一种半导体装置，包括基板及晶体管。晶体管包括位于基板上方的第一通道区以及与第一通道区接触的源极/漏极区。源极/漏极区具有相对于基板的第一表面以及从第一表面延伸的侧表面。硅化物层设置于源极/漏极区的第一表面及侧表面上。及侧表面上。及侧表面上。

一种形成半导体装置的方法包括接收半导体基板。半导体基板具有顶表面并包括半导体元素。半导体基板具有形成在其上的鳍片结构。凹蚀鳍片结构以形成源极/漏极沟槽；在源极/漏极沟槽中在凹蚀的鳍片结构上方形成第一介电层；在源极/漏极沟槽的底表面下方的...

一种半导体装置，包含第一、第二MIM结构，第一MIM结构包含彼此堆叠的第一底部导体板、第一介电层的第一部分第一中间导体板第二介电层的第一部分以及第一顶部导体板，第二MIM结构包含彼此堆叠的第二底部导体板、第一介电层的第二部分、第二中间导...

一种内连线结构，包括介电层、第一导电部件、第二导电部件、第三导电部件和电介质填充物。第一导电部件，设置于介电层中。第二导电部件，设置于第一导电部件上方。第二导电部件包括设置于第一导电部件上方的第一导电层、设置于第一导电层上的第二导电层以...

一种半导体装置结构，包含多个通道结构的堆叠于半导体鳍片上方，以及栅极堆叠包绕此些通道结构。半导体装置结构同样包含源极/漏极外延结构相邻于此些通道结构，以及隔离结构环绕半导体鳍片。半导体鳍片的突出部分自隔离结构的顶表面突出。半导体装置结构...

本公开提出一种半导体装置结构。导体装置结构包括第一源极/漏极外延部件；第二源极/漏极外延部件，设置邻近于第一源极/漏极外延部件；第一介电层，设置于第一源极/漏极外延部件及第二源极/漏极外延部件之间；第一介电间隔物，设置于第一介电层下方；...

本发明实施例关于一种集成芯片。上述集成芯片包括一基底。一第一导电部件在上述基底的上方。一第二导电部件在上述基底的上方，并横向邻近上述第一导电部件。一凹孔将上述第一导电部件与上述第二导电部件横向分离。一介电衬层沿着上述凹孔的底部从上述第一...

一种形成半导体装置的方法，包括：对鳍片堆叠执行第一蚀刻工艺，以形成位于第一深度的第一凹槽与第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽在栅极结构的两侧，栅极结构在鳍片堆叠上。方法还包括在第一凹槽与第二凹槽之中沉积内间隔物。方法还包括在沉积内间隔物之后，...

本公开总体涉及双栅极线配置中的存取晶体管及其形成方法。半导体结构包括在衬底上面的单位单元结构的二维阵列。每个单位单元结构包括有源层、在有源层下面的栅极电介质、在栅极电介质下面的两个栅极电极、以及在有源层上面的漏极电极和两个源极电极。字线...

本申请公开了晶体管隔离区域及其形成方法。在一个实施例中，一种方法包括：在衬底中蚀刻沟槽；利用原子层沉积工艺在沟槽中沉积衬里材料；利用轮廓形成可流动化学气相沉积工艺在衬里材料上并且沟槽中沉积可流动材料；将衬里材料和可流动材料转化为固体绝缘...

本公开涉及晶体管隔离区域及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：从衬底延伸的第一半导体鳍；从衬底延伸的第二半导体鳍；混合鳍，位于衬底之上，第二半导体鳍被设置在第一半导体鳍和混合鳍之间；第一隔离区域，位于第一半导体鳍和第二半导体鳍之间...

本公开涉及半导体器件的源极/漏极区域及其形成方法。一种器件包括：第一纳米结构，位于半导体衬底之上；第二纳米结构，位于第一纳米结构之上；栅极结构，围绕第一纳米结构和第二纳米结构；第一外延区域，位于半导体衬底中并与栅极结构相邻，其中，第一外...

本公开涉及半导体器件的散热和制造方法。公开了具有改进的散热的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括第一晶体管结构；前侧互连结构，位于所述第一晶体管结构的前侧上，所述前侧互连结构包括前侧导电线；后侧互连结构，位于所述第一晶体...

本发明实施例涉及用于浆料质量监测的方法和系统。一种浆料质量监测的方法包含：通过浆料输送系统的管道网络将浆料输送到半导体工具；将电极对耦接管道网络的管路外侧管壁；测量与电极对相关的一或多个电容值，其中浆料是电极对之间的绝缘层；及根据一或多...

本发明实施例涉及一种流体传感器系统。本揭露提供一种流体传感器及一种用于制作流体传感器的方法。所述流体传感器包含：衬底，其包含第一材料且具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其中所述衬底进一步包括从所述第一表面凹陷的凹槽；第一导电层...

提供半导体结构及其测试方法。根据本发明的半导体结构包括：衬底、位于衬底上方的半导体器件，其中，半导体器件包括互连结构，该互连结构包括设置在介电层中的多个金属化层；以及分层传感器。分层传感器包括连接结构和位于多个金属化层中的至少一个金属化...

本公开涉及背面源极/漏极接触件及其形成方法。一种半导体器件包括：器件层，该器件层包括：沟道区域；栅极堆叠，位于沟道区域和第一绝缘鳍的侧壁之上并且沿着沟道区域和第一绝缘鳍的侧壁；以及外延源极/漏极区域，与沟道区域相邻，其中，外延源极/漏极...

一种方法包括：在导电部件上方形成第一蚀刻停止层(ESL)，在第一ESL上形成第一介电层，在第一介电层上形成第二ESL，在第二ESL上形成第二介电层，在第二介电层中形成沟槽，在沟槽的底面中形成延伸穿过第二介电层的第一开口，以及在第一开口的...

本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在突出于衬底上方的鳍上方形成金属栅极结构，其中金属栅极结构被层间介电(ILD)层包围，其中栅极间隔件沿金属栅极结构的相对侧壁延伸；使金属栅极结构和栅极间隔件凹进至ILD层的远离衬底的上...

一种用于制造堆叠电容器结构的方法，包括：在基板上方形成第一图案化结构；在该第一图案化结构上方形成第一底部电极；在该第一底部电极上方沉积第一介质膜；在该第一介质膜上方沉积第一顶部电极层；形成第一垂直互连结构；在该第一顶部电极层上方形成第二...