一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含第一晶圆及第二晶圆。半导体装置包含密封环结构，其包含在第一晶圆的主体内的第一金属结构、在第一晶圆的主体内的第二金属结构、在第二晶圆的主体内的第三金属结构及金属接合结构。金属接合结构包括透过第一晶...

一种记忆体装置及存取记忆体装置的方法，记忆体装置包含多个电阻式随机存取记忆体单元，其是共同连接在位元线及源极线之间。每一个电阻式随机存取记忆体单元包含彼此串联连接的电阻器、第一晶体管及第二晶体管，其中电阻器连接至位元线，且第二晶体管连接...

实施例包括封装件和用于形成封装件的方法，该封装件包括具有由介电材料制成的衬底的中介层。中介层也可以包括位于衬底上方的再分布结构，该再分布结构包括在包括多个横向重叠图案化曝光的图案化工艺中缝合在一起的金属化图案。本申请的实施例还涉及封装器...

本发明的实施例公开了组合电路、集成电路及其制造方法。诸如集成电路器件的电路器件由包括两个或更多个级联晶体管以及布置在级联晶体管上方的一个或多个金属层的组合电路构成。级联晶体管包括多个内部节点(例如，公共源极/漏极区)。多个内部节点不连接...

一种存储器电路包括第一组非易失性存储器(NVM)器件、第一多个解码器、对应于第一多个解码器的第一多个高压(HV)驱动器以及第一多个HV电源开关。第一HV电源开关耦合到第一多个HV驱动器中的每个HV驱动器，并且每个解码器被配置为生成与第一...

一种半导体元件、半导体装置及其操作方法，半导体元件包括具有第一表面及与第一表面相对的第二表面的基板，及延伸穿过基板的贯穿硅通孔结构。贯穿硅通孔结构包括含有第一导电型材料的第一贯穿硅通孔，及含有与第一导电型材料相反的第二导电型材料的第二贯...

一种方法包括将第一层器件管芯接合至载体，形成第一间隙填充区域以密封第一层器件管芯，在第一层器件管芯上方形成第一再分布结构，并且第一再分布结构电连接至第一层器件管芯，以及将第二层器件管芯接合至第一层器件管芯。第二层器件管芯位于第一层器件管...

本发明的实施例提供了一种存储器电路及其操作方法。存储器电路包括非易失性存储器单元、连接至非易失性存储器单元并且被配置为生成第一输出信号的感测放大器以及连接至感测放大器和非易失性存储器单元的检测电路。检测电路被配置为锁存第一输出信号并中断...

半导体器件包括沟道层、源极/漏极接触件和第一阻挡衬垫。沟道层包括氧化物半导体材料。源极/漏极接触件设置为与沟道层电接触。第一阻挡衬垫分别围绕源极/漏极接触件，并且包括氢阻挡材料以防止氢通过第一阻挡衬垫扩散至沟道层。本申请的实施例还涉及半...

本发明实施例是有关于一种存储单元、具有存储单元的半导体器件及制造存储单元的方法。一种存储单元包括介电结构、存储元件结构以及顶部电极。存储元件结构设置在介电结构中，且存储元件结构包括第一部分及第二部分。第一部分包括第一侧及与第一侧相对的第...

本揭露关于模块化容器液滴产生器组件及其部件替换方法，包括液滴产生器组件(DGA)的模块化容器液滴产生器组件(MVDGA)。在正常运作下，液体燃料沿着延伸通过DGA的运作路径移动以将液体燃料(例如，液态锡)从DGA的喷嘴喷射或排放到真空室...

在制造半导体器件的方法中，在要蚀刻的目标层上方形成掩模图案，并且通过使用掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻目标层。通过使用电子回旋共振(ECR)等离子体蚀刻装置执行蚀刻，该ECR等离子体蚀刻装置包括一个或多个线圈，并且在蚀刻目标层期间，通过改变...

一种半导体装置包含在基材上的通道区域上的栅极结构；邻接通道区域的源极/漏极区域；在源极/漏极区域的第一部分上的覆盖层；在源极/漏极区域的第二部分上的硅化物；以及通过硅化物电性连接至源极/漏极区域的源极/漏极接点。接点。接点。

一种晶片盒转移组合件包含用于接收晶片盒的晶片盒端口、耦合到晶片盒端口的转移轴、轴杆接收器、耦合到转移轴且耦合到轴杆接收器的轴杆、穿过轴杆接收器且穿过轴杆的插销以及包含第一环和第二环的插销扣，其中插销包括第一端和与第一端相对的第二端。插销...

本发明实施例描述一种配置成易于安装和重新定位到半导体制造设施中的各种位置的移动储料器及其操作方法。移动储料器能够根据半导体制造设施的布局被编程，和/或自主地学习半导体制造设施的布局，且基于布局使用导航系统自动地重新定位到新位置。因此，移...

本发明的实施例涉及集成电路封装件和形成方法。在实施例中，一种方法包括：用电介质到电介质接合和金属到金属接合将第一存储器器件的背侧接合到第二存储器器件的前侧；在接合之后，在第一存储器器件的前侧形成穿过第一电介质层的第一导电凸块，第一导电凸...

公开用于产生高密度布线电路的物理布局的装置及方法。示例性半导体结构包括：栅极结构；多条第一金属线，形成在位于栅极结构下方的第一介电层中；至少一个第一通孔，形成在位于栅极结构与第一介电层之间的第二介电层中；多条第二金属线，形成在位于栅极结...

本揭露提出一种半导体装置及其形成的方法，半导体装置形成的方法包括在基板上方形成多个半导体鳍片，这些半导体鳍片包含第一鳍片、第二鳍片、第三鳍片及第四鳍片。在这些个半导体鳍片上方形成第一介电层，第一介电层填充第一鳍片与第二鳍片之间的第一沟槽...

提供一种沉积方法、沉积缺陷侦测方法及沉积系统，沉积系统能够测量在沉积系统中的至少一种薄膜特性(例如：厚度、电阻和组成)。依照本揭露的沉积系统包含基材处理腔室。依照本揭露的沉积系统包含在基材处理腔室中的基材底座，基材底座是配置以支承基材；...

一种用于将现有的ASIC设计从一种半导体制作工艺迁移到另一种半导体制作工艺的方法及系统。在一些实施例中，一种用于对现有的ASIC设计进行迁移的方法包括：将门级网表每次一行地剖析成用于形成ASIC设计的一个或多个标准单元；形成具有映射规则...