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本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括金属栅极、源极/漏极接触件、接触件第一互连结构及第二互连结构。对接接触件(BCT)的第一互连结构(例如，栅极互连结构)被蚀刻和填充。之后回蚀第一互连结构，从而去除第一互连结构的一部分，之后填充第二互连...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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