半导体装置制造方法及图纸

本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括金属栅极、源极/漏极接触件、接触件第一互连结构及第二互连结构。对接接触件(BCT)的第一互连结构(例如，栅极互连结构)被蚀刻和填充。之后回蚀第一互连结构，从而去除第一互连结构的一部分，之后填充第二互连结构和第一互连结构的剩余部分。如此，相对于在单一沉积操作中完全填充第二互连结构和完全填充第一互连结构，当填充第二互连结构时，第一互连结构的剩余待填充部分的高度更接近于第二互连结构的高度。其降低在完全填充第一互连结构之前，填充第二互连结构将闭合第一互连结构的可能性，否则将导致在第一互连结构中形成空隙。否则将导致在第一互连结构中形成空隙。否则将导致在第一互连结构中形成空隙。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术实施例涉及一种半导体装置及其形成方法，尤其涉及一种具有对接接触件的半导体装置及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体装置(例如，处理器、存储器)可以包括各种中间和后端层或区域，其中各别半导体装置(例如，晶体管、电容、电阻)通过互连结构互连。互连结构可以包括金属化层(也称为导线)、连接金属化层的导孔、接触插塞及/或沟槽等。可以在称为双镶嵌工艺的相同制造工艺期间形成沟槽和导孔。在双镶嵌工艺中，使用导孔先制(via
‑
first)工艺或沟槽先制(trench
‑
first)工艺蚀刻导孔和沟槽。之后，在相同的沉积操作(例如，电镀)中以导电材料填充沟槽以和导孔。

技术实现思路

[0003]本专利技术一些实施例提供一种半导体装置，包括：金属栅极；源极/漏极接触件；以及接触件，电性连接金属栅极以及源极/漏极接触件，包括：第一互连结构，连接至金属栅极；以及第二互连结构，连接至源极/漏极接触件，其中第二互连结构的侧壁的部分与第一互连结构的邻接(abutting)侧壁的部分分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一金属栅极；一源极/漏极接触件；以及一接触件，电性连接该金属栅极以及该源极/漏极接触件，包括：一第一互连结构，连接至该...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊德智，李怡鸿，詹益瑞，涂元添，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：