方法包括形成封装件，这包括：在载体上方形成多个再分布线；以及在载体上方形成散热块。多个再分布线和散热块通过共同的工艺形成。散热块具有第一金属密度，并且多个再分布线具有小于第一金属密度的第二金属密度。方法还包括：在载体上方形成金属杆；将器...

一种半导体装置的形成方法，包括；形成第一外延层于基板上方，以形成晶圆；沉积介电层于第一外延层上方；图案化介电层以形成开口；通过开口蚀刻第一外延层，以形成凹槽；形成第二外延层于凹槽中；蚀刻介电层，以露出第一外延层的顶表面；及平坦化第一外延...

通过在集成电路制造工艺顺序的中间对衬底施加扫描探针显微镜检查，可以避免成本并且提高良率。扫描探针显微镜可以用于提供电导率数据。电导率数据可能与通常在器件制造结束之前不可用的器件特性有关。可以选择性地处理衬底，以改善数据显示的状况。可以基...

一种薄膜组件和倍缩光罩组件的形成方法以及薄膜膜状物，形成薄膜组件的方法包括减少一或多个初始膜状物的厚度以获得薄膜膜状物。接着将薄膜膜状物固定至安装框架以获得薄膜组件。可施加压缩压力以减少初始膜状物的厚度。可替代的是，通过拉伸初始膜状物来...

一种再生靶材的方法及形成材料薄膜的方法，再生靶材的方法包括提供靶材。靶材具有一表面，且此表面具有再沉积薄膜。使用第一激光光束照射靶材的表面的整体。使用第二激光光束照射靶材的表面的一部分，以清除再沉积薄膜。以清除再沉积薄膜。以清除再沉积薄膜。

一种存储器器件包括晶体管和设置在晶体管上并与晶体管电性耦合的存储单元阵列。存储单元阵列包括多个字线、多个位线柱以及插设在字线和位线柱之间多个数据储存层。在存储单元阵列的奇数阶层上的字线的第一部分沿第一方向定向，而在存储单元阵列的偶数阶层...

一种半导体元件、记忆元件以及操作记忆元件的方法，半导体元件包括彼此垂直分离的多个第一纳米结构、环绕各第一纳米结构的第一栅极结构以及彼此垂直分离的多个第二纳米结构。半导体元件还包括环绕第二纳米结构的第二栅极结构、耦接第一纳米结构的第一端的...

本公开提出一种半导体结构。位于金属界面(例如，位于MEOL内连线与栅极接触件或源极或漏极区接触件之间、位于MEOL接触插塞与BEOL金属化层之间及/或位于BEOL导电结构之间)的碳(例如，石墨或石墨烯)的膜层用于降低位于金属界面的接触电...

本公开涉及双栅极铁电场效应晶体管器件及其形成方法。具有双栅极结构的铁电场效应晶体管(FeFET)包括：第一栅极电极、第一栅极电极之上的第一铁电材料层、第一铁电材料层之上的半导体沟道层、与半导体沟道层接触的源极电极和漏极电极、半导体沟道层...

一种挥发性有机化合物的去除系统及其方法，挥发性有机化合物(volatile organic compound；VOC)去除系统从半导体制程的废液中去除VOC。VOC去除系统量测当前VOC去除参数且将其传递至经机器学习过程训练后的分析模型...

一种集成电路结构及其形成方法，集成电路结构包含基板、晶体管、第一介电质层、金属接触、第一低k介电质层、第二介电质层、第一金属特征。晶体管位于基板上方。第一介电质层位于晶体管上方。金属接触位于第一介电质层内并与晶体管电连接。第一低k介电质...

一些实施例涉及布置在衬底上的CMOS图像传感器。多个像素区域包括分别被配置为接收从所述背面进入所述衬底的辐射的多个光电二极管。边界深沟槽隔离(BDTI)结构布置在像素区域的边界区域处，并且包括在第一方向上延伸的第一组BDTI部段和在垂直...

一种用于物理气相沉积的设备和方法包括：磁控管，其具有位于基座和导磁板之间的多个电磁体。磁控管包括位于基座和导磁板之间的多个单独控制的电磁体。磁控管控制供应给各个电磁体的电流的极性和强度，以产生磁场将电子限制在沉积腔室内靶材附近的区域。在...

提供集成电路的制造方法与半导体元件，集成电路元件的制造方法包含沉积导电层于基材上；图案化导电层，以暴露出导电层的数个区域；蚀刻导电层的暴露出的数个区域的第一部分；形成第一钝化层于经蚀刻的第一部分的侧壁上；蚀刻导电层的暴露出的数个区域的第...

一种辐射源设备及其使用方法，辐射源设备包括容器、激光源、收集器和反射镜。容器具有出口孔。激光源位于容器的一端并用以激发靶材料以形成电浆。收集器设置在容器中并用以收集由电浆发出的辐射并将收集的辐射引导至容器的出口孔。反射镜在容器中并且用以...

本揭露提供一种存储器阵列、半导体芯片及存储器阵列的制造方法。存储器阵列包括第一信号线、第二信号线与记忆胞元。第一信号线沿第一方向延伸。第二信号线在第一信号线上沿第二方向延伸。记忆胞元定义在第一与第二信号线的交错处，且分别包括可变电阻层、...

本公开实施例涉及一种用于形成集成芯片的方法，包括：在衬底内形成包括第一掺杂类型的多个图像感测元件；实行第一移除工艺以在衬底内形成多个深沟槽，多个深沟槽将所述多个图像感测元件彼此隔开；实行外延生长工艺以在多个深沟槽内形成包括第一材料的隔离...

本公开描述了具有衬底、第一井区、第二井区和第三井区的结构。第一井区位于衬底中。第二井区位于第一井区中，并包括第一源极/漏极(S/D)区。第三井区位于衬底中，并且和第一井区相邻。第三井区包括一个第二S/D区，其中第一S/D区和第二S/D区...

提供一种形成半导体结构的方法。方法包括在基板的主动区上方形成栅极结构；在栅极结构的相对侧的主动区的部分上方形成包含第一导电类型的第一掺杂剂的磊晶层；磊晶层，将包含臭氧及去离子水的清洗溶液应用至磊晶层，从而在磊晶层上形成氧化层；在氧化层及...

本揭露提供了一种物理气相沉积(PVD)系统和处理标的物的方法。PVD系统包括一PVD腔室，PVD腔室界定一PVD空间，在PVD空间内将一标的物的一标的物材料沉积至一晶圆上。PVD系统包括PVD腔室中的标的物。标的物用以覆盖在晶圆上。标的...