一种半导体元件的制造设备、半导体基材的检测方法及系统，半导体元件的检测设备包含配置以支撑基材的旋转座以及喷嘴臂。喷嘴臂包含喷嘴及光监测装置，光监测装置包含激光发射器以及多个光感测器的阵列排列在喷嘴臂中且朝向旋转座。光监测装置配置以从激光发射器向基材发射激光脉冲，其中激光脉冲照射在基材上；接收来自基材的反射的激光脉冲；计算一或多个光感测器是否接收到激光脉冲，并利用往返时间计算光监测装置与基材之间的距离，以决定基材上的制程品质。上的制程品质。上的制程品质。
【技术实现步骤摘要】
半导体元件的制造设备、半导体基材的检测方法及系统
[0001]本揭露实施方式是有关于一种半导体元件的制造设备、半导体基材的检测方法及半导体基材检测系统。
技术介绍
[0002]在半导体制程中所使用的液体施加设备中，实时监测和/或观察晶圆上的施加液体是控制液体施加制程的均匀性的关键因素之一。随着半导体产业已经发展到纳米制程，为了追求更高的元件密度、更高的性能和更低的成本，需要更精确地实时监控晶圆和/或喷嘴上施加的液体的状态。
技术实现思路
[0003]在一实施方式中，提供一种半导体元件的制造设备，其包含配置以支撑基材的旋转座以及喷嘴臂。喷嘴臂包含喷嘴及光监测装置，光监测装置包含激光发射器以及多个光感测器的阵列排列在喷嘴臂中且朝向旋转座。
[0004]在一实施方式中，提供一种半导体基材检测系统。系统包含基材支架以及耦接于基材支架的回馈控制器。基材支架包含配置以支撑基材的旋转座以及喷嘴以及排列在喷嘴臂中且面向基材的多个光监测装置的喷嘴臂。光监测装置配置以朝向基材发射激光脉冲，其中激光脉冲照射在基材上，且接着接收来自基材的反射的激光脉冲。光监测装置配置以识别接收激光脉冲的光感测器的一或多个光感测器。光监测装置配置以透过使用一反射光强度分析来自基材的光监测装置的信号，来确定基材的制程品质。
[0005]在一实施方式中，提供一种半导体基材的检测方法。方法包含放置基材在旋转座上。将喷嘴臂定位在基材上，其中喷嘴臂包括一个或多个激光发射器以及排列在喷嘴臂中且面向基材的多个光感测器的阵列。随后，使用一个或多个的激光发射器向基材发射激光光线，其中激光光线照射在基材上。然后，在光感测器的阵列接收来自于基材反射的激光光线。识别接收激光光线的光感测器的阵列中的一或多个光感测器。透过一光监测装置分析从基材反射的光感测器的阵列的信号。随后，确定基材的制程品质是否在可接受的范围内。当基材的制程品质不在可接受范围内时，自动调整半导体制造制程的可配置参数，以将制程品质设定在可接受范围内。
附图说明
[0006]从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的态样有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸都可任意地增加或减少。
[0007]图1是根据本揭露的一实施方式的化学制程设备的示意图；
[0008]图2是绘示光线经过全反射的示意图；
[0009]图3是根据本揭露的一些实施方式的用于监测与检查施加在晶圆上的液体的装置
示意图；
[0010]图4A、图4B、图4C与图4D是根据本揭露的一些实施方式的用于监测与检查施加在晶圆上的液体的装置示意图；
[0011]图5A与图5B是根据本揭露的一些实施方式的用于监测与检查施加在晶圆上的液体的装置示意图；
[0012]图6A与图6B是根据本揭露的一些实施方式的用于监测与检查施加在晶圆上的液体的装置示意图；
[0013]图7A与图7B是根据本揭露的一些实施方式的用于监测与检查施加在晶圆上的液体的装置示意图；
[0014]图8示出了根据本揭露的一些实施方式的用于控制制程的回馈控制系统的示意图；
[0015]图9示出了根据本揭露的一实施方式的监测与检查施加在晶圆上的液体的方法流程图；以及
[0016]图10A与图10B是绘示根据本揭露的一些实施方式的控制器。
[0017]【符号说明】
[0018]1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15:感测器
[0019]800:基材
[0020]802:上表面
[0021]808:径向点
[0022]809:第二径向点
[0023]820:旋转座
[0024]900:喷嘴臂
[0025]904:喷嘴的中心
[0026]906:滴落位置
[0027]910:喷嘴
[0028]1000:光监测系统
[0029]1059:流体元件控制器
