一种半导体特征件，其包括：一半导体基板；一介电结构及设置在所述半导体基板上的一半导体器件；一互连结构，设置在所述介电结构中并电连接至所述半导体器件；一STI结构，设置在所述半导体基板中且围绕所述半导体器件；两个DTI结构，穿透所述半导体...

一种用于排除凹陷区形成的方法，其包括：形成一隔离层；形成一导电层，其与所述隔离层具有一上倾斜边界，使得所述导电层具有一部分，其位于所述隔离层在所述上倾斜边界处的一部分的上方；回蚀刻所述隔离层；以及在回蚀刻所述隔离层之后，回蚀刻所述导电层...

提供了利用减少或消除材料分离的远程等离子体工艺的半导体器件和制造方法。通过减少材料分离，可以在更光滑的界面上沉积上面的导电材料。通过在更光滑的界面上沉积，可以避免沉积的材料的整体损失，这改善了整体良率。这改善了整体良率。这改善了整体良率。

本文中实施例公开一种集成在光子使能电路中的光栅耦合器和其制造方法。在一些实施例中，光栅耦合器包含：衬底，包括硅晶片；第一光栅区，蚀刻到衬底中，其中第一光栅区包括具有第一预定高度的多个第一光栅；以及第二光栅区，蚀刻到衬底中，其中第二光栅区...

本发明提供一种芯片之间的布线结构及芯片之间的布线方法，所述芯片之间的布线结构包括位于基板上的走线层，其中多个布线路径内嵌于走线层中。此外，第一芯片及第二芯片位于走线层上且通过布线路径连接。第一芯片和第二芯片之间的间隙是沿第一方向，且第一...

本揭露涉及一种半导体结构、HEMT结构及其形成方法。本揭露提供一种半导体结构，包含沟道层；位于所述沟道层上方的有源层，其中所述有源层经配置以形成二维电子气体2DEG，所述二维电子气体沿着所述沟道层与所述有源层之间的界面形成在所述沟道层中...

一种集成电路装置包括一层间介电质(ILD)、包埋于该层间介电质中的一第一塔结构以及包括该层间介电质的围绕该第一塔结构延伸的一部分的一第一环形区。该第一塔结构包括在多个金属层中的多个第一导电图案，以及在所述多个金属层之间的沿着该集成电路装...

一种测试系统、裂音监听装置及裂音监听方法，测试系统包括一测试装置及一裂音监听装置。测试装置包括一测试载台及一取件模块。取件模块用以将一半导体元件压接至测试载台上。裂音监听装置包括一数据库单元、一声纹产生单元、一声音传导组及一处理单元。数...

一种测试装置及其取件模块，测试装置包括一测试载台及一取件模块。测试载台包含一测试区与多个端子。这些端子分布于测试区内。取件模块包括一移动手臂、一气道组及一压力缓冲部。移动手臂能够朝测试区的方向移动。压力缓冲部包括一弹性垫体与多个贯穿口。...

一种监测气态分子污染物的方法与系统包括冷凝冲击瓶与加温冲击瓶，其分别装填采样液体。冷却器用以冷却冷凝冲击瓶低于室温。加热器用以加热加温冲击瓶高于室温。第一管体连接于冷凝冲击瓶与加温冲击瓶之间。第二管体插入加温冲击瓶所装填的采样液体内。气...

一种形成半导体结构的方法和物理气相沉积装置及方法，物理气相沉积装置包含腔室、基座、盖环以及屏障。基座设置于腔室的底部。盖环环绕基座并与基座电性绝缘。屏障环绕物理气相沉积装置的腔室壁。屏障包含第一垂直部分、第二垂直部分以及水平部分。第一垂...

在本揭示内容的一些实施方式中，提供一种微影系统及其方法，微影系统包括：辐射源、光罩台、反射式光罩、以及光学元件。辐射源配置以产生辐射光。光罩台包括基座以及位于基座上的光触媒层。反射式光罩设置于基座上，其中光触媒层设置于反射式光罩的一侧。...

在一示例面向，本公开是关于一种半导体装置的形成方法。此方法包括接收在半导体基板上方具有导电部件的工作件，在导电部件上方形成牺牲材料层，去除牺牲材料层的第一部分以形成导线沟槽，并且露出在导线沟槽之一中的导电部件的顶表面；在导线沟槽中形成导...

一种半导体装置，包括包含沟槽的绝缘基底、包含沟槽中的栅极电极与垂直通道并且包含沟槽外的绝缘基底中的源极电极的晶体管、沟槽中的栅极电极上的隔离层以及电容器。电容器包括位于沟槽中的隔离层上的沟槽电容器部分，以及包括耦接至沟槽外的晶体管的源极...

本公开所描述的实施方式提供了一种半导体结构的形成方法，上述方法包括：注入掺杂剂和碳到半导体装置的基板的一部分中。上述方法还包括：在基板的部分上沉积第一硅基(silicon

本公开实施例提供一种半导体封装及其形成方法。所述半导体封装包括封装基板、半导体装置、底部填充元件以及凹槽。半导体装置通过多个电连接件接合到封装基板的表面。底部填充元件形成在半导体装置与封装基板的表面之间，以围绕并保护所述电连接件。底部填...

一种封装结构，包括：第一封装元件、第二封装元件和盖体结构。第一封装元件包括多个集成电路晶粒以及形成于集成电路晶粒之间的底部填充物。第二封装元件包括基底，且第一封装元件安装于基底上。盖体结构设置于第二封装元件上且在第一封装元件周围，且盖体...

一种半导体装置，包括基板和包绕至少一个垂直堆叠纳米结构通道的栅极结构。此装置包括邻接栅极结构的源极/漏极区和源极/漏极区上方的源极/漏极接触件。此装置包括蚀刻停止层，横向位于源极/漏极接触件与栅极结构之间，并具有与源极/漏极接触件接触的...

本公开实施例提供一种半导体封装体。半导体封装体包括第一集成电路裸片、第二集成电路裸片以及整合后端结构。第一集成电路裸片具有第一后端结构，且第二集成电路裸片具有第二后端结构。整合后端结构具有与第一后端结构和第二后端结构直接接触的第一侧。在...

一种半导体装置，包括具有鳍状物的基板；第一源极/漏极结构，其包括第一外延层接触第一鳍状物、第二外延层位于第一外延层上、第三外延层位于第二外延层上且包括中心部分与高于中心部分的边缘部分、以及第四外延层位于第三外延层上；第二源极/漏极结构，...