一种半导体装置，包括多个有源区结构，所述有源区结构各自在垂直方向上向上突出。有源区结构各自在第一水平方向上延伸。有源区结构在不同于第一水平方向的第二水平方向上彼此分离。栅极结构设置在有源区结构上方。栅极结构在第二水平方向上延伸。栅极结构...

本公开实施例提供一种半导体基板台。半导体基板台用于承载基板，半导体基板台包括基层、磁屏蔽层、承载层以及接收器。磁屏蔽层设置于基层上。承载层设置于磁屏蔽层上。接收器设置于承载层上。接收器是配置以接收来自与接收器电性隔离的信号源的微波信号，...

本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括两个或更多个第一阶导体及一个或多个第二阶导体。提供了一种自对准导孔，抑制层选择性地沉积在下导电区上。选择性地沉积电介质在下导电区上。可选择性地蚀刻沉积的电介质。选择性地沉积抑制剂在下电介质区上。选...

一种半导体装置及其制造方法，包含提供自基板延伸的鳍片，其中鳍片包含外延层堆叠，外延层堆叠具有由多个虚置层穿插的多个半导体通道层。在一些实施例中，此方法更包含移除半导体装置的源极/漏极区之内的外延层堆叠的一部分以形成沟槽于源极/漏极区中，...

一种测试包括磁性层的多层结构的测试装置和方法，测试包括磁性层的多层结构的方法中，测量电磁性耦接至多层结构的波导的一或多个网络参数，一或多个网络参数作为在测量一或多个网络参数的期间施加至多层结构的频率的函数和磁场的函数。基于所测量的一或多...

方法包括提供半导体结构，其包括自基板凸起的鳍状物，其中鳍状物包括多个第一半导体层与多个第二半导体层；使鳍状物凹陷以形成源极/漏极凹陷；形成源极/漏极结构于源极/漏极凹陷中；修整源极/漏极结构；沉积介电层以覆盖源极/漏极结构；形成接点孔于...

本公开提出一种存储器装置。存储器装置包括栅极电极层以及放置于基板上方的互连层的堆叠。放置在基板上方的第一存储器单元包括垂直延伸穿过栅极电极层的堆叠的第一源极/漏极导线以及第二源极/漏极导线。通道层以及存储器层放置在第一源极/漏极导线以及...

本文公开了半导体结构及其制造方法。在一实施例中，示例性的半导体结构包括多个第一通道构件在基板上方；第一栅极结构包绕每个所述第一通道构件；以及介电鳍片结构相邻设置于第一栅极结构，介电鳍片结构包括：第一介电层设置在基板上方并与第一栅极结构直...

本公开实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括具有边缘互连特征的集成电路芯片。边缘互连特征可为延伸通过密封环且进入切割线区域的导线。在一些实施例中，具有边缘互连特征的异质集成电路芯片被制造在相同基板上。相邻的集成电路芯片的边缘互连特征彼...

电子器件包括一对耗尽栅极、累积栅极和导电谐振器。耗尽栅极彼此间隔开。累积栅极位于耗尽栅极上方。导电谐振器位于耗尽栅极和累积栅极上方。导电谐振器包括第一部分、第二部分和第三部分。第一部分和第二部分位于累积栅极的相对侧上。第三部分互连导电谐...

本公开实施例提供了一种具有边缘互连特征的集成电路晶粒。边缘互连特征可为延伸通过密封环且暴露在集成电路晶粒的边缘表面上的导线。边缘互连特征配置来连接其他的集成电路晶粒而无须经由中介层。半导体装置可包括两个或以上的集成电路晶粒，前述集成电路...

方法包括蚀刻介电层以形成开口。使介电层下面的第一导电部件暴露于开口。沉积牺牲间隔件层以延伸至开口中。对牺牲间隔件层进行图案化。去除牺牲间隔件层的位于开口的底部处的底部部分以露出第一导电部件，并且留下牺牲间隔件层的位于开口内和介电层的侧壁...

本公开描述一种具低接触电阻的二维通道场效晶体管及此结构的制造方法。方法包括于半导体基板上沉积介电层，于介电层上沉积金属层，且于金属层上沉积硬遮罩层。方法更包括借由移除部分硬遮罩层和部分金属层形成栅极开口。方法更包括于栅极开口的侧壁上沉积...

本发明实施例提供一种半导体装置如纳米片多通道装置，半导体装置具有额外间隔层与硬掩模层。额外间隔层可提供最顶部的通道上的内侧间隔物所用的空间。硬掩模层可在金属栅极回蚀刻时作为蚀刻停止层，以改善栅极高度的控制。制。制。

本发明实施例提供一种半导体装置。半导体装置的形成方法采用一个图案化的掩模与一个自对准掩模以形成n型源极/漏极结构与p型源极/漏极结构，以增加误差容许范围并提供多种形状及/或体积的源极/漏极结构的弹性。一些实施例在形成第一型态的源极/漏极...

本公开提供一种芯片封装结构及其形成方法。芯片封装结构的形成方法包括设置芯片封装于配线基板上。所述方法包括形成第一导热结构及第二导热结构于芯片封装上。第一导热结构及第二导热结构被第一间隙分开。所述方法包括通过第一导热结构及第二导热结构接合...

一种薄膜沉积系统及其方法，薄膜沉积系统包含定位于晶圆之上且用以在薄膜沉积制程期间产生电浆的顶板。薄膜沉积系统包含感测器，感测器用以产生指示薄膜沉积系统的组件的寿命、由薄膜沉积系统沉积的薄膜的特性或流入薄膜沉积系统中的制程材料的特性的感测...

本发明提供了半导体结构。该半导体结构包括衬底和设置在衬底上方的堆叠结构。该堆叠结构包括多个交替堆叠的绝缘层与栅极构件。芯结构设置在堆叠结构中。该芯结构包括存储器层、沟道构件、接触构件和衬垫构件。该沟道构件设置在存储器层上。该接触构件设置...

提供用于控制集成双轨式存储电路电源切断的系统及方法。电源切断系统被配置成在维持对存储胞元(VDDM)的电源轨通电的同时使输入及逻辑组件(VDD)的电源轨断电。所述断电系统包括两个电压轨、时钟产生器及用于检测VDD上的功率的功率检测器。当...

本发明实施例是有关于一种叠层吸盘、叠层工艺及半导体封装体的制造方法。一种用于膜材料的叠层的叠层吸盘包括支撑层和顶层。顶层设置在支撑层上。顶层包括聚合物材料，聚合物材料的肖氏硬度A低于支撑层的材料的肖氏硬度A。顶层和支撑层具有贯穿其中的至...