[0030]1100:光源
[0031]1110:激光光线发射器
[0032]1111:入射角
[0033]1112:激光光线,激光脉冲
[0034]1114:激光光线,激光脉冲
[0035]1116:反射光,第一反射光
[0036]1117:散射光
[0037]1120:激光发射器
[0038]1200:光侦测器
[0039]1210:光感测器
[0040]1220:阵列
[0041]1301:第一化学流体
[0042]1302:第二化学液体
[0043]1304:显影剂液滴
[0044]1306:光阻剂,化学液体
[0045]1308:清洗液
[0046]1400:回馈控制系统
[0047]1410:控制器
[0048]2000:计算机系统
[0049]2001:计算机
[0050]2002:键盘
[0051]2003:鼠标
[0052]2004:显示器
[0053]2005:光盘驱动器
[0054]2006:磁盘驱动器
[0055]2011:微处理单元
[0056]2012:只读记忆体
[0057]2013:随机存取记忆体
[0058]2014:硬盘
[0059]2015:总线
[0060]2021:光盘
[0061]2022:磁盘
[0062]S1010,S1020,S1030,S1040:步骤
[0063]S1050,S1060,S1070:步骤
[0064]A,B,C,D,L1:方向
具体实施方式
[0065]应当理解的是，以下的揭露提供了许多不同实施方式或实施例，以实施所提供的标的的不同特征。以下所描述的构件与安排的特定实施例是用以简化本揭露的实施例。当然这些仅为实施例，并非用以作为限制。举例而言，元件的尺寸不限于所揭露的范围或值，而是可取决于制程条件和/或装置的期望性质。而且，于描述中，第一特征形成于第二特征之上或上方，可能包含第一特征与第二特征以直接接触的方式形成的实施方式，亦可能包含额外特征可能形成在第一特征与第二特征之间的实施方式，如此第一特征与第二特征可能不会直接接触。为了简单和清楚的目的，可以不同的比例任意绘制各特征。
[0066]此外，空间相对关系的用语，例如：“在
…
之下(beneath)”、“在
…
下面(below)”、“较低(lower)”、“在
…
上面(above)”、“较高(upper)”、或之类的用语，可在此使用以简明描述如附图所绘示的一元件或特征与另一(另一些)元件或特征的关系的叙述。空间关系的用语，除了附图所描绘的定向之外，亦用以包含元件在使用或操作中的不同的定向。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制造设备，其特征在于，该半导体元件的制造设备包含：一旋转座，配置以支撑一基材；以及一喷嘴臂，包含：一喷嘴；以及一光监测装置，包含一激光发射器以及多个光感测器的一阵列排列在该喷嘴臂中且朝向该旋转座。2.如权利要求1所述的半导体元件的制造设备，其特征在于，该光监测装置配置以：从该激光发射器向该基材发射一激光光线，其中该激光光线照射在该基材上；接收来自于该基材的一反射的激光光线；识别接收该激光光线的该些光感测器的该阵列中的一或多个光感测器；以及透过分析从该基材反射的该些光感测器的该阵列的信号，来确定该基材的制程品质。3.一种半导体基材的检测方法，其特征在于，该半导体基材的检测方法包含：放置一基材在一旋转座上；将一喷嘴臂定位在该基材上，该喷嘴臂包括一个或多个激光发射器以及排列在该喷嘴臂中且面向该基材的多个光感测器的一阵列；使用一个或多个的该激光发射器向该基材发射一激光光线，其中该激光光线照射在该基材上；在该些光感测器的该阵列接收来自于该基材一反射的激光光线；识别接收该激光光线的该些光感测器的该阵列中的一或多个光感测器；透过一光监测装置分析从该基材反射的该些光感测器的该阵列的信号；确定该基材的制程品质是否在可接受的范围内；以及当该基材的制程品质不在可接受范围内时，自动调整一半导体制造制程的配置参数，以将制程品质设定在可接受范围内。4.如权利要求3所述的半导体基材的检测方法，其特征在于，该半导体基材的检测方法还包含：确...
【专利技术属性】
技术研发人员：周崇斌，庄凯麟，陈衍成，赖瑞国，刘俊秀，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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