主要部分且从介电结构横向露出的末端扩大部分。芯片封装结构包含芯片结构位于重布线结构上方。芯片封装结构包含导电屏蔽膜设置...

本公开涉及用于调节气体流的处理装置和方法。一种方法包括平行于接口模块的壁发起第一气体的气体流，以跨壁中限定的开口创建空气幕。该方法包括移动接口门以露出开口，其中，空气幕阻止接口模块内的第二气体通过开口。该方法包括通过开口转移半导体晶圆，...

本公开提供一种拾取装置及其使用方法。一种用于将粘合在粘合膜上的半导体管芯从所述粘合膜分离的拾取装置包括框架、紫外光发射元件及收集器元件。所述框架被配置成固持其上方粘合有半导体管芯的粘合膜。所述紫外光发射元件设置在框架内部，其中所述粘合膜...

形成半导体器件的方法包括：形成栅极堆叠件；通过外延在栅极堆叠件的侧上生长源极/漏极区；在源极/漏极区上方沉积接触蚀刻停止层(CESL)；在CESL上方沉积层间电介质；蚀刻层间电介质和CESL以形成接触开口；蚀刻源极/漏极区，使得接触开口...

形成半导体器件的方法包括放置第一封装组件。第一封装组件包括第一对准标记和第一伪对准标记。第二封装组件与第一封装组件对准。第二封装组件包括第二对准标记和第二伪对准标记。对准是使用第一对准标记来定位第一封装组件，并使用第二对准标记来定位第二...

一种沉积室的清洁方法，包含将基板移动至半导体处理腔室的基板支撑件上；执行沉积制程，以在基板上沉积材料层；将基板移出半导体处理腔室；执行第一清洁制程，其中执行第一清洁制程包括经由基板支撑件内的第一导管提供第一气体至半导体处理腔室内，以及开...

一种在半导体晶圆制造厂中搬运半导体晶圆的方法包括：将具有至少一半导体晶圆的晶圆盒装载至一装载埠的存储缓冲机中；从存储缓冲机内测量被选定的至少一个半导体晶圆的位置，选定的半导体晶圆从驻留于存储缓冲机内的晶圆盒中取出；以及至少部分地基于所述...