半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置包含设置在衬底的前侧上的内连线结构。内连线结构包含嵌入于内连线介电层内的内连线导电结构。沟槽完全延伸穿过衬底以暴露出内连线导电结构中的多个内连线导电结构。接合垫结构设置在衬底的背侧上并且延伸穿过衬底的沟槽以接触内连线导电结构中的多个内连线导电结构。接合结构设置在衬底的背侧上且电性接触接合垫结构。侧上且电性接触接合垫结构。侧上且电性接触接合垫结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术的实施例是有关于一种半导体装置及其制造方法，特别是有关于一种经由衬底中的沟槽耦接到多个内连线导电结构的接合垫结构的半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体产业持续通过例如减小最小特征尺寸来提高各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，此使更多组件集成到给定区域中。开发利用较少区域或较小高度的较小封装结构来封装半导体装置。举例来说，为了进一步增加每个区域的电路密度，已研究三维(three
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dimensional；3D)集成电路(integrated circuit；IC)。

技术实现思路

[0003]根据一些实施例，一种半导体装置包括衬底、设置在所述衬底的前侧上的内连线结构、接合垫结构以及接合结构，其中所述内连线结构包括嵌入于多个内连线介电层内的多个内连线导电结构，所述衬底包括沟槽，所述沟槽完全延伸穿过所述衬底以暴露出所述内连线导电结构中的复数个所述内连线导电结构，接合垫结构设置在所述衬底的背侧上并且延伸穿过所述衬底的所述沟槽以接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：衬底；内连线结构，设置在所述衬底的前侧上，其中所述内连线结构包括嵌入于多个内连线介电层内的多个内连线导电结构，其中所述衬底包括沟槽，所述沟槽完全延伸穿过所述衬底以暴露出所述内连线导电结构中的复数个所述内连线导电结构；接合垫结构，设置在所述衬底的背侧上并且延伸穿过所述衬底的所述沟槽以接触所述复数个所述内连线导电结构；以及接合结构，设置在所述衬底的所述背侧上且电性接触所述接合垫结构。2.根据权利要求1所述的半导体装置，更包括：第一绝缘层，直接设置在所述衬底与所述接合垫结构之间。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述接合垫结构包括：背侧水平部分，设置在所述衬底的所述背侧上；竖直部分，设置在所述衬底的内侧壁上；以及前侧水平部分，设置在所述内连线导电结构中的所述复数个所述内连线导电结构上方。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中当所述衬底的所述背侧面朝上时，所述接合垫结构的所述前侧水平部分的最底部表面设置在所述衬底的所述前侧下方。5.一种半导体装置，包括：衬底；内连线结构，设置在所述衬底的前侧上且包括嵌入于内连线介电结构内的多个内连线导电结构；接合结构，设置在所述衬底的背侧上；以及接合垫结构，设置在所述衬底的所述背侧上并且完全延伸穿过所述衬底以接触所述内连线导电结构，其中所述接合垫结构包括：背侧水平部分，设置在所述衬底的所述背侧上及所述接合结构正下方；竖直部分，设置在所述衬底的内侧壁上；以及前侧水平部分，设置在所述内连线导电结构上方。6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘铭棋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：