集成电路芯片及其形成方法技术

本公开的各种实施例针对铁电随机存取存储器单元或包括底部电极界面结构的一些其他合适类型的存储器单元。存储器单元还包括底部电极、底部电极上方的开关层和开关层上方的顶部电极。底部电极界面结构将底部电极和开关层彼此分隔开。此外，界面结构是电介质的并且被配置为阻挡或以其他方式阻挡底部电极中的金属原子和/或杂质扩散到开关层。通过阻挡或以其他方式抵抗这种扩散，可以降低漏电流。此外，可以增加存储器单元的耐用性。本公开的各种实施例还涉及集成电路芯片及其形成方法。施例还涉及集成电路芯片及其形成方法。施例还涉及集成电路芯片及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
集成电路芯片及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及集成电路芯片及其形成方法。

技术介绍

[0002]许多现代电子设备包括非易失性存储器。非易失性存储器是能够在断电情况下储存数据的电子存储器。下一代非易失性存储器的一些有希望的候选者包括铁电随机存取存储器(FeRAM)。FeRAM具有相对简单的结构，并且与互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑制造工艺兼容。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种包括存储器单元的集成电路芯片，其中，存储器单元包括：底部电极；开关层，位于底部电极上方；顶部电极，位于开关层上方；以及界面结构，将底部电极与开关层彼此分隔开，其中，界面结构为电介质并且被配置为阻挡底部电极中的金属原子和/或杂质扩散至开关层。
[0004]根据本专利技术实施例的另一个方面，提供了一种集成电路芯片，包括铁电随机存取存储器单元，其中铁电随机存取存储器单元包括：底部电极；铁电开关层，位于底部电极上方；顶部电极，位于铁电开关层上方；以及界面结构，将底部电极与铁电开关层分隔开，其中，界面结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路芯片，包括存储器单元，其中，所述存储器单元包括：底部电极；开关层，位于所述底部电极上方；顶部电极，位于所述开关层上方；以及界面结构，将所述底部电极与所述开关层彼此分隔开，其中，所述界面结构为电介质并且被配置为阻挡所述底部电极中的金属原子和/或杂质扩散至所述开关层。2.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述界面结构比所述底部电极更非晶。3.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述开关层为铁电的。4.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述底部电极与所述界面结构共享共用的金属元素。5.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述界面结构为金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物。6.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述底部电极为金属氮化物，并且其中，所述界面结构为金属氮氧化物。7.根据权利要求1所述的集成电路芯片，还包括：导线，位于所述底部电极下方；以及阻挡层，将所述导线与所述底部电极分隔开，并且被配置为阻挡所述导线的材料扩散至所述底部电极；其中，所述阻挡层包括活性金属原子，所述活性金属原子具有超过约10
‑
13
cm2s
‑1的扩散系数，并且其中，所述底部电极被配置为阻挡所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林子羽，锺嘉文，张耀文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：