一种测试记忆体装置及其测试方法，记忆体装置包含多个记忆体子阵列。经由字元线阶梯及多个互连结构来存取这些记忆体子阵列中的每一者。该记忆体装置包含多个测试结构。这些测试结构中的每一者对应于这些记忆体子阵列中的一者，并且包含:(i)测试字元线...

本发明实施例提供一种半导体封装，包含封装衬底、密封半导体器件以及多个导电凸块。封装衬底包含器件安装区、多个衬底衬垫以及阻焊层。密封半导体器件安置在器件安装区上方且包含多个器件衬垫。导电凸块通过阻焊层连接在多个衬底衬垫与多个器件衬垫之间且...

一种集成电路、互补式金属氧化物半导体装置及其制造方法，互补式金属氧化物半导体(CMOS)装置及其制造方法包括形成在第一衬底上的第一类型的晶体管及形成在第二衬底上的第二类型的晶体管。当第一衬底接合至第二衬底时，形成CMOS装置。形成CMO...

一种半导体元件及其制造方法，本揭示内容的多个实施方式提供自两个或更多的鳍式结构中形成合并的源极/漏极特征的方法。根据本揭示内容的合并的源极/漏极特征具有合并部分，合并部分相对于源极/漏极特征的总高度，具有提升的高度百分比。提升的高度百分...

一种纳米结构场效晶体管与其形成的方法，纳米结构场效晶体管包括具有鳍部的基材、隔离区域在基材上并沿鳍部的相异侧、纳米结构在鳍部上、磊晶源极/漏极区相邻于纳米结构、及栅极电极在纳米结构上。磊晶源极/漏极区包括第一半导体材料部分，每个第一半导...

提供一种镀覆系统及电镀晶圆的方法。镀覆系统包含电镀腔室，其界定了电镀区域，其中晶圆在电镀区域内被电镀。电镀腔室包含入口，其配置以将电镀液引入至电镀腔室的电镀区域中。电镀腔室包含出口，其配置以将电镀液从电镀腔室的电镀区域移除。镀覆系统包含...

本揭露提供一种记忆体设备、半导体设备及其制造方法，包括沿着垂直方向设置的多个第一记忆体单元的记忆体设备。多个第一记忆体单元的每一者包括第一通道段的部分，此部分沿垂直方向延伸并具有第一侧壁及第二侧壁。第一通道段的第一侧壁及第二侧壁分别面向...

一种半导体元件及其制造方法，在制造导体元件的方法中，形成从设置于基板之上的隔离绝缘层突出的鳍片结构，形成牺牲栅极介电层于鳍片结构之上，形成多晶硅层于牺牲栅极介电层之上，形成遮罩图案于多晶硅层之上，以及使用遮罩图案作为蚀刻遮罩，将多晶硅层...

在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片及用于形成集成芯片的方法。所述集成芯片，包含：上覆于设置在下部层间介电层内的内连线结构的底部电极；位于底部电极上方的顶部电极；位于顶部电极与底部电极之间的数据存储结构；直接上覆于内连线结构的导电阻挡...

本发明提供一种两个管芯之间的通信接口的电路和管理通信接口的方法。所述电路包含：第一管芯的第一接口，具有用以将具有N个位的输入数据串行化成串行化数据以供传输出去的串行器；以及第二管芯的第二接口，具有用以接收串行化数据且将其解串成解串化数据...

ESD保护器件包括形成在半导体主体中的PN二极管。PN二极管具有与半导体主体的前侧上的金属结构耦合的第一接触件和与半导体主体的背侧上的金属结构耦合的第二接触件。耦合到第一接触件的金属与耦合到第二接触件的金属间隔半导体主体的厚度。该间隔极...

一种微影装置及用于微影装置的液滴产生器的保养方法，微影装置包含液滴产生器、液滴产生器维护系统、以及与液滴产生器维护系统连通的控制器。液滴产生器维护系统与液滴产生器、冷却剂配送单元、气体供应单元、以及支撑构件可操作地连通。气体供应单元包含...

本发明提供一种用于处理管芯与存储器管芯之间连接的通信接口结构，包含存储器管芯、处理管芯以及互连路由。存储器管芯包含第一接口边缘，其中第一接口边缘拆分成多个接口组。处理管芯中的每一个包含第二接口边缘。互连路由分别将处理管芯的第二接口边缘连...

本揭露提供一种物理气相沉积构件以及清洁静电吸盘的方法，清洁静电吸盘的方法包含将半导体晶圆置于物理气相沉积装置的静电吸盘上。半导体晶圆包含低k介电层位于下层结构上，以及抗反射层位于低k介电层上。沉积包含氮化钛的硬遮罩于抗反射层上，且包含氮...

一种热高峰抑制装置包括一散热鳍片组、一散热器、一鳍片阵列架、一填充气体、一热相变材料及一毛细导管。散热器热耦接散热鳍片组，其内具有一封闭腔室。鳍片阵列架位于封闭腔室的冷区内，且固定地连接导热块。填充气体位于冷区内。热相变材料位于封闭腔室...

一种移除微粒的方法，包括提供电荷至支撑座的表面上及表面的微粒上、移动清洁元件靠近表面、以及移动清洁元件远离表面。提供电荷至支撑座的表面上及表面的微粒上可使支撑座的表面和表面的微粒带有相同的负电电性。清洁元件具有静电吸附层，可使具有负电电...

提供了一种用于校准热感测装置的方法、设备及校准系统。该方法包括从二极管阵列在第一温度下的第一增量电压提取该二极管阵列的增量电压比温度曲线。加热二极管阵列和包括热感测器的被测装置(device under test,DUT)。在加热二极管...

提供一种后电填充模块及用于后电填充模块的校准方法。用于后电填充模块的校准方法包括：设置校正器具于晶圆固持器上方，校正器具包括支架、影像侦测器，以及第一、第二及第三激光光源。设置晶圆于晶圆固持器上，晶圆的中心对准第一激光光源放射出的第一激...

一种散热结构、半导体封装装置及半导体封装装置的制造方法，散热结构包括一散热金属盖和一仿真硅晶片。散热金属盖具有一盖体与一凹陷部。凹陷部形成于盖体的一面，用以容置一热源。仿真硅晶片位于凹陷部内，仿真硅晶片的一侧固接该散热金属盖，另侧用以热...

本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一装置区和第二装置区。第一装置区包括从基板延伸的第一源极/漏极区以及第一及第二对间隔物。第一源极/漏极区延伸于第一对间隔物及第二对间隔物之间。第一对间隔物及第二对间隔物具有第一高度。第二装置区包...