一种接合的晶圆结构及其制作方法，诸如晶圆上晶圆(wafer

本公开提供一种半导体器件和制造方法，所述半导体器件包括：重布线结构；多个核心衬底，使用导电连接件附接到重布线结构，多个核心衬底中的每一核心衬底包括多个导电柱；以及一或多个模制层，包封多个核心衬底，其中一或多个模制层沿多个核心衬底的侧壁延...

本发明实施例提供一种半导体封装，包含包封半导体器件和重布线结构。包封半导体器件包含由包封材料包封的半导体器件。重布线结构上覆于包封半导体器件且包含多个通孔和重布线。多个通孔分别位于重布线结构的不同层上且通过多个导电线彼此连接，其中从俯视...

一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括顶层、底层及中间层。底层包括在第一半导体衬底上方的第一内连线结构及在第一内连线结构上方的第一正面接合结构。中间层介于顶层与底层之间并与其电耦合。中间层包括在第二半导体衬底上方的第二内连线结构、介...

一种制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置。制造鳍式场效晶体管的方法包含在基板上形成鳍式结构，形成包覆鳍式结构的虚设栅极结构，在形成该虚设栅极结构之后，在鳍式结构上方沉积层间介电(ILD)层，移除虚设栅极结构以暴露鳍式结构的一部分，当量测...

本发明提供了一种护膜结构、护膜掩模结构和护膜结构的形成方法。护膜结构包括由碳基材料制成的护膜薄膜。此外，护膜薄膜被配置为在光刻工艺中保护掩模结构。护膜掩模结构包括在掩模衬底上方形成有掩模图案的掩模衬底和设置在掩模衬底上的护膜框架。护膜掩...

提供了一种半导体装置结构及其制造方法。此半导体装置结构包括：基板；多个侧壁间隔物，位于基板上；栅极结构，位于基板上，且位于上述多个侧壁间隔物之间，其中栅极结构包括：栅极介电层，顺应性位于上述多个侧壁间隔物的侧表面上以及位于上述多个侧壁间...

本文中阐述的一些实施方案提供一种半导体结构。所述半导体结构可包括在逻辑器件的第一侧处设置在半导体结构的载体晶圆上的逻辑器件。所述半导体结构可包括设置在逻辑器件的第二侧上的介电结构，所述第二侧与所述第一侧相对。所述半导体结构可包括形成在介...

一种半导体装置，包含位于第一装置区中的多个第一通道纳米结构以及位于第二装置区中的多个第二通道纳米结构。第一通道纳米结构设置于第一介电鳍片与第二介电鳍片之间。第二通道纳米结构设置于第一介电鳍片与第三介电鳍片之间。形成栅极介电层以围绕第一通...

本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括基板；第一与第二源极/漏极结构位于基板上；第一与第二半导体层，位于第一与第二源极/漏极结构之间；以及栅极位于第一与第二源极/漏极结构之间。栅极的一部分更位于第一与第二半导体层之间。此外，半导体装置...

本公开提出一种互连结构，互连结构包含介电材料以及延伸通过介电材料的导电部件。导电部件包含导电材料且具有第一顶表面。此结构还包含设置于介电材料中且相邻于导电部件的虚设导电部件，且虚设导电部件具有与第一顶表面大致共平面的第二顶表面。空气间隙...

本公开提出一种半导体装置。半导体装置包含位于半导体基板上的第一导电特征部件、位于第一导电特征部件上的底部电极、位于底部电极上的磁性穿隧接面堆叠以及位于磁性穿隧接面堆叠上的顶部电极。间隔物接触顶部电极侧壁、磁性穿隧接面堆叠的侧壁以及底部电...

本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括两个电路区域；两个内部密封圈，两个内部密封圈中的每一个围绕两个电路区域的一个；一外部密封圈，围绕两个内部密封圈，其中内部密封圈和外部密封圈中的每一个具有一大致上矩形的周边，大致上矩形的周边具有四个...

本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括基板，其具有分别为第一与第二导电型态的第一与第二井区。第一与第二井区在俯视图中沿着第一方向纵向延伸，第一与第二井区各自包括沿着垂直于第一方向的第二方向凸起的凸起部分与沿着第二方向凹陷的凹陷部分。第...

一种半导体装置，包括通道结构，其沿着第一横向方向延伸并置于基底的上方。半导体装置包括栅极结构，其沿着正交于第一横向方向的第二横向方向延伸并跨立于通道结构。半导体装置包括外延结构，其耦接于通道结构并相邻于栅极结构而设置。半导体装置包括第一...

在制造半导体装置的方法中，在第一介电层中形成开口，使得下部导电层的一部分在开口的底部暴露，一或多个衬垫导电层形成在下部导电层的部分、开口的内侧壁及第一介电层的上表面的上方，主要导电层形成于一或多个衬垫导电层上方，图案化的导电层借由图案化...

本公开的一些实施例提供一种半导体处理工具。半导体处理工具包括一清洁腔室。清洁腔室被配置为以无氧(或接近无氧)方式执行化学机械平坦化后清洁操作。可将惰性气体提供至清洁腔室中，以从清洁腔室中移除氧气，使得可在无氧(或接近无氧)环境中执行化学...

一种半导体元件及其制造方法，制造方法包含形成栅极结构于半导体基板上；沉积含碳密封层于栅极结构之上；沉积含氮密封层于含碳密封层之上；引入含氧前驱物于含氮密封层上；加热基板使含氧前驱物解离成氧自由基，以将氧自由基掺杂至含氮密封层中；于加热基...

一种半导体装置封装体，包括第一半导体装置结构具有第一基底、设置于第一基底上的两个第一装置、设置在第一基底和两个第一装置上方的第一内连线结构以及穿过第一基底和第一内连线结构设置的第一导热特征。半导体装置封装体还包括设置在第一半导体装置结构...

本公开提供一种半导体元件结构。半导体元件结构包括一或多个第一半导体层以及双极层，围绕第一半导体层的每一个，其中双极层包括锗。半导体元件结构也包括盖层，围绕并接触双极层，其中盖层包括硅以及一或多个第二半导体层，设置邻近第一半导体层。半导体...