本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括：在衬底之上形成第一导电图案，其中第一导电图案包括第一导电线和第二导电线。可在第一导电图案的第一导电线和第二导电线之上共形的形成阻障层。可在阻障层之上形成绝缘层。可将绝缘层图案化以...

一种薄膜晶体管包括具有正向或反向顺序的有源层、栅极介电层以及栅极电极的堆叠结构。有源层包括包含氧的化合物半导体材料、选自Ga和W的至少一种受体型元素以及选自In和Sn的至少一种重后过渡金属元素。接触栅极介电层的有源层的第一表面部分处的重...

本公开提供一种用于对图像传感器像素的电荷存储器件进行光屏蔽的方法，图像传感器像素包含感光性器件和电荷存储器件以及覆盖感光性器件和电荷存储器件的介电层。方法包含：执行介电层的刻蚀以界定介电层下方的底切体块和穿过介电层到达底切体块的接入开口...

一种半导体装置包含设置在衬底的前侧上的内连线结构。内连线结构包含嵌入于内连线介电层内的内连线导电结构。沟槽完全延伸穿过衬底以暴露出内连线导电结构中的多个内连线导电结构。接合垫结构设置在衬底的背侧上并且延伸穿过衬底的沟槽以接触内连线导电结...

提供了一种制程技术评估的方法、系统及用于制程技术评估的方法，制程技术评估的方法包括：定义此制程技术评估的范围，该范围包含原始制程技术及第一制程技术；将集成电路中的第一物件模型化为电阻域及电容域；基于此模型化、此原始制程技术及此第一制程技...

生物传感器系统包括生物传感器阵列以及位于生物传感器附近的多个电极。控制器配置为选择性地激励多个电极以生成DEP力，以相对于生物传感器的阵列选择性地定位测试样品。本发明的实施例还涉及使用生物传感器系统分析测试样品的方法。试样品的方法。试样...

一种微影系统与其操作的方法，操作微影系统的方法包括沉积遮罩层在基材上、根据图案将反射自微影系统的组合式集光器的集光器中央区的第一辐射导向遮罩层、根据图案将反射自组合式集光器的第一集光器周边区的第二辐射导向遮罩层，其中第一集光器周边区通过...

一种半导体元件与其制造方法，半导体元件包含基材与在基材的第一侧上的第一晶体管。半导体元件还包含接触第一晶体管的第一区的第一电极。半导体元件还包含沿着第一晶体管的侧壁延伸的间隔件。半导体元件还包含通过间隔件与第一电极的至少一部分隔开的自对...

一种极紫外微影系统及其操作的方法，操作极紫外微影系统的方法使用激光照射液滴而产生极紫外光。极紫外微影系统包括具有喷嘴的液滴产生器以及耦合至喷嘴的压电结构。液滴产生器输出液滴组。控制系统施加电压波形至压电结构，同时喷嘴输出液滴组。此电压波...

一种半导体晶片及其制造方法，半导体晶片包含装置部分和接口部分。此装置部分包含在第一方向上延伸的主动记忆体装置的阵列。接口部分在第一方向上与装置部分的轴向端部相邻。接口部分在垂直方向上具有阶梯形轮廓，并且包含虚设记忆体装置的阵列和栅极孔的...

一种半导体装置与其制造方法，半导体装置包含一基板、一通道层、一栅极结构、一源极/漏极磊晶结构及一底部介电质结构。通道层在基板上。栅极结构在基板上且包围通道层。源极/漏极磊晶结构在基板上且连接至通道层。底部介电质结构介于源极/漏极磊晶结构...

一种半导体沉积系统及其操作方法，半导体沉积系统包括制程腔体、靶材、静电夹盘、第一射频源产生器以及第二射频源产生器。靶材位于制程腔体上方。静电夹盘位于制程腔体中，位于该靶材下方，且包含第一夹盘部位以及水平地环绕第一夹盘部位的第二夹盘部位。...

本揭示内容提供一种校正方法及半导体制造设备，校正方法包含以下操作。利用机械手臂将透明遮盘放置于承载平台之上，其中透明遮盘包含多个刻度，多个刻度等分地设置于邻近透明遮盘的弧形边缘，且透明遮盘的第一直径大于承载平台的第二直径。观测承载平台的...

一种制造半导体装置的方法与制程设备，制造半导体装置的方法包含放置晶圆于制程腔室中，其中晶圆被导流器所环绕，形成清洁液膜于导流器的内侧面上，在形成清洁液膜后，施加蚀刻剂于晶圆的边缘，以执行边缘斜角去除制程。以执行边缘斜角去除制程。以执行边...

一种图案化制程与光罩，图案化制程在半导体晶圆上进行，半导体晶圆涂布有底层、中间层、及具有起始厚度的光阻层。图案化制程包含：进行曝光步骤，曝光步骤包含使用光罩曝光半导体晶圆，光罩包含特征，此特征在目标区域中产生中度曝光，随后处理而依照光罩...

本发明实施例提供半导体器件、半导体单元结构及其形成方法。阐述用于在半导体器件中对数据信号进行背侧路由的装置及方法。在一个实例中，所阐述的半导体单元结构包括：虚设器件区，位于半导体单元结构的前侧处；金属层，包括位于半导体单元结构的背侧处的...

一种半导体元件及其形成方法，半导体元件包括：一基板；一半导体结构，该半导体结构悬浮在该基板上方且包含一源极区域、一漏极区域及设置于该源极区域与该漏极区域之间的一通道区域。该通道区域包括一掺杂二维(2D)材料层，该掺杂2D材料层包含在该通...

本公开提出一种半导体装置。根据本公开，示例性的半导体装置包括多个第一通道纳米结构，位于第一装置区中彼此间隔开；多个第二通道纳米结构，位于第二装置区中彼此间隔开；介电鳍片，位于第一装置区与第二装置区之间的边界；高介电常数介电层，围绕每个第...

本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括金属栅极、源极/漏极接触件、接触件第一互连结构及第二互连结构。对接接触件(BCT)的第一互连结构(例如，栅极互连结构)被蚀刻和填充。之后回蚀第一互连结构，从而去除第一互连结构的一部分，之后填充第二...

一种半导体裝置，包括源极/漏极部件，位于半导体基板之上；通道层，位于半导体基板之上，且连接至源极/漏极部件；栅极部分，位于垂直邻近通道层之间；以及内间隔物，位于源极/漏极部件与栅极部分之间，以及邻近通道层之间，以及空气间隙，位于内间隔物...