本公开提出一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包含半导体基板以及位于有源装置上的内连结构。内连结构包含第一层、位于第一层上的第二层、位于第二层上的第三层以及位于第三层上的第四层。第一穿孔延伸穿过半导体基板、第一层以及第二层。第二穿孔延...

本公开涉及三维集成电路及其制造。一种IC结构包括：形成在衬底上的第一晶体管、第一晶体管之上的第一互连结构、第一互连结构之上的电介质层、电介质层上的多个2D半导体岛以及形成在多个2D半导体岛上的多个第二晶体管。成在多个2D半导体岛上的多个...

本公开提出一种半导体封装。本公开的一些实施例提供一种堆叠的边缘互连小芯片。半导体封装包括一第一集成电路裸片。第一集成电路裸片包括一第一装置层、一第一互连结构、一第二互连结构。第一装置层具有一第一侧以及与第一侧相对的一第二侧。第一互连结构...

揭示一种记忆体装置及操作记忆体装置的方法。在一态样中，记忆体装置包括多个非挥发性记忆体单元，上述多个非挥发性记忆体单元中的每一者可操作地耦接至字元线、栅极控制线以及位元线。上述多个非挥发性记忆体单元中的每一者包括第一晶体管、第二晶体管、...

本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括在基底上方的第一半导体堆叠件，其中第一半导体堆叠件包括彼此分离并沿着基本垂直于基底顶面的方向堆叠的第一半导体层；第二半导体堆叠件位于基底上方，其中第二半导体堆叠件包括彼此分离且沿着基本垂直于基底顶...

本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括半导体堆叠，其包括多个半导体层位于基板上，其中半导体层彼此分开且沿着实质上垂直于基板的上表面的方向堆叠；隔离结构，位于半导体堆叠的底部周围并分开多个有源区；金属栅极结构，位于半导体堆叠的通道区上并...

本公开提供一种半导体装置的制造方法，包括接收在第一区域具半导体层的第一堆叠且在第二区域具半导体层的第二堆叠的工作件；形成围绕第一堆叠的每一层的第一栅极介电层以及围绕第二堆叠的每一层的第二栅极介电层；形成第一偶极层及第二偶极层，第一偶极层...

本申请公开了具有结栅极场效应晶体管的基于锗的传感器及其制造方法。本文公开了基于锗的传感器。示例性的基于锗的传感器包括锗光电二极管和结型场效应晶体管(JFET)，该结型场效应晶体管(JFET)由锗层形成，该锗层在一些实施例中设置在硅衬底中...

本发明公开一种半导体装置。例示性半导体装置包括：形成在导电部件上方的介电层、形成在介电层上方的半导体堆叠物、第一金属栅极结构及第二金属栅极结构以及第一外延部件。半导体堆叠物包括向上堆叠且彼此分离的半导体层。第一金属栅极结构及第二金属栅极...

本公开提出一种半导体装置。一或多个半导体工艺工具可形成金属盖于金属栅极上。一或多个半导体工艺工具可形成一或多个介电层于金属盖上。一或多个半导体工艺工具可形成凹陷至一或多个介电层中的金属盖。一或多个半导体工艺工具可由下至上沉积金属材料于金...

本公开涉及集成电路器件及其制造方法。本文公开的栅极隔离技术形成了栅极隔离鳍，以在形成多栅极器件之前，并且具体而言在形成多栅极器件的金属栅极之前，将多栅极器件的金属栅极彼此隔离。一种示例性器件包括：第一多栅极器件，具有第一源极/漏极特征和...

一种记忆体装置及其制造方法，制造记忆体装置的方法包括形成记忆体装置的第一部分，第一部分包括第一装置部分及一或多个第一接口部分。第一装置部分包括多个第一记忆体串，各个第一记忆体串包括彼此垂直分离的多个第一记忆体单元。一或多个第一接口部分中...

本公开提出一种存储器装置。存储器装置包括记忆单元及边缘单元。在一范例中，此存储器装置包括：记忆单元阵列，用于储存数据；多个第一边缘单元，不用于储存数据；以及多个第二边缘单元，不用于储存数据。多个所述第一边缘单元及多个所述第二边缘单元分别...

本揭露揭示记忆体装置及制造记忆体装置的方法。在一个态样中，该方法包括在第一区域中形成多个第一晶体管及在第二区域中形成多个第二晶体管且在第二区域上方形成堆叠。该方法包括穿过堆叠形成记忆体阵列部分及接口部分。记忆体阵列部分包括记忆体串，而接...

一种互连结构，包括一介电层、一第一导电部件、一导电层、一覆盖层、一支撑层以及一蚀刻停止层。第一导电部件设置在介电层中。导电层的第一部分是设置在第一导电部件的上方，且导电层的第二部分是设置在介电层的上方。覆盖层的第一部分与导电层的第一部分...

本发明实施例提供了一种集成电路器件，包括位于衬底上方的金属互连件内的介电结构。介电结构包括空腔。第一介电层提供空腔的腔顶。第二介电层提供空腔的底板。不同于第一介电层和第二介电层的材料提供空腔的侧边缘。在空腔的中心区域中，空腔具有恒定高度...

本公开的各种实施例针对铁电随机存取存储器单元或包括底部电极界面结构的一些其他合适类型的存储器单元。存储器单元还包括底部电极、底部电极上方的开关层和开关层上方的顶部电极。底部电极界面结构将底部电极和开关层彼此分隔开。此外，界面结构是电介质...

本发明实施例涉及一种用于移除粒子的方法，其包含：接收包含薄膜膜层、薄膜框及经放置于所述薄膜膜层上的至少一粒子的薄膜；产生光束以形成在垂直于所述薄膜膜层的方向上延伸的光学陷阱；及通过所述光学陷阱从所述薄膜膜层移除所述粒子。层移除所述粒子。...

本发明的实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明实施例涉及一种半导体结构、一种用于制造FinFET结构的方法及一种用于制造半导体结构的方法。用于形成FinFET结构的所述方法包含：提供包含多个鳍片及所述鳍片之间的多个栅极沟槽的FinFE...

本发明实施例提供一种用于蚀刻工艺的实时补偿控制的设备、系统及方法，所述设备包含光束调节组合件以及机器学习装置。光束调节组合件配置成向所处理的衬底输出一或多个波长且从衬底接收一或多个反射波长。机器学习装置配置成处理一或多个反射波长以预测工...