半导体器件的前端金属结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的前端金属结构，半导体器件包括最顶层正面金属层，最顶层正面金属层图形化后形成正面金属电极；前端金属结构由形成于最顶层正面金属层表面的前端金属层图形化形成，前端金属层由可焊接金属材料组成以在前端金属结构的表面形成用于封装的键合区域；前端金属结构位于正面金属电极的部分区域表面，前端金属层的图形化位于最顶层正面金属层的图形化之前；半导体器件还包括前端钝化层，前端钝化层将键合区域打开。本发明专利技术还公开了一种半导体器件的前端金属结构的制造方法。本发明专利技术能提供具有可焊接性的前端金属结构且能减少前端金属结构形成工艺所带来的缺陷，从而能形成用于封装的键合区域，使铜片PDFN的封装成为可能。片PDFN的封装成为可能。片PDFN的封装成为可能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的前端金属结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种半导体器件的前端金属结构；本专利技术还涉及一种半导体器件的前端金属结构的制造方法。

技术介绍

[0002]随着新型功率器件的发展，新型的封装技术也得到了快速的发展。其中最重要的一种就是铜片功率双边扁平无引脚(powerdualflat
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packno
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lead，PDFN)的封装(package)，该封装形式可以提供很低的封装导通电阻，寄生电阻，以及良好的热导性能，和传统的打线封装相比，具有更好的器件可靠性能，以及更好的封装良率。
[0003]所以，如何形成适用于PDFN封装的半导体器件的前端金属结构非常重要，否则无法很好的进行PDFN封装，也就无法提高封装后的器件性能以及提高封装良率。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种半导体器件的前端金属结构，能提供具有可焊接性的前端金属结构且能减少前端金属结构形成工艺所带来的缺陷，从而能形成用于封装的键合区域，使铜片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的前端金属结构，其特征在于：半导体器件包括最顶层正面金属层，所述最顶层正面金属层图形化后形成所述半导体器件的正面金属电极；前端金属结构由形成于所述最顶层正面金属层表面的前端金属层图形化形成，所述前端金属层由可焊接金属材料组成以在所述前端金属结构的表面形成用于封装的键合区域；所述前端金属结构位于所述正面金属电极的部分区域表面，所述前端金属层的图形化位于所述最顶层正面金属层的图形化之前，以减少所述前端金属层的图形化所产生的缺陷；所述半导体器件还包括前端钝化层，所述前端钝化层将所述键合区域打开以将所述键合区域的所述前端金属结构的表面露出，所述前端钝化层将所述键合区域外覆盖。2.如权利要求1所述的半导体器件的前端金属结构，其特征在于：所述半导体器件包括功率器件，所述半导体器件具有垂直沟道，所述正面金属电极包括源极或栅极。3.如权利要求1所述的半导体器件的前端金属结构，其特征在于：所述最顶层正面金属层的材料包括AlCu或Al。4.如权利要求1所述的半导体器件的前端金属结构，其特征在于：所述前端金属层为Ti层、Ni层和Ag层的叠加层或者为Ni层、Pd层和Au层的叠加层。5.如权利要求4所述的半导体器件的前端金属结构，其特征在于：所述前端金属层为所述Ti层、所述Ni层和所述Ag层的叠加层时，所述Ti层的厚度为100nm，所述Ni层的厚度为200nm，所述Ag层的厚度为600nm；所述前端金属层为所述Ni层、所述Pd层和所述Au层的叠加层时，所述Ni层的厚度为100nm，所述Pd层的厚度为200nm，所述Au层的厚度为600nm。6.如权利要求1所述的半导体器件的前端金属结构，其特征在于：所述前端钝化层的材料包括：环氧树脂、聚酰亚胺或氮氧化物。7.如权利要求1所述的半导体器件的前端金属结构，其特征在于：所述键合区域用于在封装时和铜片键合。8.一种半导体器件的前端金属结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、形成半导体器件的最顶层正面金属层；步骤二、在所述最顶层正面金属层表面形成前端金属层；步骤三、对所述前端金属层进行图形化形成前端金属结构；所述前端金属层由可焊接金属材料组成以在所述前端金属结构的表面形成用...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘坚，
申请(专利权)人：南通尚阳通集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：