一种半导体结构及其形成方法。薄膜晶体管包括位于基底之上的有源层、包括第一栅极介电质及第一栅极电极的堆叠且位于有源层的第一表面上的第一栅极堆叠，接触有源层的第一表面的周边部分且沿第一水平方向以第一栅极电极彼此横向地间隔开的一对第一接触电极...

在半导体装置的制造方法中，形成单元结构。单元结构包括底部电极、设置在底部电极上的磁穿隧接面(MTJ)堆叠、以及设置在MTJ堆叠上的硬罩幕层。在MTJ堆叠的侧壁上方形成第一绝缘覆盖层。在第一绝缘覆盖层和硬罩幕层上方形成第二绝缘覆盖层。形成...

本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的制造方法包括在装置晶圆上方形成互连结构。此装置晶圆包括第一集成电路、半导体基板、以及重布线结构。此方法还包括在互连结构的最顶部介电层中形成金属化层及具有阶梯图案密度(stepped p...

在实施例中，半导体装置的制造方法包括在第一金属间介电层中形成第一导电特征；在第一导电特征上沉积阻挡层且阻挡层物理接触第一导电特征；在第一金属间介电层上沉积第一介电层且第一介电层与第一金属间介电层物理接触；在第一介电层上沉积第二介电层且第...

一种形成半导体结构的方法，半导体结构包括在一基底的上方形成一半导体鳍部、在前述半导体鳍部的上方形成一虚置栅极堆叠、在前述虚置栅极堆叠的上方沉积一介电层，以及选择性的蚀刻前述介电层，使得前述介电层的一顶部部分和一底部部分形成一阶梯式轮廓。...

本文涉及一种半导体装置的形成方法，所描述的各种半导体技术能够缩小鳍式场效晶体管的一个或多个尺寸及/或增加鳍式场效晶体管的一个或多个尺寸。可使用材料通过选择性沉积来缩小鳍式场效晶体管的一个或多个x方向尺寸，而通过蚀刻来增加或扩大鳍式场效晶...

实施例在形成纳米结构场效晶体管装置时，采用两层的内侧间隔物结构。可选择第一内侧间隔物层与第二内侧间隔物层的材料，以具有不匹配的热膨胀系数。一旦沉积后冷却结构，具有较大热膨胀系数的内侧间隔物层将施加压缩应力于其他内侧间隔物层(因为两层具有...

提供一种集成芯片。集成芯片包含基板。第一金属线包含第一金属材料，第一金属材料设置于第一层间介电(ILD)层内，第一层间介电层位于基板的上方。混合金属线设置于第一层间介电层内。混合金属线包含一对第一金属区段及第二金属区段，第一金属区段包含...

一种编程存储器的方法，包含在第一时间周期将写入信号的电流位阶设定为不为零的第一数值。在第一时间周期提供写入信号至存储器元件。在第二时间周期将写入信号的电流位阶从不为零的第一数值调整至不为零的第二数值，不为零的第二数值不同于不为零的第一数...

一种半导体装置与其制造方法，半导体装置包含半导体鳍片、隔离层、介电鳍片结构及栅极结构。半导体鳍片在基板上方。隔离层在基板上方且与半导体鳍片相邻。介电鳍片结构在隔离层上方且包含底部介电鳍片及顶部介电鳍片。隔离层围绕底部介电鳍片的底部。顶部...

本发明公开一种在半导体工件上沉积层的方法。方法包含：将半导体工件放置在处理腔室中的晶片卡盘上；将第一前体引入到处理腔室中；将第二前体引入到处理腔室中；以及当第二前体在处理腔室中时，将辐射施加到半导体工件，由此加热半导体工件的表面。方法还...

一种自动化物料搬运系统(AMHS)接口管理系统被配置成利于晶片批次信息在不同的AMHS系统之间的交换。AMHS接口管理系统以第一格式从第一AMHS系统接收晶片批次信息，且将晶片批次信息变换成与第二AMHS系统相关联的格式。AMHS接口管...

本发明实施例的一种半导体结构包括天线垫、接地平面以及多个导通孔。接地平面位于所述天线垫之上，包括彼此隔开的多个第一导电图案。导通孔位于所述天线垫与所述接地平面之间，其中所述多个导通孔被排列成环绕所述天线垫的区域且电连接到所述天线垫，且所...

一种减少在光罩上微粒沉积的方法与极紫外光源及产生扰动的方法，用以减少光罩上的微粒沉积的系统及方法是在光罩幕上的微粒沉积速率(特别是在极紫外光源中所产生的锡颗粒)是通过在极紫外光源的辐射源腔室中产生扰动而被减少。扰动是通过改变在辐射源腔室...

提供一种方法，包含将存储一或多个已处理晶片的第一运输载具从装载端口装载到多缓冲区架空起重运输(OHT)运载工具的第一缓冲区中。方法包含在第一缓冲区保留第一运输载具时将存储用于处理的一或多个晶片的第二运输载具从多缓冲区架空起重运输运载工具...

一种半导体元件及其制造方法，半导体元件的制造方法包含在基板上方形成第一介电层；在第一介电层中形成金属层；在第一介电层及金属层的表面上形成蚀刻停止层；去除部分的金属层及蚀刻停止层，以在金属层中形成凹槽；以及在凹槽中形成钨插塞。此凹槽与蚀刻...

本公开涉及通过层膨胀工艺进行可扩展的图案化以及所得结构。可以通过下列方式来形成具有小尺寸和紧密间距的特征：对层进行图案化以在其中具有孔，并且然后使该层膨胀，以使得孔收缩。如果膨胀足以夹断各个孔，则可以从一个较大的孔来形成多个孔。以这种方...

本发明实施例提供一种半导体装置及一种形成半导体装置的方法。一种方法包括在第二材料层与半导体衬底之间设置第一材料层，以及在第二材料层中形成第一波导。所述方法还包含在第一波导上方形成光子管芯，以及在半导体衬底中形成第一腔并暴露出第一层。一旦...

本公开涉及鳍式场效应晶体管器件和方法。一种形成半导体器件的方法包括：在突出得高于衬底的鳍之上形成栅极结构，所述栅极结构被第一ILD层包围；在所述第一ILD层中形成与所述鳍相邻的沟槽；用第一虚设材料填充所述沟槽；在所述第一ILD层和所述第...

一种装置结构以及形成装置结构的方法，形成装置结构的方法，其中腔体可在上覆于基板的介电材料层中形成。包括金属阻障层衬里、金属填充材料层、及金属覆盖材料的层堆叠可在腔体中且在介电材料层上方沉积。位于包括介电材料层的顶表面的水平面之上的层堆叠...