提供了半导体器件和制造方法，其中制造具有双侧字线结构的存储器单元。在实施例中，第一字线位于存储器单元的第一侧上，第二字线位于存储器单元的与第一侧相反的第二侧上。于存储器单元的与第一侧相反的第二侧上。于存储器单元的与第一侧相反的第二侧上。

本公开涉及具有集成电路的垂直互连结构。3D IC结构包括多个管芯，例如顶部管芯和底部管芯。顶部管芯和/或底部管芯可以各自包括诸如计算单元、模数转换器、模拟电路、RF电路、逻辑电路、传感器、输入/输出器件、和/或存储器件之类的器件。一个或...

一种集成电路结构及其制造方法，集成电路结构包括半导体基材、底部电极线路、电容器结构、顶部电极线路。底部电极线路在半导体基材上方。电容器结构在底部电极线路上方。电容器结构包括底部金属层、底部金属层之上的中间金属层、及中间金属层之上的顶部金...

方法包括沉积介电层、在介电层上方沉积多个芯轴带，以及在多个芯轴带的侧壁上形成多个间隔件以形成多个掩模组。多个芯轴带中的每一个和多个间隔件中的两个形成多个掩模组中的掩模组。该方法还包括形成连接多个掩模组中的两个相邻掩模组的掩模带，使用多个...

本发明的实施例提供了一种锁存器及其电路和操作方法。锁存器电路包括交叉耦合的反相器，包括第一反相器和第二反相器。第一反相器和第二反相器在第一数据节点和第二数据节点处交叉耦合。输入单元耦合在交叉耦合的反相器和电源节点之间。输入单元响应于在输...

本申请的实施例涉及制造半导体器件的方法和系统。对于制造半导体器件的方法，相应的布局图存储在非暂时性计算机可读介质上，布局图相对于第一和第二垂直方向布置，布局图包括单元，使得对于单元的子集，子集中的单元中的每个主题(主题单元)具有邻域，该...

器件包括：源极/漏极区域，位于衬底上方并且沿第一方向间隔开；第一栅极结构，位于源极/漏极区域之间；以及第一沟道结构，由第一栅极结构围绕。第一沟道结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层。当在沿垂直于第一方向的第二方向截取的截面中观察...

本发明实施例涉及一种半导体结构及一种用于形成半导体结构的方法。移除牺牲栅极层以形成暴露牺牲电介质层的栅极沟槽。对由所述栅极沟槽中的所述牺牲电介质层覆盖的衬底的一部分执行离子植入。移除所述牺牲电介质层以从所述栅极沟槽暴露所述衬底。在所述栅...

本发明实施例涉及气流检测装置及使用方法。气流检测装置能够检测与运输载体相关的气流问题，例如运输载体中扩散器的阻塞或转移支架的泄漏等。气流检测装置包含风洞，运输载体中的气体可以流过所述风洞。气流检测装置包含气流传感器，所述气流传感器经布置...

本发明实施例涉及半导体结构及用于形成隔离结构的方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含半导体衬底、图像传感器及隔离结构。所述隔离结构相邻于所述图像传感器且放置于所述半导体衬底中。所述隔离结构包含：第一氧化物层；第二氧化物层，其在...

本公开揭示一种半导体晶圆和其制造方法。方法包括将半导体晶圆暴露于一或多个掺杂剂种类以形成半导体晶圆上的一或多个第一布植层、测试所形成的一或多个第一布植层的一或多个几何参数值、在测试一或多个几何参数值之后有条件地将半导体晶圆暴露于一或多个...

提供一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基板；鳍片结构，在基板上方；栅极结构，在鳍片结构上方；以及外延区，形成在鳍片结构中并相邻栅极结构。外延区嵌入多个掺质丛簇。簇。簇。

本公开提供了半导体装置及其形成方法。上述方法包括：在半导体结构上形成具有牺牲层的鳍片；形成在半导体基板上且邻近鳍片的多个隔离区；在牺牲层上形成具有多个第一及第二纳米结构层的超晶格结构；形成围绕超晶格结构的牺牲结构；在超晶格结构上形成第一...

半导体装置的形成方法，形成互连结构的方法使用直接金属蚀刻方式，以形成且填充金属间隙。所述方法可包括直接蚀刻第一金属层以形成多个金属图案。金属图案彼此可被多个凹槽间隔开。可形成介电间隔物，沿着每个凹槽的侧壁延伸。可以导电材料填充所述凹槽，...

一种存储器装置的形成方法，包括：形成多个字元线堆叠于半导体基底上，分别包括多个字元线与多个绝缘层交替堆叠；沿着字元线堆叠的两相对侧壁形成一数据存储层；沿着数据存储层的两相对侧壁形成一通道层；形成一内部绝缘层位于通道层的内侧壁之间且包括第...

本发明实施例说明形成低热预算的介电层于半导体装置中的方法。方法包括形成第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上，且第一鳍状结构与第二鳍状结构之间具有开口；将可流动的隔离材料填入开口；以等离子体处理可流动的隔离材料；以及移除第一鳍状结构与第二鳍...

方法包括：形成第一封装组件，该形成工艺包括：在第一介电层中形成第一多个开口；将第一金属材料沉积至第一多个开口中；对第一金属材料和第一介电层执行平坦化工艺，以在第一介电层中形成多个金属焊盘；以及在多个金属焊盘上选择性地沉积第二金属材料以形...

公开了一种形成半导体器件的方法，包括：去除伪栅极堆叠件以在栅极间隔件之间形成第一沟槽；在第一沟槽中形成替换栅极堆叠件；凹陷替换栅极堆叠件以在栅极间隔件之间形成第二沟槽；在第二沟槽中选择性地沉积导电覆盖层；在第二沟槽中和导电覆盖层上方形成...

一种包括有源层、栅极介电层和栅极的堆迭，在衬底之上以正向或反向顺序形成。有源层包括前沟道层、体半导体层和背沟道层。前沟道层通过沉积包括至少一后过渡金属氧化物层、氧化锌层和至少一受体型氧化物层的层堆迭而形成。氧化锌层或至少一后过渡金属氧化...

一种半导体装置及其形成方法，包括：半导体基板以及通道层的堆叠在半导体基板上。最顶部通道层的顶表面沿着相对于基板表面的第一高度延伸。最底部通道层的底表面沿着相对于基板表面的第二高度延伸。装置还包括栅极结构，啮合通道层的堆叠且沿着第一方向延...