本公开描述的多个实施例提供了一种半导体装置的形成方法。此方法包含形成纳米结构，其具有第一材料的第一组膜层以及与第一组膜层交替的具有第二材料的第二组膜层。此方法更包含沉积硬遮罩于第一组膜层的顶层上，硬遮罩包含位于第一组膜层的顶层上的第一硬...

提供半导体结构及其形成方法。在一实施例，一种例示方法包括：形成从基底的前侧延伸的鳍状结构；将鳍状结构的源极区凹陷以形成一源极开口；在源极开口的下方形成半导体插塞；从基底的背侧暴露半导体插塞；选择性移除基底的第一部分而未移除基底邻近半导体...

在半导体装置的制造方法中，形成第一半导体层和第二半导体层交替堆叠的鳍片结构，在鳍片结构上方形成牺牲栅极结构，蚀刻未被牺牲栅极结构覆盖的鳍片结构的源极/漏极区，借此形成源极/漏极空间，在源极/漏极空间中形成应力层，通过栅极置换工艺形成金属...

在半导体装置的制造方法中，形成鳍结构，鳍结构包含设置于底部鳍结构上方的第一半导体层和第二半导体层的堆叠层及位于堆叠层上方的硬遮罩层。在暴露的硬遮罩层和堆叠层的至少侧壁上方形成牺牲包覆层。进行蚀刻操作，以移除牺牲包覆层的横向部分，进而在暴...

一种半导体结构的形成方法，此处公开多栅极装置与其制作方法。例示性的方法包括形成半导体堆叠于基板上，其中半导体堆叠包括交错的第一半导体层与第二半导体层，且第一半导体层的组成不同于第二半导体层的组成；图案化半导体堆叠以形成半导体鳍状物；形成...

本公开提供了一种装置，包括：基板；多个半导体纳米结构的第一堆叠，垂直地位于基板上方；及栅极结构，围绕所述半导体纳米结构并邻接第一堆叠的上侧以及第一横向侧及第二横向侧。第一外延区横向地邻接第一堆叠的第三横向侧；及第二外延区横向地邻接第一堆...

在实施例中，半导体装置的制造方法包括执行第一等离子体沉积以在第一集成电路装置的第一侧上方形成缓冲层。第一集成电路装置包括第一基底以及第一内连线结构。此方法亦包括执行第二等离子体沉积以在缓冲层上方形成第一接合层，其中在第二等离子体沉积期间...

提供一种晶体管。此晶体管包括：一第一源极/漏极外延特征部件、一第二源极/漏极外延特征部件以及二或多个半导体层配置于第一源极/漏极外延特征部件与第二源极/漏极外延特征部件之间。此二或多个半导体层由不同的材料组成。晶体管还包括一栅极电极层围...

提供一种半导体装置结构。装置包括：复数个半导体层；以及栅极电极层，围绕复数个半导体层的每个半导体层。栅极电极层包括：第一部件；以及第二部件，在第一部分下方。第二部分包括：第一部分，设置相邻于复数个半导体层的第一半导体层，且第一部分的外表...

本公开涉及边缘FIN修整工艺。提供了半导体结构和方法。在一个实施例中，本公开的一种方法包括在衬底之上形成多个半导体鳍，在形成多个半导体鳍之后，去除多个半导体鳍中的外部半导体鳍，以及在多个半导体鳍之上形成栅极结构。该多个半导体鳍具有多于三...

提供了一种半导体装置及其形成方法。该方法包含在半导体基板上方形成第一半导体鳍片及第二半导体鳍片；在第一半导体鳍片及第二半导体鳍片上方沉积第一隔离介电层，该第一隔离介电层在第一半导体鳍片与第二半导体鳍片之间具有沟槽；沉积第二隔离介电层，该...

方法包括提供基板，介电层位于基板上，且两个金属结构位于介电层上。形成有机阻挡层于介电层之上与金属结构的下侧部分之间。有机阻挡层覆盖金属结构的下侧部分的侧壁表面，而不覆盖金属结构的上侧部分的侧壁表面。沉积介电阻障层于金属结构的上表面以及上...

一种检查极紫外光光源的方法及检查设备，用于检查极紫外光(EUV)光源的方法包含：将EUV光源的集光镜自收集器腔室中移除；在收集器腔室内安装检查设备，检查设备包含可选择性伸缩的构件及处于构件的一端处的摄影机；操作第一致动器以沿着穿过EUV...

本公开提供一种半导体结构和其形成方法，半导体结构包括接触基板的硅穿孔和横向环绕硅穿孔的金属环结构。金属环结构包括排列成堆叠的一或多个金属环和夹于一或多个金属环之中的两邻近的金属环之间的一或多个金属通孔。金属环结构通过一或多个导电结构电性...

公开了利用盖子以限制退火期间的热膨胀的半导体器件和制造方法。在一些实施例中，将盖子放置在密封剂上并附接至密封剂，并且在一些实施例中，在第一半导体管芯的上方。因此，当施加热量并且密封剂试图膨胀时，盖子将起作用以限制膨胀，减少否则会在密封剂...

一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包括电感结构及遮蔽结构，遮蔽结构设置以至少部分地遮蔽电感结构免于多个外部电磁场。遮蔽结构包括遮蔽结构部分，此遮蔽结构部分为沿电感结构之侧布置以使得遮蔽结构部分围绕电感结构的周边的至少一部分。结构的周...

ESD保护器件保护电路免受第一端子和第二端子之间的TLP的影响。该器件包括NPN放电结构和PNP触发器件。第一端子连接至PNP触发器件的p型掺杂的发射极和n型掺杂的基极，并且还连接至NPN放电结构的n型掺杂的发射极。第二端子连接至NPN...

本揭露提供一种设备前端模块及其操作方法，设备前端模块包括壳体、前开式通用容器座、以及空气幕系统。壳体相对于壳体周围环境提供隔离环境，壳体包含在壳体的内部与壳体的外部之间延伸的容器接取端口。前开式通用容器座位于壳体的外部，前开式通用容器座...

在本发明实施例中，一种存在于离子源中用于将电弧室支撑在基础板上的总成包括第一电弧支撑板、第一螺钉及第二螺钉。第一螺钉穿过第一电弧支撑板的臂中的平滑的贯穿孔并延伸到基础板中的孔中。第二(或可调整的)螺钉穿过第一电弧支撑板的臂中的带螺纹的贯...

一种形成存储器装置的方法包括以下操作。在衬底上方的第一介电层内形成第一导电插塞。执行处理工艺以将所述第一导电插塞的一部分转变成缓冲层，并且所述缓冲层覆盖在所述第一导电插塞的剩余部分上方。在所述缓冲层上方依序形成相变层及顶部电极。形成第二...