根据一个实施例，本发明提供了半导体处理装置。半导体处理装置包括腔室；位于腔室中用于支撑半导体衬底的基站；围绕基站的预热组件；相对于基站固定并且被配置为将热量引导至半导体衬底的第一加热元件；以及相对于基站可移动并且可操作地将热量引导至半导...

本文公开了用于增强诸如鳍式场效应晶体管(FET)或全环栅(GAA)FET的多栅极器件的性能的外延源极/漏极结构以及制造外延源极/漏极结构的方法。示例性源极/漏极结构从最顶部沟道层延伸至半导体衬底中一定深度。源极/漏极结构包括具有槽形顶面...

本公开提出一种互连结构。互连结构包含导电层的第一部分、邻近导电层的第一部分设置的导电层的第二部分以及在导电层的第一和第二部分之间设置的介电泡沫。介电泡沫包含用二氧化碳气体填充的流体间隙。化碳气体填充的流体间隙。化碳气体填充的流体间隙。

本公开涉及半导体结构及其形成方法。在一些实施例中，本公开涉及一种半导体结构。该半导体结构包括堆叠半导体衬底，该堆叠半导体衬底具有设置在基础半导体衬底之上的半导体材料。该基础半导体衬底具有第一热膨胀系数并且半导体材料具有第二热膨胀系数，该...

本公开提供一种半导体结构。根据本公开的一半导体结构包括源极特征与漏极特征、源极特征与漏极特征之间的主动区、主动区上方的栅极结构、设置于源极特征以及漏极特征还有栅极结构上方的前侧互连结构、设置于源极特征以及漏极特征还有栅极结构下方的后侧互...

本公开涉及半导体结构及其形成方法。一种半导体器件包括：在半导体鳍上的栅极结构、在栅极结构上的电介质层、以及延伸穿过电介质层到栅极结构的栅极接触件。栅极接触件包括：在栅极结构上的第一导电材料，第一导电材料的顶表面在电介质层的侧壁之间延伸；...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，在设置在衬底之上的第一层间电介质(ILD)层之上形成第一导电层，在第一导电层之上形成第二ILD层，在第二ILD层中形成过孔以与第一导电层的上表面接触，在第二ILD层之上形成硬掩...

提供半导体结构和制造工艺。根据本发明的半导体包括具有沿着第一方向延伸的第一鳍、第二鳍和第三鳍的第一区以及邻接该第一区的第二区。该第二区包括沿着第一方向延伸的第四鳍和第五鳍。该第一鳍与第四鳍对准，并且第二鳍与第五鳍对准。该第三鳍终止于第一...

提供了一种封装件及其形成方法。封装件包括集成电路管芯。集成电路管芯的侧壁具有第一刻面和第二刻面。第一刻面和第二刻面具有不同的倾斜度。封装件包括围绕集成电路管芯并与第一刻面和第二刻面物理接触的密封剂以及位于集成电路管芯和密封剂上方的绝缘层...

在一个实施例中，一种器件包括：插件；第一集成电路器件，连接至插件；第二集成电路器件，连接至邻接第一集成电路器件的插件；散热管芯，位于第二集成电路器件上；以及密封剂，位于散热管芯、第二集成电路器件、和第一集成电路器件周围，密封剂的顶面与散...

提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明的方法包括：形成包括多个电子集成电路(EIC)的第一晶圆；形成包括多个光子集成电路(PIC)的第二晶圆；将第一晶圆接合至第二晶圆以形成第一堆叠晶圆。将第一晶圆接合至第二晶圆包括将多个EIC的每个与...

本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一和第二核心区域；第一和第二输入/输出(I/O)区域，彼此耦合并耦合至第一和第二核心区域；第一和第二I/O区域介于可消耗区域和对应的第一和第二核心区域之间；密封环，围绕核心...

第一实施例涉及一种放大器电路，该放大器电路包括具有在亚阈值中偏置的驱动PMOS的正偏置电路、具有在亚阈值中偏置的驱动NMOS的负偏置电路以及耦合到偏置电路的放大电路。放大电路包括具有第一升压级的第一级、具有第二升压级的第二级以及耦合在第...

一种半导体结构及集成电路，半导体结构包括形成于基板上的隔离结构、形成于隔离结构上的环绕式栅极晶体管结构、电性耦接至环绕式栅极晶体管结构栅极的通孔，以及在隔离结构内并电性耦接至通孔的埋入式导电垫，上述埋入式导电垫可以在两个维度上(例如在垂...

半导体装置的制造方法包含在装置区中提供鳍元件，以及在鳍元件上方形成虚设栅极。在一些实施例中，方法更包含在相邻于虚设栅极的源极/漏极区中形成源极/漏极部件。在一些情况中，源极/漏极部件包含底部区及顶部区，顶部区在顶部区与底部区之间的界面接...

提供一种电阻值控制单元，适用于形成在一集成电路上的一神经网络。电阻值控制单元包括多个电阻、多个开关以及多个存储器单元。电阻耦接于神经网络的一第一节点和一第二节点之间。开关耦接于电阻，并配置以控制从第一节点流至第二节点的一电流。存储器单元...

本公开涉及包含石墨的互连结构及其形成方法。一种方法包括形成第一导电特征，在第一导电特征上方沉积石墨层，图案化石墨层以形成石墨导电特征，在石墨层上沉积电介质间隔层，在电介质间隔层上方沉积第一电介质层，平坦化第一电介质层，在第一电介质层上方...

本公开总体涉及利用有利区域和不利区域的几何掩模规则检查。一种方法包括：根据多个目标图案来生成衍射图；根据衍射图来生成有利区域和不利区域；在有利区域中放置多个亚分辨率图案；以及对多个亚分辨率图案执行多个几何操作，以生成经修改的亚分辨率图案...

本公开涉及集成电路芯片及其形成方法。本公开的各种实施例涉及一种集成电路(IC)芯片，其中键合焊盘结构延伸到具有高过孔密度的柱状结构。例如，互连结构位于衬底的正面，并且包括形成柱状结构的第一键合导线、第二键合导线和一个或多个键合过孔。键合...

本公开总体涉及具有多种类型底部填充物的封装件及其形成方法。一种方法包括：将第一封装组件接合在第二封装组件之上，在第一封装组件和第二封装组件之间散布第一底部填充物，并且将第三封装组件接合在第二封装组件之上。第二底部填充物在第三封装组件与第...