带有合金基吸收体的极紫外掩模制造技术

本公开涉及带有合金基吸收体的极紫外掩模。提供了一种极紫外掩模，包括衬底、衬底上的反射多层堆叠和反射多层堆叠上的多层经图案化吸收体层。所公开的实施例包括含有如下合金的吸收体层：该合金包括钌Ru、铬Cr、铂Pt、金Au、铱Ir、钛Ti、铌Nb、铑Rh、钼Mo、钨W或钯Pd以及至少一种合金元素。该至少一种合金元素包括钌Ru、铬Cr、钽Ta、铂Pt、金Au、铱Ir、钛Ti、铌Nb、铑Rh、钼Mo、铪Hf、硼B、氮N、硅Si、锆Zr或钒V。其他实施例包括具有包含合金和合金元素的层的多层经图案化吸收体结构，其中多层结构中的至少两层具有不同的成分。两层具有不同的成分。两层具有不同的成分。

【技术实现步骤摘要】
带有合金基吸收体的极紫外掩模


[0001]本公开总体涉及带有合金基吸收体的极紫外掩模。

技术介绍

[0002]半导体行业经历了指数级增长。材料和设计方面的技术进步产生了几代集成电路(IC)，其中每一代的电路都比上一代更小且更复杂。在IC演变过程中，功能密度(例如，每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，同时几何尺寸(即，使用制造工艺能够产生的最小组件或线)减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个实施例，提供了一种极紫外(EUV)掩模，包括：衬底；反射多层堆叠，在所述衬底上；以及经图案化吸收体层，在所述反射多层堆叠上，其中，所述经图案化吸收体层包括第一层吸收体材料和不同于所述第一层吸收体材料的第二层吸收体材料，所述第一层吸收体材料具有小于0.95的折射率和大于0.01的消光系数。
[0004]根据本公开的另一实施例，提供了一种使用EUV掩模的方法，所述方法包括：将所述EUV掩模暴露于入射辐射，所述EUV掩模包括：衬底；反射多层堆叠，在所述衬底上；以及经本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种极紫外EUV掩模，包括：衬底；反射多层堆叠，在所述衬底上；以及经图案化吸收体层，在所述反射多层堆叠上，其中，所述经图案化吸收体层包括第一层吸收体材料和不同于所述第一层吸收体材料的第二层吸收体材料，所述第一层吸收体材料具有小于0.95的折射率和大于0.01的消光系数。2.根据权利要求1所述的EUV掩模，其中，所述第一层吸收体材料选自如下合金：所述合金包括钌Ru、铬Cr、钽Ta、铂Pt、金Au、铱Ir、钛Ti、铌Nb、铑Rh、钼Mo、钨W或钯Pd，并且包括选自钌Ru、铬Cr、钽Ta、铂Pt、钯Pd、钨W、金Au、铱Ir、钛Ti、铌Nb、铑Rh、钼Mo、铪Hf、硼B、氮N、硅Si、锆Zr或钒V的至少一种合金元素。3.根据权利要求2所述的EUV掩模，其中，所述第一层吸收体材料和所述第二层吸收体材料选自如下合金：所述合金包括钌Ru、铬Cr、钽Ta、铂Pt或金Au，并且包括选自钌Ru、铬Cr、钽Ta、铂Pt、钯Pd、钨W、金Au、铱Ir、铌Nb、铑Rh、钼Mo、铪Hf或钒V的至少一种合金元素。4.根据权利要求3所述的EUV掩模，其中，所述经图案化吸收体层还包括第三层吸收体材料，所述第三层吸收体材料选自如下合金：所述合金包括钌Ru、铬Cr、钽Ta、铂Pt或金Au，并且包括选自钌Ru、铬Cr、钽Ta、铂Pt、钯Pd、钨W、金Au、铱Ir、铌Nb、铑Rh、钼Mo、铪Hf或钒V的至少一种合金元素。5.根据权利要求4所述的EUV掩模，其中，所述经图案化吸收体层还包括第四层吸收体材料，所述第四层吸收体材料选自如下合金：所述合金包括钌Ru、铬Cr、钽Ta、铂Pt或金Au，并且包括选自钌Ru、铬Cr、钽Ta、铂Pt、钯Pd、钨W、金Au、铱Ir、铌Nb、铑Rh、钼Mo、铪Hf或钒V的至少一种合金元素。6.根据权利要求2所述的EUV掩模，其中，所述第一层吸收体材料选自如下合金：所述合金包括铱Ir、钛Ti、铌Nb、铑Rh、钼Mo、钨W或钯Pd，并且包括选自钌Ru、钽Ta、钯Pd、钨W、铱Ir、钛Ti、铌Nb、铑Rh、钼Mo、硼B、氮N、硅Si或锆Zr的至少一种合金元素。7.根据权利要求6所述的EUV掩模，其中，所述经图案化吸收体层还包括第三层吸收体材料，所述第三层吸收体材料选自如下合金：所述合金包括铱Ir、钛Ti、铌Nb、铑Rh、钼Mo、钨W或钯Pd，并且包括选自钌Ru、钽Ta、钯Pd、钨W、铱Ir、钛Ti、铌Nb、铑Rh、钼Mo、硼B、氮N...

【专利技术属性】
技术研发人员：许倍诚，林秉勋，连大成，李信昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：