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本发明公开了一种半导体器件的前端金属结构，半导体器件包括最顶层正面金属层，最顶层正面金属层图形化后形成正面金属电极；前端金属结构由形成于最顶层正面金属层表面的前端金属层图形化形成，前端金属层由可焊接金属材料组成以在前端金属结构的表面形成用于...
该专利属于南通尚阳通集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通尚阳通集成电路有限公司授权不得商用。

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