一种低压降调节器电路以及产生稳定电压的方法，提供了用于控制过驱动低压降调节器电路的电源切断的系统及方法。该系统被设计为具有低压降调节器电路，该低压降调节器电路用以以非常低的电流在安全操作区域范围内操作。该电路包括调节器、电流提升器及电源...

本发明提出一种半导体装置。半导体装置包括沿第一横向方向延伸的栅极结构。半导体装置包括沿第二横向方向设置在栅极结构的一侧上的源极/漏极结构，第二横向方向垂直于第一横向方向。半导体装置包括沿第二横向方向设置在栅极结构至源极/漏极结构之间的气...

半导体结构包含形成在基底上方的第一半导体装置和形成在基底上方的第二半导体装置。第一半导体装置包含基底上方的第一源极/漏极部件、基底上方的第一栅极结构、第一源极/漏极部件上方的第一导电部件、以及第一栅极结构和第一导电部件之间的第一绝缘层。...

本公开提出一种半导体装置。第一区中的半导体装置包括隔有第一距离的第一非平面半导体结构；以及第一隔离区，包含第一层与第二层且一起埋置每一第一非平面半导体结构的下侧部分。第一隔离区的第一层与第二层的至少一者为固化态。第二区中的半导体装置包括...

本揭示案描述一种具有受控聚酰亚胺轮廓的结构及一种形成此种结构的方法。此方法包括以下步骤：在基板上沉积含有聚酰亚胺的光阻剂；及在第一温度下执行第一退火。方法进一步包括以下步骤：透过一光遮罩将此光阻剂曝光于辐射源，此光遮罩具有与聚酰亚胺开口...

一种半导体装置的制造方法，包括：形成由第一半导体材料构成的多个第一层与由第二半导体材料构成的多个第二层交替排列而成的一多层堆叠于一半导体基底上；形成一第一凹槽，穿过多层堆叠；以及横向凹入多层堆叠的第二层的侧壁。上述侧壁与第一凹槽相邻。上...

本公开实施例提供一种半导体晶粒封装及其形成方法。所述半导体晶粒封装包括封装基板以及设置于其上的第一半导体晶粒和第二半导体晶粒。环结构附接到封装基板并围绕半导体晶粒。盖结构附接到环结构并设置于半导体晶粒之上，且具有暴露第二半导体晶粒的开口...

提供了半导体封装件及其形成方法。半导体封装件包括封装衬底和安装在封装衬底的表面上的半导体器件。第一环设置在封装衬底的表面上方并围绕半导体器件。第二环设置在第一环的顶面上方。而且，第一环的顶面和第二环的底面上分别形成突出部分和匹配的凹进部...

本申请的实施例提供了三维结构和方法，其中电容器与第一半导体器件分开形成，电容器然后连接到第一半导体器件。例如，提供电容器芯片，然后将其接合到第一半导体管芯。用第一密封剂密封电容器芯片和第一半导体管芯，并且减薄电容器芯片和第一半导体管芯中...

一种半导体元件的制造方法，实施方式提供对于沉积在源极/漏极凹槽中的介电层的处理制程。该处理制程改变介电层的水平部位的蚀刻选择性，以使介电层的水平部位具有低于介电层的垂直部位的蚀刻速率。通过湿式蚀刻制程去除垂直部位，以在源极/漏极凹槽的底...

提供了一种集成电路。该集成电路包括三维存储器器件、第一字线驱动电路和第二字线驱动电路。三维存储器器件包括分别沿列方向延伸的堆叠结构。每个堆叠结构包括字线的堆叠。堆叠结构具有位于第一侧的第一阶梯结构和位于第二侧的第二阶梯结构。字线延伸到第...

本发明的实施例提供了一种封装件结构、封装件及其形成方法。封装件结构包括第一管芯，位于第一管芯上方并且电连接到第一管芯的第二管芯，在第二管芯周围的绝缘材料，延伸穿过绝缘材料并电连接到第二管芯的第一天线，第一天线与第二管芯的第一侧壁相邻，其...

本文描述的一些实施方式提供一种电子装置和其制造方法。电子装置包括延伸穿过电子装置的介电质结构并且延伸进电子装置的基板的第一导电结构。电子装置包括具有多个层的防护圈，其沿着第一导电结构的第一垂直部分的一或多个侧边延伸。电子装置包括沿着第一...

本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。一种半导体结构包含衬底上方的栅极堆叠及放置于所述栅极堆叠与所述衬底之间的阻挡层。所述栅极堆叠包含上电极、下电极、放置于所述上电极与所述下电极之间的铁电层及放置于所述铁电层与所述下电极之间的第一晶种...

本发明实施例涉及一种半导体结构及制造半导体结构的方法。所述半导体结构包含封装结构。所述封装结构包含：钝化层，其形成在互连结构上方；导电结构，其形成在所述钝化层上且延伸穿过所述钝化层以电接触所述互连结构；电介质结构，其形成在所述钝化层上方...

一种半导体装置以及可控电路启用方法，半导体装置包含：迟滞块，用以产生处于对应禁用启用电压位准的输出电压；及核心电压闸控(CVG)装置，用以接收核心电压，迟滞块的输入端耦接至控制节点。核心电压闸控装置用以回应于核心电压处于或低于第一触发位...

本公开涉及异质电介质键合方案。一种方法包括：将第一封装组件置为与第二封装组件接触。第一封装组件包括第一电介质层，该第一电介质层包括第一电介质材料，并且第一电介质材料是基于氧化硅的电介质材料。第二封装组件包括第二电介质层，该第二电介质层包...

一种极紫外光曝光工具及其操作方法，曝光工具配置以移除污染物及/或防止在曝光工具中包括的镜子及/或其它光学部件的污染。在一些实施中，曝光工具配置以使用加热气体(诸如臭氧(O3)或超净干燥空气(extra clean dry air；XCD...

实施例包括一种器件，具有：第一组纳米结构，位于衬底上，该第一组纳米结构包括第一沟道区域；第二组纳米结构，位于衬底上，该第二组纳米结构包括第二沟道区域；栅极介电层，围绕第一组和第二组纳米结构中的每个；第一功函数调整层，位于第一组纳米结构的...

提供了一种感测放大器和感测放大器电路。第一反相器的第一端子连接到电源节点，并且第一反相器的第二端子连接到单元电流源。第二反相器的第一端子连接到电源节点，并且第二反相器的第二端子连接到参考电流源。第一反相器在第一节点和第二节点处与第二反相...