公开半导体装置与其制作方法。方法可包含形成鳍状结构于基板上；形成源极/漏极区于鳍状结构上；形成栅极结构于鳍状结构上以与源极/漏极区相邻；以及形成盖结构于栅极结构上。形成盖结构的步骤包括：形成导电盖于栅极结构上，形成盖衬垫于导电盖上，以及...

本公开涉及半导体存储器件及制造方法。一种半导体器件包括：存储结构，在衬底之上，其中，该存储结构包括第一字线；第一位线，在第一字线之上；第二位线，在第一位线之上；存储材料，在第一位线和第二位线的侧壁之上；第一控制字线，沿着存储材料的第一侧...

一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：形成包括掺杂剂组成物的一掺杂剂层至一基板之上。形成包括抗蚀剂组成物的一抗蚀剂层至掺杂剂层之上。使一掺杂剂自掺杂剂层中的掺杂剂组成物扩散至抗蚀剂层中；及在抗蚀剂层中形成一图案。一图案。一图案。

在一些实施例中，本公开是关于包括在基板上的第一互连介电层的集成芯片。互连导线延伸穿过第一互连介电层，且导线结构上介电质直接设置于互连导线上。导线结构上介电质的外壁被第一互连介电层围绕。集成芯片更包括第二互连介电层，设置于第一互连介电层上...

本文公开了半导体结构的形成方法，包括提供结构，结构包括长度方向沿第一方向且宽度方向沿垂直于第一方向的第二方向的鳍片；邻近鳍片侧壁的隔离结构；在鳍片上方的第一和第二源极/漏极部件；形成蚀刻遮罩，露出第一源极/漏极部件下方鳍片的第一部分，且...

半导体装置与其制作方法关于形成沟槽于半导体装置的鳍状物(如鳍状场效晶体管装置的鳍状物)上，并形成多层介电结构于沟槽中。依据应用可控制多层介电结构的轮廓，以减少阴影效应并减少切割失败的风险，并具有其他可能的优点。多层介电结构可包含两层、三...

此处说明半导体装置与其制作方法。方法包括图案化鳍状物于多层堆叠中，并形成开口于鳍状物中，以作为形成源极/漏极区的初始步骤。开口形成至其状物的寄生通道区中。一旦形成开口，可外延成长第一半导体材料于开口底部，且第一半导体材料的高度高于寄生通...

本公开提供一种集成电路。上述集成电路包括连接至字元线与位元线的存储器单元阵列，其中字元线与位元线位于存储器单元的两侧。存储器单元可包括栅极全环晶体管。根据本公开的存储器电路亦包括具有字元线接头结构的边缘单元，字元线接头结构被配置以连接前...

一种半导体装置，包括多个半导体层的堆叠，垂直配置于半导体基底结构上；栅极介电层，具有多个部分各自围绕半导体层的一者；以及栅极，围绕栅极介电层。栅极介电层的每一部分具有顶部位于个别的半导体层上，以及底部位于半导体层下。顶部具有沿着垂直于半...

本文公开了蚀刻凹槽的改进方法。在一些实施方式中，在干蚀刻源极/漏极接触件上方的氧化物层之后、在清洁之前，氧化氟。因此，在清洁期间形成较少的氢氟酸，这减少了源极/漏极接触件不预期的湿蚀刻。这允许在源极/漏极接触件中形成深度与宽度比在约1....

本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括基板；第一半导体通道与第二半导体通道，位于基板上且横向分开。栅极结构覆盖并包覆第一与第二半导体通道。第一源极/漏极区邻接栅极结构的第一侧上的第一半导体通道，且第二源极/漏极区邻接栅极结构的第一侧上...

公开一种集成电路装置。装置包含设置在基底上方的第一通道层、设置在第一通道层上方的第二通道层、以及围绕第一通道层和第二通道层的栅极堆叠。源极/漏极部件设置成邻近第一通道层、第二通道层和栅极堆叠。源极/漏极部件设置在第一通道层的多个第一刻面...

一种半导体装置，包括金属绝缘体金属(MIM)电容器。MIM电容器包括：多个电极，多个电极包括一或多个第一电极以及一或多个第二电极；以及一或多个绝缘层，设置于相邻的多个电极之间。MIM电容器设置于层间介电(ILD)层中，且ILD层设置于基...

一种极紫外光刻设备及其方法，光刻设备的来源容器内收集导片的碎屑的微波加热用于实现均匀的温度分布，以减少在导片的内外表面上的落下污染和堵塞物的形成。的落下污染和堵塞物的形成。的落下污染和堵塞物的形成。

一种半导体装置的形成方法，包括：在半导体结构的源极区与漏极区的上方形成第一层间介电层；在第一层间介电层的上方形成第一遮罩材料；在第一遮罩材料蚀刻出多个第一开口；以填充材料填充第一开口；在填充材料蚀刻出第二开口；以第二遮罩材料填充第二开口...

本公开提供一种集成电路，包括基板上的第一纳米结构晶体管以及第二纳米结构晶体管。第一纳米结构晶体管的源极/漏极区域通过底部介电区域与半导体基板电性隔离。第二纳米结构晶体管的源极/漏极区域与半导体基板直接接触。体管的源极/漏极区域与半导体基...

一种半导体结构的制造方法，包括：接收具有前表面与背表面的基底；在基底形成一第一介电材料的隔离部件，定义被隔离部件围绕的主动区；在主动区上形成栅极堆叠物；在主动区上形成第一与第二源极/漏极部件；形成前接触部件而接触第一源极/漏极部件；从背...

根据本公开的方法包括接收一工作部件，其包括第一源极/漏极特征部件、位于第一源极/漏极特征部件上的第一介电层，以及设置于第一介电层及第一源极/漏极特征部件上的源极/漏极接点。上述方法更包括沉积一第二介电层于源极/漏极接点及第一介电层上、形...

一种记忆体装置及其操作方法，记忆体装置包括位元线(BL)；源极线(SL)；及分别可操作地耦接在BL与SL之间的多个非挥发性记忆体单元。多个非挥发性记忆体单元中的每一者包括彼此串联耦接的具有可变电阻的电阻器、第一晶体管及第二晶体管。响应于...

一种半导体封装结构及其封装方法，包括：第一底电连接器；中介层，形成于第一底电连接器之上，中介层包括：第一底导孔结构，与第一底电连接器接触；第一重分布层结构的第一走线，形成于第一底导孔结构之上；第一导孔结构，形成于第一重分布层结构的第一走...