本公开提出一种集成电路(IC)结构布局以提高存储器阵列的效能，例如静态随机存取存储器(SRAM)。示例性IC装置包括SRAM单元和电性耦接至SRAM单元的互连结构。互连结构包括电性耦接至SRAM单元的第一金属层，第一金属层包括位元线、具...

本公开的一些实施例提出一种半导体结构。半导体结构包括一第一导电线，设置于一基底上。一介电衬层沿第一导电线的侧壁及上表面排列，且由一第一介电层所横向环绕。介电衬层及第一介电层为不同的材料。一导电介层连接窗(via)设置于第一导电线上方的一...

一种半导体装置，包括在基底上设置一隔离区域。多个通道自基底延伸并穿过隔离区域，此些通道包括一有源通道和一非有源通道。一虚置鳍部设置在隔离区域上且位于有源通道和非有源通道之间。一有源栅极设置在有源通道和非有源通道的上方且接触隔离区域。一介...

一种用于光学互联的设备，包括包含基座层的光子裸片(pDie)及电子裸片(eDie)、波导、光纤连接件的整合，以达成高带宽通信。在一实施例中，一种范例的光学互联装置包括耦接至一光子裸片的一电子裸片，且与一基板、一基座、一板件、一对微镜片及...

一种半导体结构，包括一外延区域，具有前侧及背侧。半导体结构包括一非晶质层，形成于外延区域的背侧，其中非晶质层包括硅。半导体结构包括一第一硅化物层，形成于非晶质层上。半导体结构包括一第一金属接点，形成于第一硅化物层上。化物层上。化物层上。

本公开提供一种半导体装置，包括含有第一连接部分、第二连接部分和设置于第一连接部分与第二连接部分之间的通道部分的通道构件、设置于第一连接部分上方并与第一连接部分接触的第一内部间隔物特征、设置于第一连接部分下方并与第一连接部分接触的第二内部...

提供一种存储器装置。存储器装置包括一位元单元以及一下拉电路。位元单元包括一第一反相器以及一第二反相器。第一反相器连接于一第一节点与一第二节点之间。第二反相器连接于第一节点与第二节点之间。第一反相器和第二反相器在第一数据节点和第二数据节点...

本公开涉及带有合金基吸收体的极紫外掩模。提供了一种极紫外掩模，包括衬底、衬底上的反射多层堆叠和反射多层堆叠上的多层经图案化吸收体层。所公开的实施例包括含有如下合金的吸收体层：该合金包括钌Ru、铬Cr、铂Pt、金Au、铱Ir、钛Ti、铌N...

本申请涉及使用光掩模制造半导体器件的方法。在制造半导体器件的方法中，在EUV扫描仪中，对形成在半导体衬底上方的光致抗蚀剂层执行使用EUV掩模的EUV光刻操作。在EUV光刻操作之后，从EUV扫描仪的掩模台卸载EUV掩模。EUV掩模被置于低...

本公开涉及半导体器件上的电介质层及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体鳍上形成第一层；在第一层上形成掩模，该掩模在半导体鳍的顶部比沿着半导体鳍的侧壁更厚。使用掩模沿着半导体鳍的侧壁减薄第一层。在半导体鳍上形成第二层，该第...

本公开涉及存储器中计算(CIM)存储阵列。一种用于CIM的存储器件，其具有存储阵列，该存储阵列包括被布置成行和列的阵列的多个存储单元。存储单元具有第一组存储单元和第二组存储单元。阵列的每一行具有对应的字线，其中阵列的行的每个存储单元耦合...

一种半导体元件制造方法与电浆蚀刻系统，在包含电浆制程的半导体元件制造方法中，设定电浆蚀刻机的流动速率控制器以生成蚀刻气体的一个或更多个流动速率，此一个或更多个流动速率对应至电浆蚀刻机的一个或更多个电浆束。监控通过对应至该电浆蚀刻机的一个...

提供半导体结构。半导体结构可以包括晶体管结构，晶体管结构可以包括：栅极区域，布置在衬底的上表面上方并且基本在垂直于衬底的上表面的第一方向上延伸；第一源极/漏极区域，位于衬底的上表面上方；第二源极/漏极区域，位于衬底的上表面上方；以及沟道...

提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括形成在衬底上方的鳍结构和形成在鳍结构上方的栅极结构。半导体器件结构包括邻近栅极结构形成的第一源极/漏极(S/D)结构，以及形成在第一S/D结构上方的第一S/D接触结构。半导体器件结构包括形成在第一...

本发明各种实施例涉及一种集成芯片、存储器装置及其形成方法，所述存储器装置包括位于衬底之上的第一底部电极层。铁电开关层设置在第一底部电极层之上。第一顶部电极层设置在铁电开关层之上。第二底部电极层设置在第一底部电极层与铁电开关层之间。第二底...

本公开的各种实施例涉及一种图像传感器，所述图像传感器包括沿着衬底的像素。所述像素包括具有第一掺杂类型的第一半导体区。第二半导体区直接位于所述第一半导体区上方。所述第二半导体区具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，并且在p

在一些实施例中，本公开涉及一种处理工具及其使用方法，所述处理工具包括布置在晶片卡盘之上的光刻装置及在侧向上围绕光刻装置的浸没罩装置。光刻装置包括布置在光源与透镜之间的光掩模。浸没罩装置包括输入管路、输出管路及提取管路。输入管路布置在浸没...

一种模拟数字转换器装置与时脉偏斜校正方法，模拟数字转换器装置包括多个模拟数字转换电路、一校正电路以及一偏斜调整电路。模拟数字转换电路用以根据多个时脉信号转换一输入信号以产生多个第一量化输出。校正电路用以校正第一量化输出以产生多个第二量化...

本发明实施例涉及样品载台及修饰样品的系统及方法。本揭露提供一种样品载台，其包含基座及第一样品支柱。所述基座具有第一表面。所述第一样品支柱设置于所述基座的所述第一表面，所述第一样品支柱的顶面具有沟槽用以放置样品。本揭露还包含使用所述样品载...

一种集成电路(integrated circuit，IC)装置以及记忆体阵列，集成电路装置包含晶体管及金属熔丝结构，金属熔丝结构包含电连接至晶体管的金属熔丝及与金属熔丝平行且在第一方向上与金属熔丝的第一部分相邻的第一金属线。第一部分具有...